蘇州智材科技據報完成一款 6 吋高純度、高致密度氧化鎂（MgO）濺鍍靶材，供 MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）的磁性穿隧接面（MTJ）製程使用。公開報導所列規格包括 4N 純度，也就是 99.99%；致密度則超過 99.8%，晶粒均勻性被描述為達到國際先進水準。另有產業報導將其致密度與日本主流同類靶材所列的「超過 99.7%」相比較。214

不過，這項消息最需要注意的是證據層級。現有公開資訊稱該產品已取得 MRAM 磁性穿隧接面生產資格，但沒有提供獨立客戶數據，涵蓋晶圓批次、電性結果、可靠度、良率或長期量產規模。因此，與日本靶材的比較可視為公開報導中的參考基準，而不是完整的產品對產品驗證紀錄。

MgO 為何是 MRAM 的關鍵材料？

MRAM 儲存資料的方式，並非像傳統電荷型記憶體那樣依靠電荷長期留存，而是利用磁性層之間的相對磁化方向來代表資料。在 MTJ 中，MgO 位於磁性層之間，扮演超薄絕緣障壁的角色。

因此，MgO 的材料品質與沉積特性，會牽涉到穿隧接面的電性、元件一致性，以及製造過程能否穩定重複。中國工程研究界也已將高純度、高致密度的 MgO 磁性穿隧接面濺鍍靶材列為新型記憶體研發與產業化的重要方向，並強調要控制雜質，以及改善靶材的微觀結構、晶粒尺寸、晶向、分布、均勻性與缺陷密度。4

這也說明，靶材雖然只是記憶體中的一項材料，戰略價值卻可能相當高。單一純度數字並不能直接證明元件性能；晶圓廠還需要確認濺鍍行為是否穩定、薄膜是否均勻、MTJ 電性是否符合要求，以及不同生產批次能否維持良率與可靠度。

這款靶材的公開規格如何解讀？

目前報導聚焦於三項指標：

• 6 吋尺寸： 這是面向半導體濺鍍設備與 MRAM 製程開發的靶材規格。
• 4N 純度： 代表 MgO 純度為 99.99%。材料產業資料將 4N 純度與磁記錄及薄膜應用列在相近範圍，但半導體製程的實際要求仍會依應用與工藝而異。15
• 致密度超過 99.8%： 略高於現有比較資料中所列日本主流 MgO 靶材「超過 99.7%」的數字。14

這個致密度差距在紙面上並不大，不能據此斷言蘇州智材的產品全面優於日本同類材料。濺鍍靶材真正的實用考驗，是能否在客戶指定的製程條件下，持續提供所需的薄膜均勻性與元件結果。現有公開資料並未提供受控的 MRAM 並列驗證報告。

是否真的補上中國 MRAM 的「最後一個外國缺口」？

產業報導將這款靶材描述為完成中國 MRAM 靶材體系的國產供應，並移除國內 MRAM 中試線過去由海外供應商控制的瓶頸。2 另一份報導則稱，這項成果讓中國 MRAM 製造商與研究機構取得可自主掌控的國產材料選項。14

這些供應鏈意義不容忽視，但仍應精確表述。現有證據支持「中國出現了據報符合 MRAM 使用要求的國產 MgO 選項」，卻不足以證明每一座中國 MRAM 晶圓廠都已完成導入，也不能證明進口需求、雙供應商壓力或出口相關風險已經完全消失。

日期也存在需要釐清之處。所提供資料中，最直接相關的 MRAM 靶材公告日期為 2026 年 8 月 12 日；8 月 21 日的紀錄則涉及一項高均勻性氧化物靶材製備方法的中國專利申請公開。現有來源沒有證明專利公開日就是 MRAM 靶材取得生產資格或公告突破的日期。12

MRAM 為何受到產業關注？

MRAM 的吸引力，在於它試圖結合非揮發性、低延遲與高寫入耐久度。資料在斷電後仍可保留，同時具備快速存取的潛力，對需要快速重新啟動、頻繁更新、穩定回應或承受電力中斷的系統特別有吸引力。

