中國晶片供應鏈變得更穩健，卻還稱不上全面自主

中國正朝更安全、更具抗風險能力的半導體供應鏈前進，但目前的證據更支持「韌性提升」，而不是「完全自主」。國產晶片製造設備與材料的種類和採用程度持續增加，政策方向也從單一技術的零星突破，轉向整合整條積體電路產業鏈。57

這兩個概念必須分開看：供應鏈韌性代表在外部供應中斷時，仍能維持生產，或以國產方案替代部分進口；完全技術自主則意味著即使在最先進製程，也能掌握所有關鍵設備、材料、軟體與製造能力。現有資料顯示，中國在前者已有進展，但尚未證明已消除尖端領域的外國技術依賴，尤其是先進光刻技術。23

哪些領域正在取得進展？

國產設備與材料加速進入生產線

中國國家發展和改革委員會（發改委）表示，國產積體電路設備與材料的種類持續擴大，在製造過程中的使用也不斷增加。對晶片製造商而言，這代表當外國供應受到限制時，手上有更多替代選項。57

這些進展並非只集中於單一晶片類型。中國官方與產業報導指出，高階晶片設計與製造能力有所改善；在功率半導體與化合物半導體等特色製程方面，也逐步形成差異化優勢。此外，先進封裝與記憶體裝置也被列為加速突破的領域。7

即使尚未在每一項尖端技術上追平國際領先者，更廣泛的本土供應商基礎仍能提高供應安全。少依賴單一海外工具、材料或零組件，就能降低某個關鍵環節中斷、進而拖慢整條生產線的風險。

從「單點突破」轉向完整產業生態系

中國目前強調的目標，已不只是展示某項技術能否突破，而是要把設計、製造、設備、材料、封裝、應用、金融與科研串聯起來，形成整合整個積體電路價值鏈的產業協同模式。57

這種轉變之所以重要，是因為晶圓廠不可能只靠一套製程配方運作。實際量產還需要相容的設備、化學材料、軟體、零組件、技術支援，以及足夠的下游需求。只要這些環節能更有效地銜接，國產技術就更有機會在商業規模上落地，即使其中部分零件的性能仍不及海外產品。

「全國一盤棋」策略要做什麼？

中國的第十五個五年規劃涵蓋 2026 至 2030 年，並將半導體列為尋求提升自主能力的重點領域。規劃相關文件提出，要在積體電路、先進設備、工具、軟體與先進材料等完整產業鏈上，推動核心技術的「決定性突破」。112

在實際執行上，這種「全國」或「舉國」模式，是希望把中央部門、科研機構、地方政府、金融資源與企業集中到核心技術瓶頸上。其方向不是讓各家企業和研究計畫各自發展，而是建立更垂直整合、由中國境內掌控程度更高的供應鏈。1

但必須留意，五年規劃反映的是政策目標與資源配置方向，並不等於相關能力已經完成。規劃中所說的「突破」，本身就是中國希望在 2026 至 2030 年期間達成的任務。112

最大未解瓶頸：先進光刻

先進光刻仍是檢驗中國能否實現尖端半導體自主化的關鍵。中國半導體企業高層已呼籲，在 2026 至 2030 年期間推動全國協同，研發能夠實際運作的國產光刻系統。2

相關報導指出，中國不同機構在極紫外光（EUV）光源、晶圓平台與光學系統等零部件上已取得進展，但要把各個部分整合成完整且可運作的系統，仍然困難重重。2

這項呼籲本身透露出一個重要訊息：零部件層面的突破，尚未等同於完整的國產尖端光刻平台。也正因如此，評估半導體供應鏈不能只看晶片產量，或單一實驗室是否做出技術成果，還要看整套系統能否穩定、持續地投入量產。

哪些已改善，哪些仍未被證明？

現有資料支持較為審慎的結論：

• 已有改善： 國產設備與材料的採用、供應鏈協調，以及功率半導體、化合物半導體、先進封裝與記憶體等特定領域的能力。57
• 仍在發展： 能涵蓋先進晶片生產各主要環節、並具備完整整合能力的國產半導體生態系。12
• 尚未由現有證據證明： 中國已在尖端技術上完全擺脫外國依賴，包括先進光刻及其他關鍵生產能力。23

因此，發改委所說供應鏈「顯著更安全」，應理解為韌性提高、國產替代能力增強，而不是中國已能在所有先進技術上追平美國、日本、荷蘭、台灣與南韓。現有來源也沒有提供一個可獨立驗證、能代表中國整體半導體自主率的單一百分比。235

結論：中國正在降低風險，不是已經完成脫鉤

在美國出口管制壓力下，中國正強化幾個直接關係到生產延續性的環節：國產設備與材料、特色晶片類別，以及設計到製造的產業鏈協作。第十五個五年規劃則試圖把全國資源集中到仍未突破的核心瓶頸上。125

目前最清楚的判斷是：中國半導體供應鏈的韌性正在提升，但全面自主尚未完成。 中國生產多種類型晶片、替代部分外國投入品的能力正在增強；然而，先進光刻等尖端能力仍是「十五五」期間的目標，而非已被現有證據充分證明的成果。127