北京這條傳聞中的產線,最重要的關鍵字是「研發與試產」,而不是「大規模量產」。
據路透社引述知情人士報導,長鑫存儲(ChangXin Memory Technologies,CXMT)正規劃在北京新廠設立 NAND 快閃記憶體的研發生產線,並已在北京成立研究院,將 NAND 開發列為專案之一。這代表以 DRAM 為核心的 CXMT,可能開始跨入 SSD、資料中心儲存等所需的非揮發性記憶體領域;不過,現階段並沒有公開的商用大量生產計畫。
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CXMT 為何要跨入 NAND?
DRAM 與 NAND 都是記憶體,但在系統中的工作不同:DRAM 是處理器高速運算時使用的工作記憶體;NAND 則能在斷電後保留資料,是 SSD、手機儲存空間及資料中心儲存設備的基礎。
若 CXMT 取得 NAND 能力,理論上便能向既有或潛在客戶提供更完整的記憶體組合,而不只供應 DRAM。路透社指出,CXMT 已與潛在客戶討論這項 NAND 計畫,其中包括一家希望為 AI 系統與超級電腦採購儲存晶片的新創公司。這顯示公司一面推進技術研發,也在測試未來需求,但不等於已簽定量供貨合約。
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此時切入也有市場背景。AI 基礎建設拉高記憶體需求,產業高階主管預期供應壓力至少延續至 2027 年;同時,主要廠商將更多投資放在 DRAM 與高頻寬記憶體(HBM),NAND 新增供應因此受到限制。
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對 YMTC 是正面交鋒,對國際大廠則是長線變數
過去,中國記憶體業者的分工相對明確:CXMT 主要做 DRAM,長江存儲(Yangtze Memory Technologies Co.,YMTC)則是 NAND 專業廠。若 CXMT 的 NAND 專案落實,兩者的產品邊界將變得更模糊。
事實上,這種交叉已開始出現。路透社亦報導,YMTC 已向客戶送出低功耗 DRAM 樣品;換言之,原本「CXMT 做 DRAM、YMTC 做 NAND」的格局,正逐漸鬆動。
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放到全球市場,CXMT 未來可能成為三星電子、SK hynix 與美光之外的另一個 NAND 競爭者。不過,不能把北京研發線直接等同於已具備國際大廠的技術、產量、良率或客戶認證能力:已知規劃仍是研發與試產,而既有業者經營的是成熟的商用 NAND 量產事業。
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最關鍵的問題,現在都還沒有答案
目前公開資訊尚未交代下列執行細節:
- **何時啟用:**沒有披露這條研發線的實際運轉日期。
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- **是否轉入量產:**CXMT 尚未公開確認試產線日後會否升級為高產量 NAND 晶圓廠。
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- **採用何種技術:**沒有製程節點、堆疊層數、NAND 架構,也沒有指名任何堆疊或鍵合技術。
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- **產能與商業進度:**尚無每月晶圓投片、良率、出貨時間、銷售目標或商用供應量等數據。
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這些缺口很重要。研發與試產線能累積製程經驗、做出客戶驗證樣品,但本身不代表短期內會增加大量 NAND 供給。因此,目前並沒有足夠公開證據顯示 CXMT 的 NAND 能很快舒緩儲存記憶體短缺,或迅速成為 SSD、伺服器儲存市場的重要供應來源。
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不要把 CXMT 的不同專案混為一談
北京第二座記憶體廠:是另一項可能的擴產
路透社 8 月曾報導,CXMT 正考慮在北京亦莊建設第二座 12 吋記憶體晶圓廠,並與具地方政府背景的科技製造中心洽談資金。該報導描述的是潛在產能擴張,並未確認此案就是商用 NAND 廠,也沒有提出確定的 NAND 量產時程。
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HBM 是以 DRAM 為基礎的另一條路線
CXMT 也傳出已小量生產 HBM3E,阿里巴巴旗下平頭哥與寒武紀等中國晶片設計商正以其處理器進行測試。HBM 是為 AI 運算設計、由多層 DRAM 堆疊而成的高頻寬記憶體,不是 NAND 快閃記憶體。
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另有報導稱,CXMT 早期 HBM3 試產良率約為 25%,而業界引用的量產基準約為 80%。這項數字談的是 HBM 製造,不能當成 NAND 良率,也不能據此判斷北京 NAND 研發線的進展。
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尚無證據可為北京 NAND 線指定 XStacking 路線
9 月 18 日的路透社報導未提到 XStacking,也沒有點名任何其他 NAND 鍵合或堆疊製程。依目前可得資訊,無法將特定 NAND 技術、製程節點或量產路線歸屬於這項北京計畫。
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觀察重點:從「研發線」走到「市場供應」還有一大段路
CXMT 傳聞中的北京 NAND 計畫具有策略意義:它可能讓公司由 DRAM 延伸至互補的儲存型記憶體市場,也可能加劇中國境內與 YMTC 的競爭,並在長期為全球 NAND 市場增加一位挑戰者。
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但截至目前,較準確的定位仍是早期研發與試產。真正會讓它成為重大市場事件的訊號,包括產線啟用日、技術規格、客戶認證、商用產能、良率,以及是否決定推進大規模量產;這些資訊目前都尚未公布。