美光 2026 年 10 月 21 日舉行的技術網路研討會，傳達了一個明確訊息：AI 的瓶頸不只在運算晶片，記憶體與儲存也愈來愈重要。美光的技術藍圖涵蓋 DRAM、高頻寬記憶體（HBM）與 NAND，並規劃在 2027 年下半年推進兩項重要技術。至於部分報導提到的效能數字和實作細節，目前可取得的資料仍不足以逐一核實。1226

AI 不只需要算得快，也需要資料供得上

美光總裁暨技術與產品長 Scott DeBoer 主持了這場研討會。公司在 10 月 19 日宣布活動時表示，討論範圍包括 DRAM、HBM 與 NAND 的技術發展，並指出新一代 AI 基礎建設需要更高的頻寬與容量，也要更有效率地搬移、儲存和存取資料。122

會後報導進一步整理 DeBoer 的觀點：記憶體正成為影響 AI 系統效能、容量，以及「每個 token 成本」的限制因素。換句話說，AI 模型的運算能力固然重要，資料能否及時送到處理器、能否以合適成本儲存與讀取，也會左右整體系統表現。26

兩項技術預計於 2027 年下半年開始爬坡

美光預期 1-delta DRAM 製程節點與第 11 代 NAND（G11）都會在 2027 年下半年開始爬坡。這代表公司公布的未來規劃，不等於相關技術已進入大量生產。1

報導指出，G11 將跳過第 10 代，目標超過 400 層；預期位元密度將超過 G9 的兩倍，I/O 速度則為 G9 的 1.5 倍。相關報導也提到，G11 面向 AI 工作負載所需的高 IOPS、高頻寬儲存應用。這些是路線圖規格的報導內容，並非已獨立驗證的量產產品測試結果。13

HBM 與 DRAM：路線圖方向比細節更明確

研討會也談到垂直式 HBM，作為美光未來記憶體發展方向之一。技術報導將這個概念描述為把 HBM 堆疊在處理器上方；另有報導指出，美光也將發展客製化 HBM。不過，現有資料沒有充分說明其量產時程，也無法確認所有封裝與鍵合方法細節。18

在 DRAM 方面，DeBoer 不認同「4F² 設計必然比 6F² 設計更有密度優勢」的說法。美光的路線圖包含 3D DRAM，但相關報導指出，何時部署仍取決於成本、製程複雜度與元件效能等因素。26

記憶體供應可能持續吃緊

MarketBeat 報導稱，美光預期記憶體供應至少還會緊俏兩年。這是市場供需展望，並非對供需何時恢復平衡的保證；目前可取得的資料也不足以確認明確的供需轉折時間，或所有關於新產品如何影響晶圓需求的說法。3

解讀技術規格時，哪些地方仍要保留？

現有報導未能充分核實研討會相關的多項細節，包括 HBM4 單堆疊頻寬據稱達 2.8 TB/s、1-delta DRAM 位元密度提升約 20% 多，以及以 Boise 為先的生產安排，或產品鎖定 HBM5、垂直式 HBM 與邊緣推論等說法。

此外，客戶專用 HBM 基底晶粒邏輯、未來由晶圓代工廠生產基底晶粒，以及垂直式 HBM 的確切鍵合製程，也都沒有在目前資料中獲得充分確認。

較有把握的結論是，美光認為 AI 正提高記憶體與儲存的需求，並正以跨世代的 DRAM、HBM 和 NAND 技術規劃回應。整體發展方向相對清楚；至於每項規格與實作細節，仍需等待更完整的資訊。1226

美光 2026 年 10 月 21 日舉行的技術網路研討會，傳達了一個明確訊息：AI 的瓶頸不只在運算晶片，記憶體與儲存也愈來愈重要。美光的技術藍圖涵蓋 DRAM、高頻寬記憶體（HBM）與 NAND，並規劃在 2027 年下半年推進兩項重要技術。至於部分報導提到的效能數字和實作細節，目前可取得的資料仍不足以逐一核實。1226

AI 不只需要算得快，也需要資料供得上

美光總裁暨技術與產品長 Scott DeBoer 主持了這場研討會。公司在 10 月 19 日宣布活動時表示，討論範圍包括 DRAM、HBM 與 NAND 的技術發展，並指出新一代 AI 基礎建設需要更高的頻寬與容量，也要更有效率地搬移、儲存和存取資料。122

會後報導進一步整理 DeBoer 的觀點：記憶體正成為影響 AI 系統效能、容量，以及「每個 token 成本」的限制因素。換句話說，AI 模型的運算能力固然重要，資料能否及時送到處理器、能否以合適成本儲存與讀取，也會左右整體系統表現。26

兩項技術預計於 2027 年下半年開始爬坡

美光預期 1-delta DRAM 製程節點與第 11 代 NAND（G11）都會在 2027 年下半年開始爬坡。這代表公司公布的未來規劃，不等於相關技術已進入大量生產。1

報導指出，G11 將跳過第 10 代，目標超過 400 層；預期位元密度將超過 G9 的兩倍，I/O 速度則為 G9 的 1.5 倍。相關報導也提到，G11 面向 AI 工作負載所需的高 IOPS、高頻寬儲存應用。這些是路線圖規格的報導內容，並非已獨立驗證的量產產品測試結果。13

HBM 與 DRAM：路線圖方向比細節更明確

研討會也談到垂直式 HBM，作為美光未來記憶體發展方向之一。技術報導將這個概念描述為把 HBM 堆疊在處理器上方；另有報導指出，美光也將發展客製化 HBM。不過，現有資料沒有充分說明其量產時程，也無法確認所有封裝與鍵合方法細節。18

在 DRAM 方面，DeBoer 不認同「4F² 設計必然比 6F² 設計更有密度優勢」的說法。美光的路線圖包含 3D DRAM，但相關報導指出，何時部署仍取決於成本、製程複雜度與元件效能等因素。26

記憶體供應可能持續吃緊

MarketBeat 報導稱，美光預期記憶體供應至少還會緊俏兩年。這是市場供需展望，並非對供需何時恢復平衡的保證；目前可取得的資料也不足以確認明確的供需轉折時間，或所有關於新產品如何影響晶圓需求的說法。3

解讀技術規格時，哪些地方仍要保留？

現有報導未能充分核實研討會相關的多項細節，包括 HBM4 單堆疊頻寬據稱達 2.8 TB/s、1-delta DRAM 位元密度提升約 20% 多，以及以 Boise 為先的生產安排，或產品鎖定 HBM5、垂直式 HBM 與邊緣推論等說法。

此外，客戶專用 HBM 基底晶粒邏輯、未來由晶圓代工廠生產基底晶粒，以及垂直式 HBM 的確切鍵合製程，也都沒有在目前資料中獲得充分確認。

較有把握的結論是，美光認為 AI 正提高記憶體與儲存的需求，並正以跨世代的 DRAM、HBM 和 NAND 技術規劃回應。整體發展方向相對清楚；至於每項規格與實作細節，仍需等待更完整的資訊。1226