FMS 2026 三大焦點：三星 zHBM 垂直堆疊、V10 BV-NAND 量產，以及 SK 海力士 HBF 開放標準

• 效能：三星宣稱其效能可達 HBM5 的 8 倍 。部分報導更指出，其資料傳輸速度較 HBM4 快 4 倍，功耗僅為後者的四分之一 。
• 密度：透過新一代晶圓鍵合（wafer bonding）技術，其記憶體密度相較於傳統 HBM 可提升 超過 10 倍 。
• 能源效率：此架構號稱能源效率比 HBM5 高出 約 3 倍（即能耗降低約 66%）。
• 狀態：zHBM 目前仍屬概念模型階段，尚未進入量產 。

與 zHBM 一同亮相的，還有針對邊緣 AI 推論設計的 zNAND-O 概念架構 。

三星 V10 BV-NAND：業界首款超過 400 層、採用晶圓鍵合技術的 NAND，已進入量產

三星同步推出 V10 BV-NAND（Bonding V-NAND），這是業界首款採用晶圓鍵合技術打造的 NAND Flash，其設計將記憶體陣列與周邊邏輯電路分離，再將兩片晶圓進行鍵合 。

• 層數：超過 400 個主動層，這是三星為其 V-NAND 產品線公布過的最高數據 。
• 密度：記憶體密度較前一代 V9 世代提升約 58% 。
• 能源與熱效率：三星表示，這種晶圓鍵合技術可將能源效率提升約 3 倍，並降低熱阻抗 。
• 生產狀態：V10 BV-NAND 已進入量產階段，使其成為第一款商業化突破 400 層的 NAND Flash 產品 。

SK 海力士 HBF：獲得 Google 與 Tenstorrent 支持的開放標準

SK 海力士（與 SanDisk）在 FMS 2026 上，透過開放運算計畫 (OCP) 正式發布了第一個高頻寬快閃記憶體 (HBF) 的開放技術規範 。

• 規格：初始標準支援最高 512 GB 容量，採用 8 層與 16 層 NAND 堆疊配置，並透過 UCIe 介面提供高達 3.0 TB/s 的頻寬 。
• 生態系支持：Google DeepMind 與 Tenstorrent 已正式加入 HBF 聯盟 。
• 定位：HBF 旨在扮演一個以容量為導向的儲存層，介於高頻寬 DRAM 與傳統 NVMe SSD 之間，專門解決 AI 推論時的記憶體瓶頸 。

業界共識：僅靠 HBM 是不夠的——分層記憶體才是未來

在 FMS 2026 的主題演講與各場座談中，一個強而有力的業界共識已然成形：HBM 本身無法滿足 AI 日益增長的需求。多位與會者主張，分層記憶體結構——將 HBM、HBF 級別的快閃記憶體、CXL 附加記憶體以及 NVMe 儲存裝置整合在一個分層架構中——將是未來 AI 基礎設施的核心 。以 Marvell 的發表為例，他們明確聚焦於「代理型 AI（Agentic AI）推論基礎設施」，並指出這需要一個超越 HBM 的多元化記憶體與儲存產品組合 。