美光沒有退出先進 DRAM 的競賽，而是選擇另一條提高記憶體密度的路。公司認為，4F² 設計雖然能縮小記憶體單元的名目面積，但電容間距、微縮限制、成本與製程複雜度，可能讓理論上的優勢難以落實到量產產品。美光因此打算繼續推進 6F² DRAM，並開發 3D DRAM。 235

4F² 面積較小，為何不一定代表密度更高？

4F² 和 6F² 指的是單一記憶體單元所占的面積。若 F 的尺度相同，4F² 在數學上比 6F² 小三分之一；不過，這比較的是單元的名目面積，不等於整顆 DRAM 晶片最後能達到的實際密度也提高三分之一。 513

在 2026 年 10 月 21 日的技術網路研討會上，美光總裁暨技術與產品長 Scott DeBoer 回應 UBS 分析師 Tim Arcuri 提問時表示，電容之間的間距，也就是電容間距（pitch），是影響 DRAM 密度的重要限制。在美光的評估中，單靠縮小單元布局，未必能帶來表面上看起來那麼大的密度提升。 510

美光也提到進一步微縮的限制，以及成本和製程複雜度。公司表示，4F² 設計由美光提出，研究約 20 年後，仍決定不將其商業化。這段歷程顯示公司曾長期評估這條路線；但現有報導並未說明美光做過多少原型、或原型測試結果如何。 2411

這是美光對相關取捨的判斷，並不能證明其他廠商的方案無法成功。據報導，三星、SK 海力士仍在開發 4F²；中國長鑫存儲（CXMT）則宣布，計畫在 2026 年底前推出採用 4F² 的伺服器記憶體模組。不過，這些計畫本身並不能證明產品已達大規模量產，或其成本效益已經確立。 2932

美光的替代路線：延續 6F²，長期發展 3D

美光近期的技術路線仍包括持續微縮 6F² DRAM。公司預期，1-delta DRAM 技術將於 2027 年下半年開始提升產量；現有報導並未證實這代表屆時立即進入大規模量產。 5

長期而言，美光表示將聚焦於 3D DRAM，而非商業化 4F²。這是發展方向，並非已承諾的量產時程。其核心想法是，與只縮小單元布局相比，改採不同架構或許能為未來提升密度提供更合適的路徑。 23

Wedbush 的看好，代表什麼、不代表什麼？

Wedbush 認為，美光跳過 4F²、轉向 3D DRAM，可能有助於維持競爭優勢，並指出美光的製造進展是其強項。10 月 23 日，該投資機構重申「優於大盤」（Outperform）評等與 1,400 美元目標價；報導稱，美光股價當天早盤上漲近 2%。 318

這是分析師的看法，並非獨立證明美光的 3D 路線一定勝過競爭對手。真正值得觀察的，是這種替代架構能否在量產規模下同時實現所需密度與製造成本效益，而不只是它與對手的設計不同。

AI 記憶體需求提供背景，卻不能直接決定勝負

美光的技術路線受到 AI 系統記憶體需求增加的市場背景影響。關於公司研討會的報導指出，未來 AI 記憶體產品每單位位元所需的晶圓數量將逐步增加。這提醒市場，評估記憶體供應能力時，需求與製造產能和單元設計一樣重要。 9

但這些資訊無法說明供應何時能追上需求，也不能判定哪家公司的架構最後會勝出。CXMT 宣布的產品目標值得留意，但僅有推出計畫，仍不足以確認良率、產量或成本競爭力。 932

重點整理

美光的選擇，應理解為對「可量產密度」的判斷。若電容間距限制了實際收益，或微縮帶來過高的成本與複雜度，理論上的單元面積縮小就不一定划算。美光將繼續發展 6F² DRAM，同時投入 3D DRAM；這項策略是否優於競爭對手的 4F² 路線，仍有待觀察。 3511

美光沒有退出先進 DRAM 的競賽，而是選擇另一條提高記憶體密度的路。公司認為，4F² 設計雖然能縮小記憶體單元的名目面積，但電容間距、微縮限制、成本與製程複雜度，可能讓理論上的優勢難以落實到量產產品。美光因此打算繼續推進 6F² DRAM，並開發 3D DRAM。 235

4F² 面積較小，為何不一定代表密度更高？

4F² 和 6F² 指的是單一記憶體單元所占的面積。若 F 的尺度相同，4F² 在數學上比 6F² 小三分之一；不過，這比較的是單元的名目面積，不等於整顆 DRAM 晶片最後能達到的實際密度也提高三分之一。 513

在 2026 年 10 月 21 日的技術網路研討會上，美光總裁暨技術與產品長 Scott DeBoer 回應 UBS 分析師 Tim Arcuri 提問時表示，電容之間的間距，也就是電容間距（pitch），是影響 DRAM 密度的重要限制。在美光的評估中，單靠縮小單元布局，未必能帶來表面上看起來那麼大的密度提升。 510

美光也提到進一步微縮的限制，以及成本和製程複雜度。公司表示，4F² 設計由美光提出，研究約 20 年後，仍決定不將其商業化。這段歷程顯示公司曾長期評估這條路線；但現有報導並未說明美光做過多少原型、或原型測試結果如何。 2411

這是美光對相關取捨的判斷，並不能證明其他廠商的方案無法成功。據報導，三星、SK 海力士仍在開發 4F²；中國長鑫存儲（CXMT）則宣布，計畫在 2026 年底前推出採用 4F² 的伺服器記憶體模組。不過，這些計畫本身並不能證明產品已達大規模量產，或其成本效益已經確立。 2932

美光的替代路線：延續 6F²，長期發展 3D

美光近期的技術路線仍包括持續微縮 6F² DRAM。公司預期，1-delta DRAM 技術將於 2027 年下半年開始提升產量；現有報導並未證實這代表屆時立即進入大規模量產。 5

長期而言，美光表示將聚焦於 3D DRAM，而非商業化 4F²。這是發展方向，並非已承諾的量產時程。其核心想法是，與只縮小單元布局相比，改採不同架構或許能為未來提升密度提供更合適的路徑。 23

Wedbush 的看好，代表什麼、不代表什麼？

Wedbush 認為，美光跳過 4F²、轉向 3D DRAM，可能有助於維持競爭優勢，並指出美光的製造進展是其強項。10 月 23 日，該投資機構重申「優於大盤」（Outperform）評等與 1,400 美元目標價；報導稱，美光股價當天早盤上漲近 2%。 318

這是分析師的看法，並非獨立證明美光的 3D 路線一定勝過競爭對手。真正值得觀察的，是這種替代架構能否在量產規模下同時實現所需密度與製造成本效益，而不只是它與對手的設計不同。

AI 記憶體需求提供背景，卻不能直接決定勝負

美光的技術路線受到 AI 系統記憶體需求增加的市場背景影響。關於公司研討會的報導指出，未來 AI 記憶體產品每單位位元所需的晶圓數量將逐步增加。這提醒市場，評估記憶體供應能力時，需求與製造產能和單元設計一樣重要。 9

但這些資訊無法說明供應何時能追上需求，也不能判定哪家公司的架構最後會勝出。CXMT 宣布的產品目標值得留意，但僅有推出計畫，仍不足以確認良率、產量或成本競爭力。 932

重點整理

美光的選擇，應理解為對「可量產密度」的判斷。若電容間距限制了實際收益，或微縮帶來過高的成本與複雜度，理論上的單元面積縮小就不一定划算。美光將繼續發展 6F² DRAM，同時投入 3D DRAM；這項策略是否優於競爭對手的 4F² 路線，仍有待觀察。 3511