AI 基礎設施需求是 2026 集成電路（無錫）創新發展大會最鮮明的主軸。大會於 8 月 31 日開幕，訊息不只是「更多 AI 晶片」：隨著運算密度持續拉高，產業的限制環節正由先進邏輯晶圓製造，移往高頻寬記憶體（HBM）、異質整合與先進封裝、供電架構、散熱，以及相應的設備與材料。 2137

2028 年 AI 資料中心投資上看 4 兆美元

SEMI 中國總裁馮莉在會中表示，預計至 2028 年，全球新建資料中心基礎設施投資可能超過 4 兆美元，其中半導體支出約為 2.8 兆美元。她也預測，全球半導體產業規模可在 2026 年底突破 1 兆美元，比先前普遍預期約 2030 年達標的時間更早。這些數字屬於會中提出的預測，並非已實現的市場規模。 2120

這代表 AI 拉動的並非僅是 GPU 或其他加速器。記憶體、高速網路、封裝、製造設備與材料都會被一併帶動；而如何把多顆晶粒與記憶體堆疊整合成高效能系統，也因此成為供應鏈的焦點。 1937

HBM 成為眼前最明顯的供給瓶頸

會中引述的預測顯示，2026 年全球 HBM 市場將成長約 58%、達到 546 億美元，規模接近 DRAM 市場的四成。不過，即使三星、SK 海力士與美光已將 70% 的新增或可調配產能優先投入 HBM，供給能力仍預計比需求少 50% 至 60%。 2126

HBM 是將多層 DRAM 堆疊、以極寬資料通道連接的記憶體，核心價值在於為 AI 加速器提供高資料傳輸頻寬。AI 系統若只有算力、卻沒有足夠記憶體頻寬，效能便難以充分發揮；也因此，HBM 的供應緊張會進一步擠壓先進封裝產能，因為記憶體堆疊、邏輯晶粒與其他元件必須在極高密度下完成連接。

先進封裝的三個關鍵：互連、供電與散熱

中國科學院微電子研究所副所長、研究員曹立強將下一階段先進封裝的方向，概括為更高密度的互連、更大且功能整合度更高的封裝、垂直化供電，以及更有效的散熱。 34

混合鍵合：把晶粒連接密度推向百萬級

曹立強指出，傳統封裝的互連密度約為每平方毫米數十個 I/O 接點；混合鍵合（Hybrid Bonding）則可超過每平方毫米 100 萬個。這類技術有望提高元件間的頻寬，緩解高度整合 AI 硬體中的記憶體與互連限制。 34

垂直供電：降低高密度運算的電力損耗

大會也提到，AI 系統的供電架構未來可能由平面的三級供電，轉向垂直化的兩級供電。目標是縮短供電路徑、減少能源損失並提高效率；在晶片與伺服器功耗同步上升的情況下，這已是系統設計的一環，而非次要工程問題。 34

散熱不再只是機房配套

隨著算力晶片與 AI 資料中心伺服器的功耗提高，熱管理正從機房端的配套要求，變成晶片、封裝與伺服器的共同設計條件。曹立強以 Nvidia 已採用的兩相浸沒式液冷為例，說明冷卻技術演進的方向。 34

與會期間的設備論壇也反映出封裝環節的重要性。論壇提及本土業者在晶圓減薄、切割及混合鍵合設備的進展，並展示 80 奈米、50 奈米與 30 奈米等不同對位精度的混合鍵合方案。 35

江蘇的布局：實驗室、平台與產業聯盟

這場大會同時也是建構區域半導體能力的平台。江蘇宣布啟動建設三座省級重點實驗室，總規劃投資超過 5 億元人民幣，並為江蘇省集成電路產業聯盟揭牌。 341

已公布的重點項目包括：

• 由長電科技（JCET）主導籌建的江蘇省高密度光電微系統整合重點實驗室，聚焦高密度光電合封、大尺寸異質整合、先進基板與 2.5D／3D 整合。 33
• 由芯朋微電子主導籌建的江蘇省智慧功率積體電路及模組重點實驗室，鎖定 AI 算力供電情境下的功率晶片、封裝整合與可靠度研究。 3338
• 2.5D／3D 先進封裝研發平台、矽基氮化鎵射頻晶片，以及高解析度電子束缺陷檢測設備等新技術與產品。 4

產業聯盟的定位是串連省內企業、大學、研究機構與公共技術平台。它的意義不只在單一產品發布，而在於協調設計、設備、封裝、材料與功率元件等多個環節，建立更完整的區域產業生態。 4142

AI Agent 時代，FPGA 開發可能加速

復旦微電子董事長兼總經理張衛認為，現場可程式化邏輯閘陣列（FPGA）的開發，可透過與 AI Agent 協作，形成更緊密的開發與驗證閉環。他表示，產品迭代周期有望由數月縮短至數週、甚至數天；復旦微電子規劃在 9 月開放 fmfpga agent 開發平台試用。 34

接下來該看什麼？

無錫大會所描繪的 AI 競賽，本質上是一場半導體「系統工程」競賽，而不只是誰能做出更先進的邏輯晶片。接下來的幾個觀察重點是：HBM 供給能否改善、混合鍵合等先進封裝技術能否以具成本效益的方式量產，以及供電與散熱架構能否跟上運算密度的上升。

對中國半導體產業而言，真正的考驗仍在執行：新實驗室、產業聯盟與設備研發，能否轉化為記憶體、封裝、材料、設備與電源管理等 AI 壓力最大的供應鏈環節之長期能力。 3335

