三星電子在2026年第二季以39%的全球DRAM營收市佔率穩居領先地位,重返2024年的水準。這項成長主要來自三星在常規與大宗商品DRAM供應與定價上的優勢,因為HBM價格停滯,而常規DRAM價格卻急速攀升。多家媒體報導指出,三星在常規DRAM領域展現了「壓倒性的主導力」,與2025年第二季的市場龍頭SK海力士拉開了差距。
SK海力士在2026年第二季滑落至第二位,市佔率僅26%,較2025年同期的39%大幅下滑。這一下降發生在公司營收較去年同期大幅成長214%的背景之下。營收成長與市佔流失的矛盾,反映出市場組合的轉變:SK海力士是HBM領域的主導者,HBM定價雖高,但近期面臨價格壓力。相較之下,三星的產品組合更加多元,側重於常規DRAM,因而受惠於此輪價格動態的變化。
美光科技持續其成長動能,在2026年第二季拿下25%的全球DRAM營收市佔,將與SK海力士的差距縮小至僅僅一個百分點。這是近年來第二、三名之間最接近的差距。韓國媒體報導指出,這顯示美國競爭對手正對韓國業者施加越來越大的壓力。
長鑫存儲(CXMT)是2026年第二季最令人驚豔的成長故事。該公司年營收暴增716%,使其全球DRAM營收市佔提升至7%。這是一個巨大的飛躍——相較於2025年初約3–4%的市佔率,以及2026年第一季的約8%。Counterpoint研究副總裁Neil Shah指出,CXMT的成長主要來自中國大型雲端服務商和手機製造商的強勁國內需求。在赴上海科創板IPO之前,該公司已與騰訊簽訂了一份價值29.4億美元的DRAM供貨合約。
在LPDDR6方面,CXMT正接近一個關鍵里程碑。其**16Gb LPDDR6晶片(速度12.8 Gbps)**的研發驗證已進入最後階段,目標是在2026年下半年量產。12.8 Gbps的速度,約比SK海力士採用EUV 1c製程所能達到的14.4 Gbps極限低11%,反映了CXMT因使用DUV微影設備而受到的製程限制。CXMT已向核心客戶出貨LPDDR6樣品。該公司也計劃在2026年底前實現HBM的生產。
AI基礎設施建設是2026年第二季幾乎所有市場變化背後的結構性驅動力。AI伺服器與超大規模資料中心的加速布建,持續將產能利用率推升至極限。HBM的生產正消耗越來越多的總DRAM晶圓產能——TrendForce預測,到2027年底,HBM將佔據所有DRAM晶圓投片量的30%,導致供給僅能滿足60%的預期需求。瑞銀(UBS)預期DRAM供需要到2028年第二季才能恢復平衡。
美光和SK海力士都已表示,其2026年的HBM產能已被預訂一空。美光的2026年HBM產能在2025年底前就已滿載,SK海力士也指出其2026年的RAM產能基本已全數分配完畢。
2026年第二季零組件市場的緊縮速度,是自2021–2022年晶片短缺以來最為劇烈的。常規DRAM合約價格在第二季季增58–63%,此前第一季已創紀錄地上漲90–95%。大宗商品級的DDR4 8Gb晶片在2026年5月達到每顆20美元的歷史新高。
記憶體市場的波動性在2026年上半年不僅沒有趨緩,反而加劇。所有主要DRAM產品的供應仍然緊張,供應商的靈活性有限,價格能見度持續惡化。一家重要的供應合作夥伴近期建議客戶,為2026年底前DRAM價格每月可能上漲10–20%做好準備。儘管財報表現強勁,美光的股價在今年稍早仍經歷下跌,因為市場在權衡這種定價水準的可持續性。
| 公司 | 2026年第二季市佔 | 關鍵驅動力 |
|---|---|---|
| 三星 | 39% | 常規DRAM表現強勁,重奪領先地位 |
| SK海力士 | 26% | HBM領導者,但受市場輪動影響失去市佔 |
| 美光 | 25% | 將與第二名的差距縮小至1個百分點 |
| 長鑫存儲(CXMT) | 7% | 營收年增716%,LPDDR6即將量產 |
註:部分Counterpoint早期報告在SK海力士的數據上略有出入(26%對比Q1參考數據的29%)。綜合韓國、美國與中國來源對2026年第二季營收市佔的共識為:三星39%、SK海力士26%、美光25%、長鑫存儲7% 。