三星HBM5初登場：以2奈米與革命性散熱技術，挑戰SK海力士的AI記憶體霸主地位

在時間規劃上，三星已於2026年5月開始向客戶出貨12層的HBM4E樣品，而HBM5的量產時間則預計在2028年左右 。宋在赫補充說明，HPB最終的導入時程可能會根據客戶需求和市場狀況而提前 。

競爭態勢：三星的技術超車 vs. SK海力士的市場霸權

Computex 2026清楚揭示了全球兩大HBM供應商截然不同的競爭策略：

三星的劇本：主打「技術超差距」策略——跳躍到次世代節點，並以HPB等先進散熱技術，來搶佔技術最領先供應商的地位 。在此次HBM5亮相之前，三星已是業界首家量產HBM4的廠商 。

SK海力士的回擊：加倍押注在已證明的市場主導地位與供應規模上。根據Counterpoint Research的數據，SK海力士在2026年第一季掌握了全球HBM市場58%的份額，遠高於三星的21% 。SK集團會長崔泰源在同一場合承諾，將在五年內將晶圓產能提高一倍，理由是預期到2030年前記憶體都將供不應求 。

輝達的立場：執行長黃仁勳在Computex上公開讚揚SK海力士的成功，對三星則是隻字未提，突顯了SK海力士目前作為輝達AI繪圖處理器主要HBM供應商的強勢地位 。然而，輝達向來以雙供應商策略來維持議價能力，這也讓三星依然有機會角逐未來的AI加速器世代訂單 。

為何散熱成為決定性戰場？

隨著HBM堆疊朝向16層、20層邁進，散熱問題已成為AI加速器效能的主要瓶頸 。HBM的晶粒是垂直堆疊並與邏輯晶片緊密整合，這意味著積聚在層間的熱能會劣化訊號完整性、增加功耗，並縮短元件壽命。

三星的HPB正是從架構層面來解決此一問題。有別於單純仰賴外部冷卻方案，HPB會在晶片自身的物理層（PHY）中建立專用的熱量傳輸通道，能更有效率地將熱能從堆疊中導出 。三星表示，這項設計已在HBM4E上針對結構完整性、封裝穩定性及散熱性能完成了全面驗證 。

SK海力士同樣也在競相布局下一代的HBM散熱技術，但三星將籌碼公開押注在HPB上，表明了其相信散熱創新——而不只是單純的堆疊高度——是能戰勝對手供應鏈優勢的關鍵 。鑑於HBM市場在本屆Computex前後已被預測將持續供不應求，且AI加速器路線圖對更高速記憶體的需求有增無減，誰能贏得這場散熱技術之爭，誰就可能搶下輝達下一代Rubin平台及未來產品的設計席次。