三星 FMS 2026 記憶體藍圖：zHBM 垂直堆疊、400 層 V-NAND 量產在望，LTA 策略鞏固 AI 客戶

zHBM：垂直 HBM 概念架構

三星最受矚目的發布是 zHBM，這是一種將高頻寬記憶體 垂直堆疊在 AI 加速器正上方 的概念架構，而非傳統的並列放置於矽中介層上 。先進的晶圓鍵合技術讓這種配置成為可能 。三星聲稱，zHBM 可提供 約 HBM5 的 8 倍效能、超過 10 倍 的記憶體密度、3 倍 的能源效率，並能將熱阻降低一半以上 。需注意，zHBM 目前僅以實體概念模型（Mock-up）展出，並非量產產品，也沒有給出商業化時間表 。若此架構得以實現，將徹底顛覆過去 HBM 世代所使用的矽中介層設計 。

zNAND-O：專為邊緣 AI 設計的 3D NAND 概念

三星同時推出了 zNAND-O，這是一種結合 V-NAND 技術與矽穿孔（TSV）的產品，可將 4 或 8 個 NAND 晶片垂直封裝在單一晶片中 。此架構專為 邊緣 AI 工作負載 設計，三星強調其在空間利用率、I/O 效能和延遲方面的改善 。如同 zHBM，zNAND-O 也是概念模型，並未給出具體量產時程 。

HBM4E 樣品與 HBM5 模型

三星在展會上展示了 HBM4E 樣品 以及 HBM5 概念模型 。該公司已於 2026 年 2 月，基於其 1c DRAM 和 4 奈米製程技術，率先開始量產 HBM4，並於 5 月成為首家向全球客戶交付 HBM4E 樣品的公司 。HBM4E 的量產目標為 2027 年，將採用三星第四代 Hybrid Bonding 製程 。

LPDDR5X-PIM：記憶體內處理

三星展示了 LPDDR5X-PIM，宣稱這是業界首款具備晶片級記憶體內處理（PIM）能力的 LPDDR 記憶體 。其設計能在記憶體內部直接執行部分數據運算，減少記憶體與 CPU/GPU 之間的數據傳輸，從而提升 AI 推理效率並降低功耗 。

企業級 SSD 平台

三星也展示了專為 AI 基礎設施設計的下一代企業級 SSD 平台，分別為 PM1763 與 BM1773 。

市場背景：三星重登 DRAM 龍頭

三星 Q2 2026 DRAM 市佔率領先

根據 Counterpoint Research 的數據，三星在 2026 年第二季佔據了 全球 DRAM 營收的 39%，超越 SK 海力士的 26%（美光為 25%）。此消長主要歸因於一般型 DRAM 的強勁需求以及三星 HBM 產能持續擴大，而 SK 海力士則面臨 HBM 價格停滯的挑戰 。儘管 SK 海力士營收年增 214%，但其市佔率仍從 2025 年 Q2 的 39% 下滑至 2026 年 Q2 的 26% 。這標誌著三星在 SK 海力士短暫領先數季後，重新奪回冠軍寶座 。

策略轉向：長期 AI 客戶合約（LTA）

在 2026 年 7 月 30 日的第二季財報電話會議上，三星宣布了一項重大策略轉變：計劃將 60-70% 的總記憶體產能 納入長期供應合約（LTA）架構 。

LTA 的關鍵條款如下：

• 「5 年滾動式」合約結構：以 5 年為基礎合約期，每年續約更新 。
• 合約包含 預付金（三星表示已收取約總預付款的四分之一）以及 價格上限條款，限制每季降價幅度不得超過 5%，但漲價空間則幾乎不受限制 。
• 三星已與 五家主要全球資料中心客戶（據報導為 AWS、微軟、Google、Meta 與 Oracle）簽署 LTA，並正與另外五家客戶進行最後階段的談判 。
• 作為對比，美光（Micron）的目標是讓其「策略客戶協議」（SCA）佔其銷售額的約 50% 。

根據美銀美林（Bank of America Merrill Lynch）的調查，這些合約條款明顯對供應商有利，降價上限為每季 5%，而漲價潛力則無上限 。

FMS 2026 整體產業動能

三星並非 FMS 2026 上唯一發布新消息的公司：

• SK 海力士與 Sandisk 共同發表了首個 高頻寬快閃記憶體（HBF）標準，這是一個新的儲存層級，旨在填補 HBM 與 SSD 之間的效能差距 。HBF 規格涵蓋高達 512 GB 的容量（以 8 層與 16 層 NAND 晶片堆疊），頻寬範圍約從 0.4 TB/s 到 3.0 TB/s，並採用 Universal Chiplet Interconnect Express（UCIe）介面 。Google 與 Tenstorrent 均已加入 HBF 聯盟 。
• 鎧俠（Kioxia） 展示了其專為 GPU 直接存取優化的 GP1 系列 PCIe 6.0 NVMe SSD，並與輝達（Nvidia）共同探討 AI 基礎設施的快閃儲存應用 。鎧俠亦展示了支援液體冷卻的 CM10 系列與 NX1 系列企業級 SSD 。
• 美光（Micron） 自 2026 年 2 月起，已開始量產 9650 PCIe 6.0 企業級 SSD，成為業界首款商用 PCIe 6.0 固態硬碟 。
• SK 海力士 也在其攤位展示了第十代（V10）375 層 4D NAND，號稱能效提升 2.5 倍 。

總結： 三星在 FMS 2026 傳達的訊息關乎架構上的徹底革新——zHBM 與 zNAND-O 代表對當前記憶體設計的根本性突破，加上強勁的 DRAM 市場動能，以及透過 LTA 新商業模式鎖定 60-70% 產能給 AI 客戶的霸氣策略。更廣泛的業界趨勢也明確指向分層記憶體架構（HBM、HBF、SSD）與 PCIe 6.0 介面的加速整合，預示 AI 基礎設施記憶體領域正進入一個激烈競爭與高度創新的新時代。