SK海力士於2026年6月17至18日向客戶交付12層HBM4E記憶體樣品,約莫在三星宣稱業界首次出貨的三週之後。 SK海力士的Advanced MR MUF封裝技術,相較前代降低了17%的熱阻,為高密度的AI資料中心部署解決了關鍵的散熱難題。
研究答案

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What are the key details of SK hynix's 12-layer HBM4E sample shipment to AI customers, including its performance specs (16Gbps per pin, 48GB. Article summary: On June 17–18, 2026, SK hynix officially announced it had shipped samples of its 12-layer HBM4E to major AI customers, entering customer qualification roughly three weeks after Samsung shipped the industry's first HBM4E . Topic tags: general, general web, user generated. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "Samsung's HBM4E reaches up to 16 Gbps with 3.6 TB/s of bandwidth per stack, more than 20% faster than HBM4 and 16% more energy efficient. Samsung has begun shipping samples of its" source context "Samsung becomes the first company to ship HBM4E memory samples, just three months after leading the HBM4 generation"
次世代AI加速器記憶體的供應競賽,在2026年6月進入了白熱化階段。6月17日,SK海力士(SK hynix)正式宣布,已開始向主要客戶提供其12層堆疊的HBM4E(第六代高頻寬記憶體擴充版)樣品,正式進入關鍵的客戶驗證階段。這項舉動,距離競爭對手三星電子在5月29日宣布開始提供號稱「業界首款」的HBM4E樣品,僅僅相隔約三週
。這個緊湊的時間差,充分展現了這兩家韓國半導體巨擘,為爭奪Nvidia即將推出的Vera Rubin等次世代AI平台所需記憶體霸主地位的激烈程度。
SK海力士這款新的12層HBM4E堆疊,提供了一系列專為滿足AI訓練和推論所需之巨量頻寬與效率而設計的改良。根據官方消息及業界報導,其核心規格如下:
根據業界報導,此晶片採用1c奈米DRAM製程生產,邏輯晶粒(Base Die)則可能搭配台積電的3奈米製程。
隨著兩家公司都已開始提供12層HBM4E樣品,將其宣稱的規格直接進行比較,競爭態勢便一目了然。三星搶先一步供貨,但SK海力士的初步官方規格在幾項關鍵指標上略有領先。
一個關鍵的差異點在於基礎引腳速度。SK海力士的HBM4E原生運作速度為16 Gbps,而三星的初步規格為14 Gbps,並說明其具備擴展至16 Gbps的能力。同樣地,SK海力士宣稱功耗效率提升超過20%,對比三星HBM4E的16%
。透過Advanced MR-MUF實現熱阻降低17%這項可量化的進展,對於將這些模組密集排列於AI伺服器機架中的超大規模客戶而言,可能是一大利多。
這次的HBM4E樣品出貨,是多年來供應Nvidia這家全球市值最高AI晶片設計商的漫長競賽中的最新篇章。
隨著樣品送達主要客戶手中——這些客戶通常包括Nvidia、超微(AMD)及大型雲端服務供應商——至關重要的驗證流程就此展開。客戶將嚴格測試這些記憶體的信號完整性、散熱特性,以及與自家加速器設計的相容性。此階段的成敗,將左右最終採購訂單的歸屬,以及預計於2027年問世的AI系統的量產規模。
SK海力士能夠在原定的2026年下半年指引之前,提前交付HBM4E樣品,展現了其不只想要捍衛市場領先地位,更意在為整個業界設定競賽節奏的企圖心。這場戰役的重點,已不再只是誰能率先供貨,而是誰的技術能在最穩定的封裝中,提供最高的「每瓦效能」,直接為AI能力的下一次飛躍注入動能。
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SK海力士於2026年6月17至18日向客戶交付12層HBM4E記憶體樣品,約莫在三星宣稱業界首次出貨的三週之後。
SK海力士於2026年6月17至18日向客戶交付12層HBM4E記憶體樣品,約莫在三星宣稱業界首次出貨的三週之後。 SK海力士的Advanced MR MUF封裝技術,相較前代降低了17%的熱阻,為高密度的AI資料中心部署解決了關鍵的散熱難題。
本次送樣加劇了對Nvidia次世代Vera Rubin AI平台記憶體供貨的高風險競賽,SK海力士在此已取得約七成的HBM4訂單。