高盛：中國先進晶片自給率2035年可升至約66%

高盛的2026年預測，重點不是中國將在2035年完全擺脫海外晶片供應商，而是其對先進半導體的依賴程度可能大幅下降。按照模型，中國7奈米及以下晶圓的國內供應量，將以遠快於需求的速度增加，2035年達到每月約41萬片；同期需求預估為61.9萬片，供應可覆蓋約66%，仍留下約34%的缺口。26

換句話說，這是一個有條件成立的產能擴張情境，而不是已經獲得驗證的自給率目標。結果取決於持續投資、新增產能、製程良率改善，以及中國能否繼續取得運作先進晶圓廠所需的設備與零組件。

供應增長遠快於需求，但缺口仍會存在

高盛預估，2025年至2035年間，中國7奈米及以下晶圓供應量的年複合成長率（CAGR）可達46%，遠高於同期國內需求預估的17%。需求成長主要受到AI伺服器工作負載推動。210

按照這組數字推算：

• 2025年： 國內供應約只能覆蓋需求的8%，短缺率約92%。
• 2035年： 每月供應量增至約41萬片，需求則達61.9萬片。
• 剩餘缺口： 每月約20.9萬片，相當於預估需求的34%。68

這也說明了為什麼這項預測值得關注，卻不能直接解讀為「完全自給」。在高盛模型中，中國到2035年或可生產自身所需先進製程晶圓的大部分，但超過三分之一的需求仍須依靠進口或境外產能。

AI投資同時推高需求，也提供擴產資金

AI基礎設施是這項預測的兩大支柱。一方面，高盛預期AI伺服器晶圓需求年複合成長率約42%，先進處理器及相關記憶體將成為半導體需求的重要來源。1016

另一方面，高盛已將中國半導體業資本支出預測上調至2030年約820億美元，並預期此前維持雙位數年增長。1720該行另估計，阿里巴巴、騰訊、字節跳動與百度在2026年的AI相關資本支出合計約1,020億美元。2022

這些支出不會自動轉化為可使用的先進晶片，但可支持更廣泛的產業建設，包括晶圓廠、製造設備、先進封裝、國產供應商，以及帶動AI加速器需求的資料中心。預測能否實現，很大程度取決於這波投資是否能持續足夠長的時間，支應多輪擴產與製程改善。

SMIC是能否達標的關鍵執行者

這項先進邏輯製程情境高度依賴中芯國際（SMIC）。高盛的假設包括：SMIC在2026年至2031年間，每年增加約3萬至5萬片的先進製程月產能；2032年至2035年，再以每年約2萬片的速度增加。912

但產能只是計算的一部分。高盛同時假設，先進製程良率將由2026年的約23%，提升至2030年的50%，並在2035年達到75%。910

良率是指製造出的晶粒中，符合規格、可供使用的比例。晶圓廠即使擁有大量設備與名義產能，若缺陷率偏高，實際可交付的晶片數量仍可能遠低於產能上限。因此，良率提升不是附帶的營運細節，而是預測供應量大幅增加的核心條件。

與台積電相比，成本壓力仍然明顯

即使SMIC在2035年達到高盛假設的75%良率，仍低於報導所引述、台積電成熟7奈米製程超過90%的良率。台積電自2018年起已大量生產7奈米晶片。13

這項比較之所以重要，是因為晶圓數量並不能單獨決定競爭力。良率較低，代表要投入更多晶圓，才能取得相同數量的合格晶粒；對複雜的AI晶片而言，這會推高單位成本、降低有效產能，也讓大規模量產更加困難，即使名義上的晶圓廠產能正在擴張。

光刻設備仍是最難突破的瓶頸

高盛展望中的核心限制是光刻。中國可以透過深紫外光（DUV）設備，以及多重圖案化等技術製造7奈米級晶片；但這條路線通常比採用極紫外光（EUV）光刻更複雜、速度更慢、成本也更高。23

在相關出口限制下，中國無法取得ASML的EUV設備。因此，單靠增加資金與興建晶圓廠，並不能自行消除技術、良率與成本差距。更多設備可以擴大名義產能，但缺乏最先進光刻工具後，製程工程能力、設備可用率、零組件供應與良率改善的重要性都會提高。23

也因此，高盛的預測指向的是「降低依賴」，而非「完全獨立」。約66%的覆蓋率，建立在中國能以產能規模、持續製程學習，以及取得DUV設備與相關投入品，來部分抵銷EUV限制的前提上。

CXMT：DRAM替代進展可能快於HBM

在記憶體方面，高盛對長鑫存儲（CXMT）的展望相對樂觀。若其擴產計畫、良率爬坡與客戶驗證如預期進行，高盛預測CXMT到2028年可能供應中國約50%的DRAM需求。另有報導估計，其月產能將由2026年的27萬片，增至2028年的44.7萬片，並於2030年達到66.5萬片。5

但高頻寬記憶體（HBM）是更艱難的考驗。與高盛相關的報導預測，CXMT到2028年可能滿足中國約40%的HBM需求；不過，其他報導指出，CXMT在HBM製程技術、先進堆疊與封裝、可靠度認證及量產規模方面，仍落後三星與SK海力士。930

兩者不能混為一談：一般DRAM產能有所進展，不代表已能在AI晶片使用的HBM領域達到同等水準。HBM除了記憶體元件製造，還需要高難度的封裝、堆疊與客戶認證；先進光刻設備受限，則會進一步增加挑戰。因此，CXMT較有機會先在一般DRAM國產替代上取得成果，而不是迅速追上全球領先的HBM供應商。

哪些因素可能讓2035年結果不如預期？

高盛提出的66%是模型情境，不是已實現的產量，也不是保證達成的產業目標。它需要多項條件同時成立：

• SMIC按預期增加先進製程產能。
• 良率在預測期內由23%提升至75%。
• 中國維持半導體及AI相關資本支出。
• DUV設備、零組件與配套設備仍能取得。
• 國內客戶持續採用本土處理器與記憶體產品。
• CXMT能將擴產轉化為通過認證、具商業可用性的DRAM與HBM產出。359

若產能建設延遲、良率改善不及預期、設備供應受阻，或客戶認證進度較慢，中國對進口先進晶片的需求就會高於模型假設。

結論：大幅縮小差距，不等於站上技術最前線

高盛的預測顯示，中國到2035年可能在滿足自身先進晶片需求方面取得重大進展。若7奈米及以下晶圓供應維持46%的年複合成長率，國內供應覆蓋率將由2025年的約8%升至2035年的約66%，供應短缺率則由92%降至34%。26

但這並不是先進製程完全自給的情境。SMIC能否大幅提高良率、中國能否持續取得光刻及相關設備，以及CXMT能否完成HBM客戶認證，仍是尚未解決的關鍵變數。中國或許能顯著降低對進口先進晶片的依賴，卻仍會在技術與成本上面臨前沿市場的持續差距。