高盛的最新預測，重點並不是中國將在2035年實現先進晶片「完全自主」，而是其對進口供應的依賴可能大幅下降。

在7奈米及以下先進製程晶圓方面，中國國內供應量預計在2025年至2035年間以46%的年複合增長率上升，明顯快於同期預計的17%需求年增率。若產能擴張、製造良率與客戶認證進展符合模型假設，到2035年，國內供應可滿足約66%的需求，但仍留下34%的供應缺口。2913

2035年的關鍵數字

高盛模型估算，中國對7奈米及以下晶圓的月需求，到2035年將達約61.9萬片；國內供應則可能增至約41萬片。換言之，每月仍有約20.9萬片需要依靠外部供應。41014

指標	2025年	高盛2035年預測
國內供應佔先進晶圓需求比重	約8%	約66%
供應短缺率	92%	34%
每月國內供應量	—	41萬片
每月國內需求量	—	61.9萬片

這意味著中國的先進晶片供應結構可能在十年間出現顯著變化：2025年本土供應僅覆蓋約8%需求，到了2035年則提高至約三分之二。21214

不過，這些數字是情境預測，而非對實際產量的保證。它們建立在晶圓廠持續擴建、良率改善，以及產品通過客戶驗證等條件大致如期實現的前提上。

AI投資為何成為最大推力

這項預測與AI基礎設施投資密切相關。高盛已將中國半導體業到2030年的資本支出預測上調至820億美元，較一年前的估計高出79%，並預期到2030年前，晶片業投資將維持雙位數年增長。

需求端同樣受到中國大型科技公司的AI支出推動。高盛估計，阿里巴巴、騰訊、字節跳動與百度在2026年的AI資本支出合計約為1,020億美元。這類支出可推動資料中心、運算設備與國內晶片需求，進而提高晶圓廠擴充產能的意願。

但必須區分「需求增加」與「供應自主」。AI投資可以創造更大的晶片市場，卻不會自動解決先進製程製造所需的設備取得、製程控制與良率問題。

SMIC是能否達標的關鍵

高盛的模型假設，中芯國際（SMIC）將主導中國相當一部分先進製程產能建設。模型預期，SMIC在2026年至2031年間，每年增加約3萬至5萬片的月產能；2032年至2035年，則每年再增加約2萬片月產能。414

然而，建廠和安裝設備只是第一步。晶圓廠還必須以商業上可接受的成本，穩定生產足夠比例的合格晶片。相關分析指出，若要填補預測中的供應缺口，SMIC的先進製程良率可能需要由約23%提升至75%，相當於大幅提高，甚至接近三倍。3

因此，良率改善是高盛預測能否成立的核心條件之一。這項預測不應被解讀為SMIC將在技術上追平台積電（TSMC），而是一種情境：即使持續受制於先進設備限制，中國仍能透過擴充產能、改善製程效率，逐步提高先進晶圓的國內供應比重。8

高稼動率不等於已突破先進製程瓶頸

SMIC近期的營運表現，或許能解釋分析師為何看好其加速擴產的空間。路透社報道，SMIC月產能已達約110萬片八吋等效晶圓，產能利用率為93.7%；公司在2026年第二季亦增加了每月8,000片的12吋晶圓產能。

這些數字反映整體晶片需求強勁，也顯示SMIC正積極擴大產能。但它們本身不能證明中國已能以具競爭力的良率，大量生產7奈米及以下晶圓。真正的難題仍是先進製程的專項產出與效率，而非所有製程的總產能。

光刻設備與出口管制仍是最大風險

光刻是整個預測中最重要的制約因素。中國取得尖端半導體製造設備的能力受到限制，這使其在擴大先進製程規模，以及沿用全球領先廠商的設備路徑改善良率方面更加困難。28

相關風險彼此相扣：

• 設備取得： 出口管制限制部分尖端製造設備進入中國。
• 良率提升： 新增產能若不能同步提高良率，實際可用晶片產量就會低於名目產能。
• 國產替代： 中國設備供應商需要逐步取代受限制的海外設備，並支援穩定的大規模量產。
• 需求落地： AI需求必須維持足夠強度，才能支撐高盛預測的投資與擴產規模。

