高頻寬快閃記憶體 (HBF) 標準出爐：SK 海力士與 SanDisk 聯手打破 AI 記憶體瓶頸

FMS 2026 發表的標準規格

2026 年 8 月 4 日，在美國聖克拉拉舉行的「未來記憶體與儲存大會」(FMS) 上，SK 海力士與 SanDisk 正式透過開放運算計畫 (OCP) 發布了首版 HBF 技術規格 。重點摘要如下：

• 此規格為開放且免授權金的，旨在推動廣泛的產業採用 。
• 該規格奠基於 2026 年 2 月啟動的 HBF 聯盟工作小組，該小組則源於 2025 年 8 月雙方簽署的合作備忘錄 。

技術細節

堆疊配置與容量

• NAND 堆疊： 提供 8 層與 16 層兩種配置 。
• 每模組最大容量： 最高可達 512 GB 。
• 第一代模組： SanDisk 將採用 16 層堆疊 。

頻寬等級

規格定義了三種效能等級 ：

SanDisk 已明確表示，其第一代 HBF 的目標讀取頻寬為 1.6 TB/s，大約相當於一個 HBM4 堆疊的頻寬，但容量約為其 10 倍 。

互連介面

• 此標準採用 平行、高速的記憶體匯流排，直接連接至 GPU/加速器，類似 HBM 的介面，而非 PCIe/NVMe 儲存協議 。
• 實體與電氣規格皆已發布於 OCP 開放硬體框架之下 。

聯盟成員與產業合作夥伴

HBF 聯盟由 SK 海力士與 SanDisk 主導。目前已有兩家重要的產業參與者公開加入：

• Google —— 加入以支持生態系的發展 。
• Tenstorrent —— 這家 AI 晶片新創公司在標準化過程中加入了聯盟 。

其他參與者尚未正式公布，但據報導，三星 (Samsung) 正在開發自家的 HBF 技術（詳見競爭格局）。

商用化時程

• HBF 記憶體樣品： 預計在 2026 年下半年 由 SanDisk 提供 。
• 首批搭載 HBF 的 AI 推論裝置： 預計在 2027 年初 開始送樣 。
• 量產目標： SanDisk 規劃在 2026 年下半年建立試產線，並於 2027 年進入量產 。
• FMS 大會上的公告並未更新產品時程；這些時間表仍基於先前公司的指引 。

競爭格局

HBF 領域正在崛起，主要有三種不同的技術路徑：

各技術路徑的主要差異

• 架構差距： HBF（SK 海力士/SanDisk 與三星的方案）透過 TSV 堆疊將 NAND 直接連接到 GPU 記憶體匯流排——實現 1.6+ TB/s 的頻寬，可與 HBM 媲美。鎧俠的方案則將 NAND 保留在 PCIe 上，提供約 64 GB/s 的頻寬——低了許多，但每個模組的容量更高（5 TB），且整合更簡單 。
• 開放 vs. 專有： SK 海力士/SanDisk 的規格透過 OCP 開放。三星與鎧俠則走專有設計路線。
• 時程： 聯盟比三星公開的時間表領先約 12-18 個月；鎧俠的 GP 系列 SSD 更接近量產，但服務於不同的效能層級。