AI 資料中心正在吸收 HBM、伺服器 DRAM、NAND Flash 與企業級 SSD 產能,使一般 RAM 與消費級 SSD 可分配供給變少 [8][10]。 HBM 使用堆疊 DRAM,並需要更多晶圓與封裝資源;供應商轉向 HBM 時,傳統 DRAM 也會被擠壓 [8][13]。

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: Why are global memory and SSD shortages expected to last until 2028?. Article summary: Global memory and SSD shortages are expected to last into 2027 or possibly 2028 because AI data-center demand is absorbing huge amounts of DRAM, HBM, NAND flash, and enterprise SSD capacity faster than suppliers can add . Topic tags: general, general web. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "# DRAM Shortage to Persist Until 2028, With AI Demand Consuming 40% of Global Supply. The global memory market is facing a structural crisis. A perfect storm of explosive AI growth" source context "DRAM Shortage to Persist Until 2028, With AI Demand Consuming 40% of Global Supply — BigGo Finance" Reference image 2: visual subject "Thank you for your interest in our company. Please complete the form
如果只是某個零件短缺或物流卡關,RAM 與 SSD 的供應通常可能幾季後就緩和。這次麻煩在於,記憶體市場正在被 AI 基礎建設重新定價:資料中心買家同時需要高頻寬記憶體(HBM)、伺服器 DRAM、NAND Flash 和企業級 SSD,而且規模很大。TrendForce 指出,DRAM 供應商在 2026 年第一季持續把先進製程節點與新增產能轉向伺服器與 HBM 產品,NAND 需求也愈來愈分裂為消費與 AI 應用兩端 。
這也是為什麼現在的預測不只停留在一般的季度缺貨。TechwireAsia 引述 Nikkei Asia 報導,主要美國與南韓供應商增加 DRAM 產出的速度,到 2027 年可能只能滿足約 60% 的需求 。Altium 的市場分析則指出,晶圓廠擴建有限、NAND 產出多已售罄,以及 HBM 多年期合約,可能讓供應緊繃延續到 2027 年底至 2028 年
。
AI 資料中心改變了記憶體的買方結構。Everstream 說明,AI 資料中心高度依賴 GPU,而 GPU 需要 HBM;HBM 可視為三維堆疊的 DRAM 晶片,並且比標準 DRAM 需要更多晶圓面積 。TrendForce 也指出,供應商在 2026 年第一季仍把先進節點與新產能轉往伺服器與 HBM,以支援上升中的 AI 伺服器需求
。
結果就是一個結構性的分配問題。原本可能供應 DDR5、LPDDR、筆電與桌機 SSD、PC 或智慧型手機的產能,正被拉往需求更強、利潤更高的 AI 與伺服器產品 。IDC 同樣將這波短缺描述為:部分原因是製造產能從消費性電子轉向支援 AI 的高利潤記憶體解決方案,並對裝置製造商與終端使用者產生連鎖影響
。
HBM 不是與 DRAM 完全分離的產品。它由堆疊 DRAM 製成,還需要專門的製造與封裝資源 。當記憶體廠把更多產能分配給 HBM,傳統 DRAM 可使用的同一套製造基礎就會變少
。