目前報導與文件提及的應用方向包括：

• 汽車控制器： 嵌入式 MRAM 可作為車輛控制系統中的本地非揮發性程式碼與資料儲存。另有報導稱，中國車控 MCU 已搭載 16 MB 車規級 MRAM，並進入穩定量產交付；但這項產品進展與蘇州智材的靶材公告是兩件不同的事。47
• 航太與國防： Everspin 將其 STT-MRAM 產品定位為供航太、國防及其他任務關鍵嵌入式系統使用的非揮發性記憶體。7
• 邊緣運算與 AI 控制器： 嵌入式 MRAM 正被探索用於需要本地化、低功耗記憶體的先進製程系統。市場資料提到 22 nm 與 28 nm 嵌入式製程已有資格認證，但這類市場報告不應被解讀為所有晶圓代工廠都已提供相同製程。17
• 高風險與嚴苛環境： MRAM 展示與產業報導強調其非揮發性、寬溫運作及抗輻射相關特性，例如飛控系統。不過，這些能力取決於完整記憶體設計與驗證，不能只由 MgO 靶材一項材料規格推導出來。52

部分業界評論將 MRAM 描述為接近 DRAM 的速度，或宣稱其延遲約為 NAND 的千分之一。現有資料未能獨立證實「NAND 千分之一延遲」是普遍適用的基準，因此這個數字較適合視為行銷式比較，而非通用效能結論。

MRAM 產業確實在前進，但市場預測差異極大

MRAM 的產業活動已涵蓋獨立式記憶體、嵌入式記憶體、汽車電子與特殊用途系統。現有報導提到亞洲首款 8 nm 嵌入式 MRAM AI 晶片流片、搭載 SOT-MRAM 的無人機完成試飛，以及青島完成 8 吋 MRAM 生產線等進展。這些事件分別處於流片、示範與生產線建置等不同階段，不能直接視為已形成大規模商業量產。5152

市場預測的落差尤其明顯：有預測估計，全球 MRAM 市場將由 2025 年的 44.9 億美元增至 2034 年的 867.8 億美元，年複合成長率為 38.97%；另一份預測則估計市場將由 2026 年的 44.3 億美元增至 2031 年的 182.4 億美元，年複合成長率為 32.72%。還有估算將 2026 年市場規模列為 11.8 億美元，2034 年為 46.5 億美元。172030

如此大的差距，意味著目前不能把任何單一預測視為市場共識。較穩妥的結論是：MRAM 正吸引大量研發與投資，但最終市場規模仍取決於客戶採用速度、製造成本、技術路線，以及嵌入式記憶體完成認證的進度。

蘇州智材的雙軌材料布局

MgO 靶材的開發，符合蘇州智材在兩個相互關聯領域的定位：高溫超導材料與半導體關鍵材料。蘇州工業園區相關機構描述，該公司由國家人才計畫入選者與靶材科學家共同成立，具備氧化物靶材的研發、生產與商業化經驗。9

公司的 ReBCO 業務可提供背景參考，但與 MRAM 靶材屬於不同產品線。公開機構資料稱，蘇州智材取得出口許可，並向美國客戶交付首批 ReBCO 高溫超導靶材；相關資料同時稱其為中國唯一、全球三家具備完整 ReBCO 靶材解決方案的供應商之一。89

中國科學院相關驗證報告則指出，指定配方的蘇州智材 ReBCO 靶材，在超導轉變溫度與臨界電流密度方面，與同規格日本進口靶材相當，差異處於實驗誤差範圍內；但前提仍包括批次穩定性與放大生產穩定性。33

這段經驗讓 MgO 業務在策略上具備連貫性：兩者都依賴高難度氧化物靶材製程，以及能穩定支援薄膜沉積的材料品質。然而，MRAM 產品的商業考驗不會停留在規格表上。真正關鍵的證據，將是獨立的批次一致性數據、客戶晶圓廠認證、MTJ 電性表現、可靠度測試、生產良率與持續回購。

結論：重要的國產化里程碑，但還不是全面替代的終點

蘇州智材據報完成的 6 吋 MgO 靶材，最適合被理解為中國 MRAM 供應鏈上一項具潛在戰略價值的國產化里程碑，而不是中國已完全消除外國依賴、或已大規模取代進口的證明。其 4N 純度與超過 99.8% 致密度，與公開報導所列日本靶材致密度基準相比具競爭力；更重要的意義，在於中國 MRAM 產業多了一個本土供應關鍵 MTJ 材料的選項。214

MRAM 本身仍在汽車、航太、工業控制與邊緣運算等領域持續推進，但商業化速度與市場規模仍存在高度不確定性。對蘇州智材而言，下一個真正重要的里程碑，不是再公布一項材料規格，而是取得可由獨立資料佐證、能在實際產線中重複驗證的量產資格。

