三星率先開火！HBM4E 大戰正式揭幕

HBM4E 技術規格：一次世代級躍進

全新的 HBM4E 帶著為大型語言模型（LLM）與次世代 AI 系統設計的顯著效能增益登場 。三星官方公布的規格，將這款 12 層堆疊產品描述為在運算速度與資料中心等級功耗效率上都達到最佳化的方案。

三星是透過先進封裝、全新低功耗設計和架構最佳化的組合，實現了上述的速度與效能提升 。由於 HBM4E 與已經量產的 HBM4 共享相同的 1c DRAM 製程及 4 奈米基礎晶片架構，一般預料從樣品階段邁向量產的過程會比以往更為順暢 。

股市反應：歷史性的市值里程碑

這次的樣品出貨，為三星本已強勁的股價走勢注入一劑強心針。2026 年以來，隨著三星逐步縮小在 AI 記憶體領域與 SK 海力士的差距，股價便持續上攻 。

更宏觀的圖像則更加戲劇化。三星普通股與特別股的合併市值，在 5 月 29 日當天首次突破 2,000 兆韓元大關，為該公司與韓國股市寫下歷史性的一頁 。這波漲勢是 2026 年整體飆升的一部分，早在當年 2 月，因 HBM4 開始量產，三星股價已在史上首度突破 180,000 韓元 。分析師強調，HBM4E 樣品的發布，使三星顯著領先同業；SK 海力士預計要到 2026 下半年才會交付 HBM4E 樣品，量產則訂於 2027 年 。

AI 記憶體稀缺浪潮：高盛預測短缺將延續至 2028 年

這場晶片大戰的脈絡，植基於一個極度緊縮的市場。高盛分析師 Giuni Lee 與 James Schneider 在六月初的一份報告中指出，這個由 AI 驅動的記憶體超級循環將「更高更久」，2027 年的供需失衡會比 2026 年更嚴峻，並將短缺局面一路延續至 2028 年 。

關鍵市場預測

高盛據此大幅上修其對記憶體市場的預測，並點出幾個重要趨勢：

• 價格飆升：高盛現在預期，2026 年 DRAM 平均價格的年增率將超過 300%，NAND 快閃記憶體價格則將上漲逾 250% 。
• HBM 市場爆發：該機構將 2027 年 HBM 市場規模的預測，從原先的 750 億美元大幅上調至 1,160 億美元，並預期該年 HBM 價格將再上漲 44% 。
• 供給缺口擴大：最引人注意的是，高盛將 2027 年記憶體市場的供給缺口預測，從原本的 -2.5% 大幅下修至 -5.9%，缺口幅度倍增，以實際數字說明了短缺的嚴重性 。

高盛認為，AI 伺服器的強勁需求、有限的供給成長，以及日益僵固的長期供貨協議，是造成此長期短缺的三大結構性因素。由於三星、SK 海力士和美光等主要記憶體大廠的新產能，最快要到 2027 年底或 2028 年才能開出，在供給受限下，市場的緊繃狀態不易緩解 來。

展望與潛在風險

儘管三星在 HBM4E 的樣品交付上一馬當先，但前方的挑戰依然嚴峻。這份領先優勢最終能否開花結果，取決於幾個關鍵因素。

領先優勢轉換為市場版圖

首先，三星必須確保順利從樣品階段過渡到大規模量產。目前，SK 海力士仍以約 57% 的市占率主導 HBM 市場，遠高於三星的 22% 。雖然三星在技術進程上取得領先，但要將此轉化為實際的市占率提升，還需要通過客戶驗證、設計導入（design-in）等重重關卡。

輝達 Rubin 平台的潛在催化劑

三星的 HBM4E 被視為專為輝達下一代 Rubin 平台所設計，這點賦予了該產品巨大的成長潛力 。若能成功打入 Rubin 的供應鏈，將是三星在 AI 記憶體領域收復失土的決定性戰役。

無可迴避的風險

• 需求正常化風險：若 AI 相關的記憶體需求降溫速度超乎預期，當前的短缺局面可能提前結束，衝擊記憶體價格與相關廠商的獲利。
• 競爭對手的追趕：SK 海力士與美光（Micron）並未停下腳步，兩者均積極布局 HBM4E，未來的競爭只會更加激烈 。
• 執行風險：從樣品成功到最終的商業成功，中間仍存在製程良率、量產規模擴張等執行面的不確定性，任何延遲都可能讓競爭對手有機可乘。

三星在 HBM4E 競賽中搶先開出第一槍，瞬間點燃了資本市場的熱情。然而，這場 AI 記憶體的馬拉松才剛過中段，要將短暫的技術領先，轉化為持久的市場霸權，前方的道路依然充滿變數。