換言之，2035年仍有34%缺口並非無關緊要的誤差，而是反映光刻設備、製程能力與供應鏈限制尚未完全解決。中國或許能大幅縮小差距，但距離完全獨立仍有一段路要走。

CXMT帶來另一項記憶體挑戰

高盛對7奈米及以下晶圓的預測，主要針對邏輯晶片製程；另一項相關但不同的發展，則是長鑫存儲（CXMT）在記憶體晶片方面的擴張。

高盛預測，在資本支出、良率改善及客戶認證順利推進的前提下，CXMT到2028年或可供應中國約50%的DRAM需求。其月晶圓產能預計由2026年的約27萬片，增至2028年的44.7萬片，並在2030年達到66.5萬片。510

CXMT在高頻寬記憶體（HBM）方面的前景則更具不確定性。一項與高盛相關的預測認為，HBM到2026年可佔CXMT營收的2%，到2030年提高至27%；另一項被引用的預測則稱，CXMT到2028年可能供應中國約40%的HBM需求。這些都是對未來的情境估算，不代表CXMT目前已在高階HBM量產能力上追平三星電子或SK海力士。10

現有市場數據也顯示，CXMT與全球領先者仍有差距。Counterpoint數據顯示，2026年第一季全球DRAM市場中，三星市佔率為38%，SK海力士為29%，CXMT為8%。 CXMT若持續擴張，可能對韓國供應商在中國傳統DRAM市場的業務造成壓力，但這並不等於其已在先進HBM技術或全球供應能力上取得同等地位。

這項預測真正代表什麼？

最清晰的結論是：中國半導體產業可能在未來十年，由高度依賴進口，轉向能夠覆蓋大部分國內需求。若先進晶圓供應維持46%的年複合增長，並持續跑贏17%的需求增長，國內供應到2035年便有機會達到市場的約三分之二。213

但「66%自給率」不等於技術獨立。這個結果需要AI投資持續升溫、SMIC反覆擴充產能、先進製程良率大幅提高，以及在光刻設備限制下持續推進替代方案。任何一項假設未能實現，實際供應缺口都可能大於高盛預測。

對全球半導體市場而言，這項預測有兩層意義：一方面，中國可能成為規模更大的先進晶片供應來源；另一方面，真正難以跨越的關卡仍是設備與良率，而不只是市場需求是否存在。

高盛的最新預測，重點並不是中國將在2035年實現先進晶片「完全自主」，而是其對進口供應的依賴可能大幅下降。

在7奈米及以下先進製程晶圓方面，中國國內供應量預計在2025年至2035年間以46%的年複合增長率上升，明顯快於同期預計的17%需求年增率。若產能擴張、製造良率與客戶認證進展符合模型假設，到2035年，國內供應可滿足約66%的需求，但仍留下34%的供應缺口。2913

2035年的關鍵數字

高盛模型估算，中國對7奈米及以下晶圓的月需求，到2035年將達約61.9萬片；國內供應則可能增至約41萬片。換言之，每月仍有約20.9萬片需要依靠外部供應。41014

指標	2025年	高盛2035年預測
國內供應佔先進晶圓需求比重	約8%	約66%
供應短缺率	92%	34%
每月國內供應量	—	41萬片
每月國內需求量	—	61.9萬片

這意味著中國的先進晶片供應結構可能在十年間出現顯著變化：2025年本土供應僅覆蓋約8%需求，到了2035年則提高至約三分之二。21214

不過，這些數字是情境預測，而非對實際產量的保證。它們建立在晶圓廠持續擴建、良率改善，以及產品通過客戶驗證等條件大致如期實現的前提上。

AI投資為何成為最大推力

這項預測與AI基礎設施投資密切相關。高盛已將中國半導體業到2030年的資本支出預測上調至820億美元，較一年前的估計高出79%，並預期到2030年前，晶片業投資將維持雙位數年增長。

需求端同樣受到中國大型科技公司的AI支出推動。高盛估計，阿里巴巴、騰訊、字節跳動與百度在2026年的AI資本支出合計約為1,020億美元。這類支出可推動資料中心、運算設備與國內晶片需求，進而提高晶圓廠擴充產能的意願。

但必須區分「需求增加」與「供應自主」。AI投資可以創造更大的晶片市場，卻不會自動解決先進製程製造所需的設備取得、製程控制與良率問題。

SMIC是能否達標的關鍵

高盛的模型假設，中芯國際（SMIC）將主導中國相當一部分先進製程產能建設。模型預期，SMIC在2026年至2031年間，每年增加約3萬至5萬片的月產能；2032年至2035年，則每年再增加約2萬片月產能。414

