全球記憶體晶片多頭行情正在失去動能：五大關鍵因素解析

全球記憶體晶片市場在2026年上半年經歷了史上最猛烈的多頭行情之一，但這股漲勢正在快速降溫。根據TrendForce的最新預測，2026年第三季傳統DRAM合約價格的季增幅僅為13–18%，與第一季飆漲90–95%、第二季飆升58–65%的驚人漲幅相比，出現了戲劇性的回落。

以下是導致這波記憶體榮景趨緩的五大關鍵因素。

1. DRAM價格漲幅從歷史高點急遽崩落

2026年第二季，傳統DRAM合約價格較前一季上漲約58–65%，而在第一季，漲幅更高達創紀錄的90–95%。然而，這個驚人的漲速如今已急遽放緩。

TrendForce最新的記憶體定價調查預測，2026年第三季傳統DRAM合約價格的季增幅僅為13–18%，部分預測甚至落在13–17%之間。此一降溫主要源於兩個因素：基期效應，即與已處高點的價格相比，進一步大幅上漲的難度增加；以及消費者的價格承受力極限——個人電腦與智慧型手機製造商正抵制創紀錄的合約價格，限制了價格進一步上漲的空間。

關鍵在於，價格仍在上升——這並非價格下跌——但漲幅正急遽收窄。

2. 摩根士丹利已將此循環標記為「晚期」

摩根士丹利一直是市場關注記憶體循環動向的焦點，其看法已轉趨謹慎。

2026年6月，該行警告，飆升的記憶體價格可能引發「晶片通膨」（chipflation），使設備製造商面臨利潤壓力。到了7月，摩根士丹利亞洲科技團隊表示，AI驅動的儲存熱潮正在接近一個轉折點，記憶體定價動能可能在2026年第四季達到高峰。

該行結論的核心是，即便循環本身尚未結束，價格的「變化率」正在觸頂。與此同時，摩根士丹利也稱這波股票拋售是「買進機會」，並表示修正似乎已結束，這為投資人釋放出有些混雜的訊號。

3. 主要記憶體類股經歷嚴重回跌

在12個月內飆漲超過600%之後，AI記憶體類股已回吐了30%至50%的漲幅。此次拋售範圍廣泛且跌幅頗深：

• 美光科技（Micron Technology） 股價自高點下跌約33%；7月下旬單日重挫7%，跌勢延續至8月。
• SanDisk 在一個月內暴跌45%，因其財測低於市場預期，單日跌幅達11%。
• SK海力士（SK Hynix） 在南韓主導的賣壓中下跌6%，隨後因董事會批准高達380億美元的新晶圓廠投資計畫，股價再跌5%。
• Roundhill Memory DRAM ETF 自高點下跌約30%，反映了整體類股的廣泛回調。

截至2026年8月初，美光、三星、SK海力士以及DRAM ETF的股價，均自近期收盤高點下跌超過20%，這使其成為2026年最熱門的交易之一，但如今已落入熊市領域。

4. 中國生產商CXMT與YMTC增加供給壓力

分析師指出，來自中國記憶體製造商的供給增加，是一個關鍵的轉折點風險。

• 長鑫存儲（CXMT） 目標是在2028年前將其DRAM產能提升近一倍，為先前極度吃緊的市場增加可觀的供給量。
• 長江存儲（YMTC） 也在擴張NAND Flash產出，引發市場對2026年底及2027年可能供過於求的擔憂。

分析師與機構投資者將此視為一項結構性風險：當超大規模資料中心的需求成長開始趨緩時，來自中國的供給增加，可能使市場轉為供過於求。

5. 消費端需求觸及成本上限

創紀錄的合約價格，如今正與消費者的價格承受能力極限產生衝突。TrendForce指出，個人電腦和智慧型手機等消費市場的客戶已達到其購買力上限，導致2026年第三季的價格漲幅趨於溫和。

與此同時，部分分析師注意到，HBM（高頻寬記憶體）的特定短缺正在緩解，因為供給正逐漸趕上與NVIDIA相關的需求，這可能使此波多頭行情的關鍵驅動力之一減弱。

結論：這是「暫停」還是真正的循環轉折？

記憶體循環目前仍在正區間——2026年第三季價格仍在上漲。但漲幅已從第一、二季的暴漲階段急遽放緩。分析師的「循環晚期」論調、類股的大幅修正、消費者的價格阻力，以及中國產能即將擴張等因素，都指向價格上漲動能將在今年稍晚觸頂。

摩根士丹利自身也承認了這些晚期循環的訊號，但同時主張由AI驅動的結構性短缺將持續到2027–2028年。投資人之間的核心辯論，在於這是長期多頭循環中的一次「暫停」，還是真正景氣低迷的開始。就現有證據來看，市場傾向於「改善速度」已觸頂——但這不一定代表絕對價格已經見頂。