璞璘科技使用其專利的 PL-AS 真空氣壓式晶圓級NIL設備,其原理則從根本上簡單得多:
最終的成果,是將製造成本壓縮至傳統DUV方案的約十分之一 。這驚人的成本節省,主要來自設備本身的巨大價差,以及壓印模板更長的使用壽命。
雖然「成本降至十分之一」的數字非常吸睛,但我們必須清楚理解這項突破的應用範圍。
璞璘此次公布的成果,是針對光子晶片——也就是應用於光達(LiDAR)、光纖通訊和先進感測器中的關鍵元件,而非你我手機裡或AI加速器中的最先進邏輯處理器 。
光子晶片所需的線寬特徵尺寸,相較於需要極紫外光(EUV)技術的3奈米以下先進製程,要求相對較低。奈米壓印技術非常適合這些需求,但它目前並非定位為直接取代EUV,應用於最先進的邏輯晶片製造上。
這項進展的重要性,遠超過單一產品的發布。
璞璘科技是繼日本Canon之後,全球第二家實現半導體等級奈米壓印系統商業化的公司,並有系統地致力於打造替代西方光刻工具的國產方案 。
早在2025年8月,璞璘便已交付了中國首台自主研發的PL-SR系列步進式奈米壓印設備,其技術指標據報可支援線寬低於10奈米的製程,並已完成在記憶體晶片、矽基微顯示器及先進封裝等領域的研發驗證 。
2026年6月的這次發布,正是在此基礎上進一步證明,該技術已能從研發階段邁向可大規模驗證的生產製造。對於面臨DUV和EUV設備出口管制日益緊縮的中國晶片製造商而言,奈米壓印技術為他們提供了一條完全採用國產工具,生產關鍵晶片類別的可行途徑。
這項技術目前也存在已知的權衡取捨,例如其疊對精度和產能吞吐量等細節,至今仍未完全公開 。但對於電晶體密度並非首要目標的光子晶片來說,奈米壓印技術的成本結構和解析度已經綽綽有餘。
璞璘的進展顯示,全球半導體設備的版圖並非鐵板一塊的壟斷局面。儘管ASML的EUV光刻機在先進邏輯製程上無可取代,但商業上可行的奈米壓印工具的崛起,為特殊製程晶片、感測器和光學元件開闢了一條平行賽道——這條賽道或將重塑供應鏈,並為新一代晶片設計者降低進入門檻。