然而，建廠和安裝設備只是第一步。晶圓廠還必須以商業上可接受的成本，穩定生產足夠比例的合格晶片。相關分析指出，若要填補預測中的供應缺口，SMIC的先進製程良率可能需要由約23%提升至75%，相當於大幅提高，甚至接近三倍。3

因此，良率改善是高盛預測能否成立的核心條件之一。這項預測不應被解讀為SMIC將在技術上追平台積電（TSMC），而是一種情境：即使持續受制於先進設備限制，中國仍能透過擴充產能、改善製程效率，逐步提高先進晶圓的國內供應比重。8

高稼動率不等於已突破先進製程瓶頸

SMIC近期的營運表現，或許能解釋分析師為何看好其加速擴產的空間。路透社報道，SMIC月產能已達約110萬片八吋等效晶圓，產能利用率為93.7%；公司在2026年第二季亦增加了每月8,000片的12吋晶圓產能。

這些數字反映整體晶片需求強勁，也顯示SMIC正積極擴大產能。但它們本身不能證明中國已能以具競爭力的良率，大量生產7奈米及以下晶圓。真正的難題仍是先進製程的專項產出與效率，而非所有製程的總產能。

光刻設備與出口管制仍是最大風險

光刻是整個預測中最重要的制約因素。中國取得尖端半導體製造設備的能力受到限制，這使其在擴大先進製程規模，以及沿用全球領先廠商的設備路徑改善良率方面更加困難。28

相關風險彼此相扣：

• 設備取得： 出口管制限制部分尖端製造設備進入中國。
• 良率提升： 新增產能若不能同步提高良率，實際可用晶片產量就會低於名目產能。
• 國產替代： 中國設備供應商需要逐步取代受限制的海外設備，並支援穩定的大規模量產。
• 需求落地： AI需求必須維持足夠強度，才能支撐高盛預測的投資與擴產規模。

換言之，2035年仍有34%缺口並非無關緊要的誤差，而是反映光刻設備、製程能力與供應鏈限制尚未完全解決。中國或許能大幅縮小差距，但距離完全獨立仍有一段路要走。

CXMT帶來另一項記憶體挑戰

高盛對7奈米及以下晶圓的預測，主要針對邏輯晶片製程；另一項相關但不同的發展，則是長鑫存儲（CXMT）在記憶體晶片方面的擴張。

高盛預測，在資本支出、良率改善及客戶認證順利推進的前提下，CXMT到2028年或可供應中國約50%的DRAM需求。其月晶圓產能預計由2026年的約27萬片，增至2028年的44.7萬片，並在2030年達到66.5萬片。510

CXMT在高頻寬記憶體（HBM）方面的前景則更具不確定性。一項與高盛相關的預測認為，HBM到2026年可佔CXMT營收的2%，到2030年提高至27%；另一項被引用的預測則稱，CXMT到2028年可能供應中國約40%的HBM需求。這些都是對未來的情境估算，不代表CXMT目前已在高階HBM量產能力上追平三星電子或SK海力士。10

現有市場數據也顯示，CXMT與全球領先者仍有差距。Counterpoint數據顯示，2026年第一季全球DRAM市場中，三星市佔率為38%，SK海力士為29%，CXMT為8%。 CXMT若持續擴張，可能對韓國供應商在中國傳統DRAM市場的業務造成壓力，但這並不等於其已在先進HBM技術或全球供應能力上取得同等地位。

這項預測真正代表什麼？

最清晰的結論是：中國半導體產業可能在未來十年，由高度依賴進口，轉向能夠覆蓋大部分國內需求。若先進晶圓供應維持46%的年複合增長，並持續跑贏17%的需求增長，國內供應到2035年便有機會達到市場的約三分之二。213

但「66%自給率」不等於技術獨立。這個結果需要AI投資持續升溫、SMIC反覆擴充產能、先進製程良率大幅提高，以及在光刻設備限制下持續推進替代方案。任何一項假設未能實現，實際供應缺口都可能大於高盛預測。

對全球半導體市場而言，這項預測有兩層意義：一方面，中國可能成為規模更大的先進晶片供應來源；另一方面，真正難以跨越的關卡仍是設備與良率，而不只是市場需求是否存在。