三星據報同意在輝達客製化高頻寬記憶體 NVHBM 上,採用台積電的 3 奈米製程製造基底晶粒。這和三星過往偏好自行生產 HBM 基底晶粒與記憶體晶粒的做法不同,但目前看來更像是配合輝達產品規格的一次特例,而不是三星全面放棄自家的一條龍模式。相關安排尚未獲各公司正式證實。
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輝達據報要求供應商採用共同規格
根據媒體引述業界消息人士的報導,輝達要求三星、SK 海力士與美光為 NVHBM 的基底晶粒採用台積電 3 奈米製程,堆疊在上方的核心晶粒則使用第六代 1c DRAM。三星據報在內部評估後接受了這項要求。
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兩種晶粒的功能不同:基底晶粒位於 HBM 堆疊底部,主要負責邏輯功能;核心晶粒則是上方一層層堆疊的記憶體。若供應商依照共同規格製造,輝達就能以較一致的平台整合不同來源的記憶體;但這不代表各家成品完全相同,也不表示所有相關細節都已獲獨立證實。
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「一條龍」只在這款產品上有所退讓
三星所稱的一條龍模式,指的是由自家同時生產邏輯基底晶粒與記憶體晶粒。依據目前的報導,NVHBM 將由台積電提供基底晶粒的製程,三星則繼續擔任記憶體供應商。換言之,若消息屬實,三星讓出的只是這款產品其中一個製造環節,並非整個 HBM 業務。
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報導也指出,三星仍會為標準 HBM 產品自行製造基底晶粒。這比較像是依照輝達的特定規格調整供應方式,而不是全面轉向外部代工。
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為什麼基底晶粒成為關鍵
NVHBM 的設計據報將記憶體控制器從處理器晶粒移至 HBM 基底晶粒,使它不再只是堆疊記憶體的底座,而是承擔更多邏輯功能的元件。
40 輝達表示,相較標準 HBM4E,NVHBM 的頻寬最高可提升 30%,HBM 耗電可降低 15%。這些數字是產品宣稱,不代表每種系統都能實現相同幅度的提升。
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基底晶粒承擔更多功能,也有助理解為何其製程會成為報導中的焦點。不過,現有資料描述的是一項據報提出並獲三星接受的要求,並非公開的技術文件;實際效能與量產成果仍待確認。
目前能確定與不能確定的事
如果報導正確,這項安排顯示輝達有能力影響多家記憶體供應商為客製產品採用的製程規格。對三星而言,取捨是:NVHBM 的基底晶粒不再完全由自家製造,但可配合輝達指定的製程要求。
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仍須留意消息的界線:路透社報導這項說法時,來源是《首爾經濟日報》的報導;另一篇報導則指出,各公司尚未確認具體製造安排。
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35 因此,關於良率比較、三星是否會以自家製程作為備案,以及台積電產能細節等說法,都不應視為已確立的結果。
目前最穩妥的解讀是:三星的「一條龍」模式可能因 NVHBM 的客戶規格而變得更有彈性,但尚無證據顯示它已經過時。三星據報會為這款輝達產品採用不同安排,同時仍可在其他 HBM 產品上維持自家製造。