三星在 2026 年第二季財報電話會議上警告,DRAM 供需缺口將在 2027 年進一步擴大,且供給緊張狀況將至少持續到 2028 年。 AI 資料中心對高頻寬記憶體 (HBM) 的強勁需求,正導致三星、SK 海力士和美光將產能從消費級的 DDR4/DDR5 與 LPDDR5X 移轉至利潤更高的 HBM,造成消費性電子產品記憶體嚴重短缺。

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key developments and impacts of the ongoing DRAM shortage, including Samsung's warning that it will intensify in 2027 and remai. Article summary: The ongoing DRAM shortage — now in its second year — is entering a more acute phase. AI data-center demand for high-bandwidth memory (HBM) is absorbing so much fab capacity that consumer-grade DRAM is being starved of su. Topic tags: general, general web, user generated, news. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
持續進入第二年的全球 DRAM 短缺,正進入一個更加嚴峻的階段。AI 資料中心對高頻寬記憶體 (HBM) 的需求,正大量吸納晶圓廠產能,導致消費級 DRAM 供給受到排擠,驅動記憶體價格創下歷史性漲幅,並迫使輝達 (Nvidia) 為其下一代旗艦 AI 晶片評估調降記憶體規格。與此同時,市場也對三大記憶體製造商是否真的產能受限,抑或是在聯手控制供給以追求利潤最大化,抱持高度懷疑。
在 2026 年第二季財報電話會議上,三星記憶體部門執行副總裁金在駿 (Jaejune Kim) 向投資人表示,2027 年的供需缺口將比 2026 年更大,且供給緊張將至少持續到 2028 年 。三星指出,2026 年未能滿足的訂單將會遞延至 2027 年,公司已開始與 AI 超大規模雲端業者談判多年的供貨合約。此外,從新廠動土到實際產出晶圓,需要超過三年半的時間
。
在同一時期發出短缺將惡化警告的同時,三星也公布了連續第三季的創紀錄獲利:營收 171.5 兆韓元、營業利潤 89.5 兆韓元,營益率高達 52% 。
市場研究機構集邦諮詢 (TrendForce) 獨立預測,到 2027 年,HBM 將消耗 30% 的總 DRAM 晶圓產能,供給量僅能滿足 60% 的預測需求。瑞銀 (UBS) 則預估,供需平衡最快也要到 2028 年第二季才可能出現 。美光 (Micron) 已與 16 家客戶簽訂了五年供貨合約,而任何製造商的新晶圓廠產能,最快要到 2027 年中才能開始貢獻可觀的產量
。
其核心機制是一種結構性的產能重新分配。三星、SK 海力士與美光正將生產線從利潤較低的消費級 DDR4/DDR5 及 LPDDR5X,轉向用於輝達 AI 加速器、利潤更高的 HBM 。與疫情期間的晶片短缺不同,這一波短缺是由 AI 資料中心支出所驅動,此類需求對價格較不敏感,且正從結構面上將全球晶圓產能從消費性裝置移開
。
記憶體模組大廠宇瞻 (Apacer) 總經理張家騉 (C.K. Chang) 警告,記憶體供應商可能在 2027 年僅釋出低於其 2026 年供貨量 30% 的產能到公開市場,這將導致模組廠與傳統記憶體買家爭搶有限的庫存 。
DRAM 價格正以驚人的速度攀升:
供應緊張的嚴重程度,從輝達自身也不得不妥協的信號中可見一斑。集邦諮詢在 2026 年 8 月初報導,自 2026 年第三季起,輝達已將其對次世代 Rubin Ultra AI 平台的 HBM 配置評估,從原本計畫的 12 層堆疊 HBM4e,擴大納入 8 層 HBM4e、12 層 HBM4 以及 8 層 HBM4 等替代方案——這些都是較低規格的記憶體配置——原因正是 HBM 供給持續緊張,以及供應商在 HBM4e 驗證時程上存在不確定性 。
部分報導指出,Rubin Ultra 的記憶體容量可能從較高的目標削減至 192GB 。輝達近期也已因其次世代 Vera Rubin Superchip 面臨 LPDDR5X 短缺而被迫調降規格
。
多位分析師與媒體指出,三星、SK 海力士與美光——這三家合計控制約 95% 的全球 DRAM 市場——在 AI 用 HBM 享有極高利潤的情況下,幾乎沒有動力去快速擴張消費級產能 。《The Register》等媒體點出一個明顯的矛盾:三星一邊警告短缺將惡化,一邊卻在同期公布創紀錄的利潤與高達 52% 的營益率
。部分專家認為,此波短缺是被記憶體廠商蓄意的產能紀律所延長,而非真正的物理產能限制所致
。
DRAM 產業確實有操縱價格的歷史(2000 年代的價格壟斷案導致數十億美元罰款與相關高層入獄),而當前的三大巨頭壟斷結構自然也引發了市場的擔憂。然而,根據目前截稿前的資料,業界的報導停留在懷疑與指控的層面,截至 2026 年中,並未有針對這三家 DRAM 製造商展開正式反壟斷調查或訴訟的官方確認消息。
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三星在 2026 年第二季財報電話會議上警告,DRAM 供需缺口將在 2027 年進一步擴大,且供給緊張狀況將至少持續到 2028 年。
三星在 2026 年第二季財報電話會議上警告,DRAM 供需缺口將在 2027 年進一步擴大,且供給緊張狀況將至少持續到 2028 年。 AI 資料中心對高頻寬記憶體 (HBM) 的強勁需求,正導致三星、SK 海力士和美光將產能從消費級的 DDR4/DDR5 與 LPDDR5X 移轉至利潤更高的 HBM,造成消費性電子產品記憶體嚴重短缺。
2026 年第一季 DRAM 合約價季增 90–98%,創下歷史紀錄;第二季 LPDDR5X 再漲 89%,DDR4 8Gb 基準晶片在 5 月更達到每顆 20 美元的歷史新高。