蘇州智材科技據報完成一款 6 吋高純度、高致密度氧化鎂（MgO）濺鍍靶材，供 MRAM（磁阻式隨機存取記憶體）的磁性穿隧接面（MTJ）製程使用。公開報導所列規格包括 4N 純度，也就是 99.99%；致密度則超過 99.8%，晶粒均勻性被描述為達到國際先進水準。另有產業報導將其致密度與日本主流同類靶材所列的「超過 99.7%」相比較。214

不過，這項消息最需要注意的是證據層級。現有公開資訊稱該產品已取得 MRAM 磁性穿隧接面生產資格，但沒有提供獨立客戶數據，涵蓋晶圓批次、電性結果、可靠度、良率或長期量產規模。因此，與日本靶材的比較可視為公開報導中的參考基準，而不是完整的產品對產品驗證紀錄。

MgO 為何是 MRAM 的關鍵材料？

MRAM 儲存資料的方式，並非像傳統電荷型記憶體那樣依靠電荷長期留存，而是利用磁性層之間的相對磁化方向來代表資料。在 MTJ 中，MgO 位於磁性層之間，扮演超薄絕緣障壁的角色。

因此，MgO 的材料品質與沉積特性，會牽涉到穿隧接面的電性、元件一致性，以及製造過程能否穩定重複。中國工程研究界也已將高純度、高致密度的 MgO 磁性穿隧接面濺鍍靶材列為新型記憶體研發與產業化的重要方向，並強調要控制雜質，以及改善靶材的微觀結構、晶粒尺寸、晶向、分布、均勻性與缺陷密度。4

這也說明，靶材雖然只是記憶體中的一項材料，戰略價值卻可能相當高。單一純度數字並不能直接證明元件性能；晶圓廠還需要確認濺鍍行為是否穩定、薄膜是否均勻、MTJ 電性是否符合要求，以及不同生產批次能否維持良率與可靠度。

這款靶材的公開規格如何解讀？

目前報導聚焦於三項指標：

• 6 吋尺寸： 這是面向半導體濺鍍設備與 MRAM 製程開發的靶材規格。
• 4N 純度： 代表 MgO 純度為 99.99%。材料產業資料將 4N 純度與磁記錄及薄膜應用列在相近範圍，但半導體製程的實際要求仍會依應用與工藝而異。15
• 致密度超過 99.8%： 略高於現有比較資料中所列日本主流 MgO 靶材「超過 99.7%」的數字。14

這個致密度差距在紙面上並不大，不能據此斷言蘇州智材的產品全面優於日本同類材料。濺鍍靶材真正的實用考驗，是能否在客戶指定的製程條件下，持續提供所需的薄膜均勻性與元件結果。現有公開資料並未提供受控的 MRAM 並列驗證報告。

是否真的補上中國 MRAM 的「最後一個外國缺口」？

產業報導將這款靶材描述為完成中國 MRAM 靶材體系的國產供應，並移除國內 MRAM 中試線過去由海外供應商控制的瓶頸。2 另一份報導則稱，這項成果讓中國 MRAM 製造商與研究機構取得可自主掌控的國產材料選項。14

這些供應鏈意義不容忽視，但仍應精確表述。現有證據支持「中國出現了據報符合 MRAM 使用要求的國產 MgO 選項」，卻不足以證明每一座中國 MRAM 晶圓廠都已完成導入，也不能證明進口需求、雙供應商壓力或出口相關風險已經完全消失。

日期也存在需要釐清之處。所提供資料中，最直接相關的 MRAM 靶材公告日期為 2026 年 8 月 12 日；8 月 21 日的紀錄則涉及一項高均勻性氧化物靶材製備方法的中國專利申請公開。現有來源沒有證明專利公開日就是 MRAM 靶材取得生產資格或公告突破的日期。12

MRAM 為何受到產業關注？

MRAM 的吸引力，在於它試圖結合非揮發性、低延遲與高寫入耐久度。資料在斷電後仍可保留，同時具備快速存取的潛力，對需要快速重新啟動、頻繁更新、穩定回應或承受電力中斷的系統特別有吸引力。