AI 基礎設施需求是 2026 集成電路（無錫）創新發展大會最鮮明的主軸。大會於 8 月 31 日開幕，訊息不只是「更多 AI 晶片」：隨著運算密度持續拉高，產業的限制環節正由先進邏輯晶圓製造，移往高頻寬記憶體（HBM）、異質整合與先進封裝、供電架構、散熱，以及相應的設備與材料。 2137

2028 年 AI 資料中心投資上看 4 兆美元

SEMI 中國總裁馮莉在會中表示，預計至 2028 年，全球新建資料中心基礎設施投資可能超過 4 兆美元，其中半導體支出約為 2.8 兆美元。她也預測，全球半導體產業規模可在 2026 年底突破 1 兆美元，比先前普遍預期約 2030 年達標的時間更早。這些數字屬於會中提出的預測，並非已實現的市場規模。 2120

這代表 AI 拉動的並非僅是 GPU 或其他加速器。記憶體、高速網路、封裝、製造設備與材料都會被一併帶動；而如何把多顆晶粒與記憶體堆疊整合成高效能系統，也因此成為供應鏈的焦點。 1937

HBM 成為眼前最明顯的供給瓶頸

會中引述的預測顯示，2026 年全球 HBM 市場將成長約 58%、達到 546 億美元，規模接近 DRAM 市場的四成。不過，即使三星、SK 海力士與美光已將 70% 的新增或可調配產能優先投入 HBM，供給能力仍預計比需求少 50% 至 60%。 2126

HBM 是將多層 DRAM 堆疊、以極寬資料通道連接的記憶體，核心價值在於為 AI 加速器提供高資料傳輸頻寬。AI 系統若只有算力、卻沒有足夠記憶體頻寬，效能便難以充分發揮；也因此，HBM 的供應緊張會進一步擠壓先進封裝產能，因為記憶體堆疊、邏輯晶粒與其他元件必須在極高密度下完成連接。

先進封裝的三個關鍵：互連、供電與散熱

中國科學院微電子研究所副所長、研究員曹立強將下一階段先進封裝的方向，概括為更高密度的互連、更大且功能整合度更高的封裝、垂直化供電，以及更有效的散熱。 34

混合鍵合：把晶粒連接密度推向百萬級

曹立強指出，傳統封裝的互連密度約為每平方毫米數十個 I/O 接點；混合鍵合（Hybrid Bonding）則可超過每平方毫米 100 萬個。這類技術有望提高元件間的頻寬，緩解高度整合 AI 硬體中的記憶體與互連限制。 34

垂直供電：降低高密度運算的電力損耗

大會也提到，AI 系統的供電架構未來可能由平面的三級供電，轉向垂直化的兩級供電。目標是縮短供電路徑、減少能源損失並提高效率；在晶片與伺服器功耗同步上升的情況下，這已是系統設計的一環，而非次要工程問題。 34

散熱不再只是機房配套

隨著算力晶片與 AI 資料中心伺服器的功耗提高，熱管理正從機房端的配套要求，變成晶片、封裝與伺服器的共同設計條件。曹立強以 Nvidia 已採用的兩相浸沒式液冷為例，說明冷卻技術演進的方向。 34

與會期間的設備論壇也反映出封裝環節的重要性。論壇提及本土業者在晶圓減薄、切割及混合鍵合設備的進展，並展示 80 奈米、50 奈米與 30 奈米等不同對位精度的混合鍵合方案。 35

江蘇的布局：實驗室、平台與產業聯盟

這場大會同時也是建構區域半導體能力的平台。江蘇宣布啟動建設三座省級重點實驗室，總規劃投資超過 5 億元人民幣，並為江蘇省集成電路產業聯盟揭牌。 341

已公布的重點項目包括：

• 由長電科技（JCET）主導籌建的江蘇省高密度光電微系統整合重點實驗室，聚焦高密度光電合封、大尺寸異質整合、先進基板與 2.5D／3D 整合。 33
• 由芯朋微電子主導籌建的江蘇省智慧功率積體電路及模組重點實驗室，鎖定 AI 算力供電情境下的功率晶片、封裝整合與可靠度研究。 3338
• 2.5D／3D 先進封裝研發平台、矽基氮化鎵射頻晶片，以及高解析度電子束缺陷檢測設備等新技術與產品。 4

產業聯盟的定位是串連省內企業、大學、研究機構與公共技術平台。它的意義不只在單一產品發布，而在於協調設計、設備、封裝、材料與功率元件等多個環節，建立更完整的區域產業生態。 4142

AI Agent 時代，FPGA 開發可能加速

復旦微電子董事長兼總經理張衛認為，現場可程式化邏輯閘陣列（FPGA）的開發，可透過與 AI Agent 協作，形成更緊密的開發與驗證閉環。他表示，產品迭代周期有望由數月縮短至數週、甚至數天；復旦微電子規劃在 9 月開放 fmfpga agent 開發平台試用。 34

接下來該看什麼？

無錫大會所描繪的 AI 競賽，本質上是一場半導體「系統工程」競賽，而不只是誰能做出更先進的邏輯晶片。接下來的幾個觀察重點是：HBM 供給能否改善、混合鍵合等先進封裝技術能否以具成本效益的方式量產，以及供電與散熱架構能否跟上運算密度的上升。

對中國半導體產業而言，真正的考驗仍在執行：新實驗室、產業聯盟與設備研發，能否轉化為記憶體、封裝、材料、設備與電源管理等 AI 壓力最大的供應鏈環節之長期能力。 3335