在這場反攻戰役的核心,是三星的第二代2奈米環繞式閘極(Gate-All-Around, GAA)製程。根據《朝鮮日報》等消息來源,截至2026年初,三星的2奈米良率已攀升至約55%至60%。雖然這個數字距離公認具備量產經濟效益的70%門檻仍有差距,但分析師認為,這已足以讓三星開始進行初期商業量產,並藉此吸引新的客戶訂單。三星本身也在2026年第一季的財報說明會上證實,其先進製程產線的利用率已達到高峰水準
。
對三星代工策略最具指標意義的肯定,莫過於特斯拉在2025年中與其簽署的晶圓製造協議。這份長約價值約165億美元(約新台幣5,280億元),效期至2033年,涵蓋特斯拉未來的AI5與AI6自動駕駛晶片——這些處理器將運行其全自動輔助駕駛軟體及Optimus人形機器人。
為特斯拉生產這些晶片的重心,將放在三星耗資370億美元打造的德州泰勒市(Taylor, Texas)晶圓廠。該廠已於2026年4月24日舉行設備進廠典禮,正式安裝用於2奈米GAA製程的微影與製程設備,達成關鍵的營運里程碑。數日後,韓國化學材料商ENF Technology也開始從其鄰近的德州凱爾市工廠,向泰勒廠運送半導體製程化學品,象徵著供應鏈已經正式啟動運轉
。
關於特斯拉晶片的生產時程,存在一些細微差異。多數消息指出,泰勒廠將在2026年下半年鎖定量產目標,但要到2027年初才會真正進入全力量產階段。部分報導則指出,2026年底將先達到試產就緒狀態,特斯拉的AI5晶片預計在2027年下半年開始生產;但也有說法並未排除2026年下半年先行部分投產的可能性
。
代工事業部的獲利之路並非孤軍奮戰,它發生在三星記憶體晶片業務一個歷史性的超級循環中。2026年第一季,三星的設備解決方案部門(Device Solutions, DS)繳出史上最高的單季營業利潤,動能來自AI帶動的HBM4與DDR5等高頻寬記憶體需求暴增。記憶體平均售價較2025全年均價飆升了約146%,反映出資料中心對高頻寬記憶體需求孔急、但供給吃緊的市況
。
三星已開始量產業界首款HBM4記憶體,並在2026年輝達GTC大會上展示了其下一代產品HBM4E。這波AI記憶體的榮景為DS部門創造了巨額利潤,實際上為代工業務的持續投資需求,提供了財務上的掩護與時間。KB證券預測,三星DS部門2026年的營業利潤將達64.2兆韓元(年增79%),這股動能除了記憶體價格的走強,也來自代工利用率的改善
。
在這波全面性的成長中,代工事業部的角色正從一個持續拖累獲利的包袱,轉變為具有實質動能的成長趨動者。分析師指出,「2奈米良率改善」、「利用率創新高」、「HBM基礎晶粒的生產」,以及「泰勒廠特斯拉晶片計畫的啟動」等因素的結合,正為三星代工事業的軌跡,提供結構性的改善基礎。
儘管2026年Q3的獲利轉捩點備受期待,但並非板上釘釘。2026年初的一些報導指出泰勒廠仍有延遲,全力量產可能推遲至2027年初。與泰勒廠鉅額投資相關的折舊費用——光2奈米設備就估計需要超過5兆韓元——即便營收成長,也將持續壓縮利潤率
。此外,2奈米製程的良率仍需持續精進;目前55%至60%的區間雖堪用,但讓三星在與對手(尤其是台積電)競爭時幾乎沒有犯錯的空間
。
然而,真正改變大局的,是目前所有證據都顯示三星的三大營運槓桿——產能利用率、製程良率與大型客戶訂單——正罕見地同時朝著對的方向全力推進。
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