FMS 2026 三箭齊發：全球最密 QLC NAND 登場，HBF 開放規格問世

主要規格

• 位元密度： >37 Gb/mm² — 較其第 8 代技術提升約 60% 。
• 層數： 332 層主動層 。
• 介面： 4.8 Gb/s，採用 Toggle DDR6.0 規範 。
• 關鍵創新： CMOS 直接鍵合陣列（CMOS Directly Bonded to Array, CBA）技術。該技術將 CMOS 邏輯電路與記憶體陣列分別在不同晶圓上製造，再以高精度晶圓對晶圓對位方式鍵合，從而提升電源效率並實現密度躍進 。

該元件在大會現場進行了實機展示 。在此之前，Sandisk 與 Kioxia 已於 2026 年 7 月開始提供 BiCS10 1Tb TLC NAND 樣品，其密度大於 29 Gb/mm² 。本次展示的 QLC 版本則利用每儲存單元 4 位元的架構，進一步推升了密度。

Sandisk 與 SK hynix — 首個 High Bandwidth Flash (HBF) OCP 規範

Sandisk 與 SK hynix 透過 開放運算計畫（Open Compute Project, OCP）發布了 首個 High Bandwidth Flash (HBF) 標準技術規格 。該規格定義了一個全新的記憶體層級，定位於 HBM 與傳統 SSD 之間，特別針對 AI 推理工作負載進行最佳化，這類工作負載需要比 HBM 所能提供的更大容量記憶體。

主要規格

• 每堆疊容量： 最高 512 GB，採用 8 層與 16 層 NAND 堆疊配置 。
• 目標頻寬： 最高 3.0 TB/s（單向 1.6 TB/s），提供三個效能等級（Grade 1–3），覆蓋約 0.4 TB/s 至 3.0 TB/s 。
• 連接標準： UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express） 。
• 聯盟成員： Google（DeepMind）與 Tenstorrent 在標準化過程中加入了 HBF 工作小組 。

戰略定位

HBF 旨在填補 HBM（速度快但容量受限）與傳統 SSD（容量大但速度慢）之間的速度與容量鴻溝 。Sandisk 表示，HBF 能以與 HBM 相近的成本提供 8 至 16 倍的容量。在 Llama 3.1 405B 參數模型上的模擬結果顯示，HBF 的表現與假設中容量無限的 HBM 配置相比，效能差距僅在 2.2% 以內 。

上市時間表

開放標準現已發布。記憶體樣品預計於 2026 年底推出，商用裝置則可望在 2027 年初問世 。

FMS 2026 議程 — 主題演講與座談

Sandisk 主題演講：「NAND：AI 時代多功能且可擴展的基石」

預計於 2026 年 8 月 5 日週三上午 11:40（太平洋時間），在聖克拉拉會議中心 Mission City Ballroom 舉行。由 Sandisk 的 Jim Elliott（CRO）、Khurram Ismail（CPO）及 Alper Ilkbahar（CTO）主講，內容涵蓋系統層級最佳化以及 NAND 在大規模 AI 推理中的角色 。

SK hynix 主題演講：「在代理式 AI 時代，透過分層記憶體編排高效的 AI 基礎設施」

於大會開幕日（8 月 4 日）由執行副總裁 Kim Chun-sung 與副總裁 Kang Uk-song 發表，探討 AI 基礎設施的分層記憶體解決方案 。

聯合座談：「以高頻寬快閃記憶體突破記憶體高牆」

於 8 月 6 日上午 9:45（太平洋時間）舉行，與談人包括 Sandisk 副總裁 Rajeev Nagabhirava、SK hynix 副總裁 Lim Eui-cheol 及 Google DeepMind 資深職級工程師 Xiaoyu Ma。座談將探討 HBF 如何應對 AI 推理工作負載中的算力與記憶體差距 。

備註： 此座談會名稱已獲多個官方來源確認。完整的座談會描述建議以 FMS 2026 現場議程為準，但已有明確報導指出此「突破記憶體高牆」專場的存在 。

這對 AI 基礎設施的意義

這些發表直接回應了 AI 基礎設施面臨的兩項根本挑戰：儲存密度與記憶體頻寬。BiCS10 QLC NAND 使資料中心能夠打造密度更高、更節能的 SSD，用於訓練資料湖與高容量儲存層。而 HBF 則代表了一個全新的記憶體類別，能夠在不增加昂貴 HBM 成本的前提下，為加速器提供快速且高容量的近端記憶體，有望顯著降低推理延遲與成本。

透過 OCP 以開放標準方式推動，並獲得 Google 與 Tenstorrent 的支持，顯示業界有意將此新層級標準化，而非各自發展封閉的專屬解決方案 。