目前報導與文件提及的應用方向包括：

• 汽車控制器： 嵌入式 MRAM 可作為車輛控制系統中的本地非揮發性程式碼與資料儲存。另有報導稱，中國車控 MCU 已搭載 16 MB 車規級 MRAM，並進入穩定量產交付；但這項產品進展與蘇州智材的靶材公告是兩件不同的事。47
• 航太與國防： Everspin 將其 STT-MRAM 產品定位為供航太、國防及其他任務關鍵嵌入式系統使用的非揮發性記憶體。7
• 邊緣運算與 AI 控制器： 嵌入式 MRAM 正被探索用於需要本地化、低功耗記憶體的先進製程系統。市場資料提到 22 nm 與 28 nm 嵌入式製程已有資格認證，但這類市場報告不應被解讀為所有晶圓代工廠都已提供相同製程。17
• 高風險與嚴苛環境： MRAM 展示與產業報導強調其非揮發性、寬溫運作及抗輻射相關特性，例如飛控系統。不過，這些能力取決於完整記憶體設計與驗證，不能只由 MgO 靶材一項材料規格推導出來。52

部分業界評論將 MRAM 描述為接近 DRAM 的速度，或宣稱其延遲約為 NAND 的千分之一。現有資料未能獨立證實「NAND 千分之一延遲」是普遍適用的基準，因此這個數字較適合視為行銷式比較，而非通用效能結論。

MRAM 產業確實在前進，但市場預測差異極大

MRAM 的產業活動已涵蓋獨立式記憶體、嵌入式記憶體、汽車電子與特殊用途系統。現有報導提到亞洲首款 8 nm 嵌入式 MRAM AI 晶片流片、搭載 SOT-MRAM 的無人機完成試飛，以及青島完成 8 吋 MRAM 生產線等進展。這些事件分別處於流片、示範與生產線建置等不同階段，不能直接視為已形成大規模商業量產。5152

市場預測的落差尤其明顯：有預測估計，全球 MRAM 市場將由 2025 年的 44.9 億美元增至 2034 年的 867.8 億美元，年複合成長率為 38.97%；另一份預測則估計市場將由 2026 年的 44.3 億美元增至 2031 年的 182.4 億美元，年複合成長率為 32.72%。還有估算將 2026 年市場規模列為 11.8 億美元，2034 年為 46.5 億美元。172030

如此大的差距，意味著目前不能把任何單一預測視為市場共識。較穩妥的結論是：MRAM 正吸引大量研發與投資，但最終市場規模仍取決於客戶採用速度、製造成本、技術路線，以及嵌入式記憶體完成認證的進度。

蘇州智材的雙軌材料布局

MgO 靶材的開發，符合蘇州智材在兩個相互關聯領域的定位：高溫超導材料與半導體關鍵材料。蘇州工業園區相關機構描述，該公司由國家人才計畫入選者與靶材科學家共同成立，具備氧化物靶材的研發、生產與商業化經驗。9

公司的 ReBCO 業務可提供背景參考，但與 MRAM 靶材屬於不同產品線。公開機構資料稱，蘇州智材取得出口許可，並向美國客戶交付首批 ReBCO 高溫超導靶材；相關資料同時稱其為中國唯一、全球三家具備完整 ReBCO 靶材解決方案的供應商之一。89

中國科學院相關驗證報告則指出，指定配方的蘇州智材 ReBCO 靶材，在超導轉變溫度與臨界電流密度方面，與同規格日本進口靶材相當，差異處於實驗誤差範圍內；但前提仍包括批次穩定性與放大生產穩定性。33

這段經驗讓 MgO 業務在策略上具備連貫性：兩者都依賴高難度氧化物靶材製程，以及能穩定支援薄膜沉積的材料品質。然而，MRAM 產品的商業考驗不會停留在規格表上。真正關鍵的證據，將是獨立的批次一致性數據、客戶晶圓廠認證、MTJ 電性表現、可靠度測試、生產良率與持續回購。

結論：重要的國產化里程碑，但還不是全面替代的終點

蘇州智材據報完成的 6 吋 MgO 靶材，最適合被理解為中國 MRAM 供應鏈上一項具潛在戰略價值的國產化里程碑，而不是中國已完全消除外國依賴、或已大規模取代進口的證明。其 4N 純度與超過 99.8% 致密度，與公開報導所列日本靶材致密度基準相比具競爭力；更重要的意義，在於中國 MRAM 產業多了一個本土供應關鍵 MTJ 材料的選項。214

MRAM 本身仍在汽車、航太、工業控制與邊緣運算等領域持續推進，但商業化速度與市場規模仍存在高度不確定性。對蘇州智材而言，下一個真正重要的里程碑，不是再公布一項材料規格，而是取得可由獨立資料佐證、能在實際產線中重複驗證的量產資格。