高數值孔徑 EUV 賽局：英特爾第一家量產出貨，三星與台積電選擇等待

英特爾也暗示將在即將到來的 14A 節點進一步採用此技術 。

三星：目標 2030 年 1nm（A10）導入

三星的時程表出現重大轉變。在 2026 年 NGL 會議上，三星副總裁 Park ChangMin 表示，公司計畫在 1nm（A10）節點（約 2030 年）開始將高數值孔徑 EUV 作為主要製造技術 。三星原本希望在 2nm 與 1.4nm 導入此工具，但需要進一步的技術改良 。

• 中間節點（2nm、1.4nm、早期 1nm）： 將繼續依賴傳統 0.33 NA EUV 搭配多重圖案化技術；三星已明確排除在這些節點採用高數值孔徑 EUV 。

儘管量產時程趨於保守，三星已安裝兩套高數值孔徑 EUV 系統——2025 年在華城廠安裝一套，2026 年上半年安裝第二套——總投資超過 1 兆韓元 。然而，公司為控制成本而暫緩量產部署 。

2025 年初曾有報導暗示三星可能在 2nm 節點為 Exynos 2600 與特斯拉新一代 AI 晶片導入高數值孔徑 EUV ，但三星高層的最新說法直接推翻了先前預期 。

台積電：至少延至 2029 年

台積電是態度最審慎的一家。執行長魏哲家在 2026 年 Q2 法說會上表示，從 2nm（N2）到 A16 與 A14 節點都不需要高數值孔徑 EUV，導入與否取決於技術能力、客戶成本敏感度與設備成熟度 。

• 目標節點與年份： 報導指出，台積電預計 2029 年推出的 A13 與 A12 節點都不預期需要高數值孔徑 EUV 。部分分析師認為，有意義的量產導入可能要等到 2028 年的 A14 節點或更晚，但管理層公開說法已對這個時程提出挑戰 。
• 主要考量： 台積電優先為客戶控制成本與確保良率穩定，認為每台約 4 億美元的設備價格在近期路線圖中並不符合經濟效益 。

台積電已收到研發用高數值孔徑 EUV 系統（EXE:5000），並於 2025 年開始為高數值孔徑掃描機開發微影製程，但並不急於導入量產 。

延期對 ASML 的影響

ASML 的整體營收展望依然強勁。2025 年公司總淨銷售額達 327 億歐元，其中 2025 年 Q4 創下 97 億歐元的單季紀錄，年底訂單積壓達 388 億歐元 。ASML 2026 年的目標是出貨超過 60 台 Low-NA EUV——較 2025 年增加約 25%——並計畫未來兩年每年擴產 30%，以滿足 AI 晶片的爆發性需求 。

台積電與三星將高數值孔徑 EUV 的大量訂單推遲至 2020 年代末期／2030 年，意味著這項技術的導入速度將比市場原先預期更慢。分析師指出，台積電的推遲「對 ASML 高階產品的展望構成壓力」。對客戶來說，每延後採購一台設備可節省約 3.5 億至 4 億歐元；但對 ASML 而言，預期中的數十億歐元高數值孔徑 EUV 營收需要更長時間才能實現 。

ASML 正透過聚焦新一代 EXE:5200B 系統（2025 年 Q2 首次出貨）來因應較慢的高數值孔徑 EUV 導入速度，並在短期內倚賴英特爾以及 SK 海力士（DRAM 應用）作為主要客戶 。根據 ASML 2025 年 Q4 法說會資料，截至 2026 年初，該公司已總共出貨 8 套高數值孔徑 EUV 系統 。

高數值孔徑 EUV 導入時程一覽

總結

英特爾在 High-NA EUV 的早期領先優勢真實且具體：它是目前唯一一家使用該工具量產邏輯晶片的公司。三星與台積電則採取觀察策略，將成本與良率放在首位，而非搶先上市。對 ASML 而言，High-NA EUV 的導入將是漸進式而非爆發式成長；然而，由於 AI 晶片製造對成熟 Low-NA EUV 與 DUV 工具的需求持續強勁，該公司的整體業務依然穩健。