產業報告也指出,SK hynix、Samsung 與 Micron 都把晶圓生產轉向供 AI 加速器使用的 HBM 。從商業角度看,這並不難理解:AI 與伺服器記憶體更容易取得優先順位,也更能支撐較高價格;相對地,消費裝置使用的商品型記憶體就更容易面臨配額限制與漲價壓力
。
SSD 的核心是 NAND Flash,而 NAND 也正被資料中心需求拉走。TrendForce 指出,NAND Flash 需求正愈來愈分化為消費與 AI 應用兩端,企業級 SSD 成為最大區塊;在同一份 2026 年第一季展望中,TrendForce 預測用於用戶端的 client SSD 價格將上漲逾 40% 。
儲存供應商也警告,資料中心、超大規模雲端業者與 AI 伺服器建置需求,正帶來配額限制;DRAM 與 NAND 價格上升,交期也可能拉長 。換句話說,SSD 的問題不只是零售市場有人想升級筆電。一般與用戶端 SSD 買家,正在與雲端和 AI 基礎建設相關的企業儲存訂單競爭同一批 NAND 供給
。
大型雲端服務供應商,也就是常說的 hyperscalers,通常同時有預算與急迫性,能比其他買家更早鎖定記憶體供應。TrendForce 指出,美國雲端服務供應商鎖定產能,正在擴大 DRAM 供需缺口,迫使其他買家接受更高價格 。TechwireAsia 也報導,AI 需求與有限產能預料將使記憶體價格維持高檔、出貨偏弱,至少延續到 2027 年
。
這也解釋了為什麼即使總產出增加,缺貨仍可能持續。新供給出現時,第一順位往往會流向 AI 伺服器、HBM、伺服器 DRAM 與企業級 SSD 合約,而不是消費 PC、手機或用戶端 SSD 通路 。
記憶體產能不是下單後就能立刻開出來。TechwireAsia 報導,若要滿足需求,記憶體產量到 2027 年需要每年約 12% 的擴張,但目前成長約為 7.5%;同一報導也提到約 40% 的缺口,以及到 2027 年產出可能只能滿足約 60% 需求 。
Gigazine 彙整相關報告指出,多數新增設施預計要到 2027 年,最晚甚至 2028 年,才會開始運轉 。這就是 2028 年會出現在缺貨預測中的關鍵原因:今天核准的擴廠,不會明天就變成合格且高良率的 DRAM 或 NAND 供給
。
這波短缺更難繞開,因為它同時跨越多個相鄰品類。已有報告形容,2026 年 HDD、DRAM、HBM 與 NAND 都處於嚴重吃緊狀態 。當好幾種可替代或互補的記憶體與儲存產品一起受限,買家就少了許多轉向其他方案的空間。
對企業與一般消費市場來說,影響都不小。企業可能面對伺服器與儲存設備採購週期拉長;PC、智慧型手機與用戶端 SSD 市場,則更容易受到零組件成本上升影響,因為 AI 基礎建設正吸收更多可用供給 。
有可能。2028 年是一個預測時間窗,不是板上釘釘的截止日。如果 AI 基礎建設支出放緩、長約訂單逐步消化,或新產能比預期更快上線,緊繃狀態可能提前緩和。反過來,如果雲端與 AI 客戶持續以更快速度鎖定 HBM、伺服器 DRAM、NAND 和企業級 SSD,而供應商擴產跟不上,短缺也可能比目前預期更久 。
對買家而言,比較務實的做法,是把較高價格與較長交期納入規劃,而不是假設便宜 RAM 與 SSD 很快回來。TrendForce 的 2026 年第一季展望已預測伺服器 DRAM 與用戶端 SSD 會出現明顯季度漲幅,TechwireAsia 也報導記憶體成本壓力至少會持續到 2027 年 。因此,最準確的讀法是:2028 年代表一段風險區間,在目前 AI 需求與產能假設下確實有可能發生,但仍取決於接下來供給與需求誰跑得更快。
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AI 資料中心正在吸收 HBM、伺服器 DRAM、NAND Flash 與企業級 SSD 產能,使一般 RAM 與消費級 SSD 可分配供給變少 [8][10]。
AI 資料中心正在吸收 HBM、伺服器 DRAM、NAND Flash 與企業級 SSD 產能,使一般 RAM 與消費級 SSD 可分配供給變少 [8][10]。 HBM 使用堆疊 DRAM,並需要更多晶圓與封裝資源;供應商轉向 HBM 時,傳統 DRAM 也會被擠壓 [8][13]。
報告指出,DRAM 產出成長到 2027 年可能僅滿足約 60% 需求,新設施多要到 2027–2028 年才運轉,因此缺口不易快速消失 [1][2]。