這種結構性的傾斜,意味著用於筆電、桌機和智慧型手機的傳統 DRAM 與 NAND Flash 模組,不再是產業的重心。取而代之的是,產能正流向伺服器級記憶體,以及直接與 AI 加速器搭配的 HBM 堆疊。其後果就是消費級記憶體的持續性供應不足,分析師現在預期,這種情況將持續數年,而非數月 。
價格波動的幅度在現代史上前所未見。TrendForce 最初預測 2026 年第一季將有 55% 至 60% 的季漲幅,但隨著供應在二月遠超預期般地緊縮,該機構隨即將預測大幅上調至 90% 至 95% 。到了六月,最終數據顯示漲幅更進一步攀升至 93% 至 98%
。
其中,PC 用 DRAM 的走勢最為極端。僅僅在 2026 年第一季,PC 記憶體的合約價就上漲了超過 100%,創下單季漲幅的歷史紀錄 。伺服器 DRAM 在同一時期也追蹤到約 90% 的漲幅
。在第二季,TrendForce 預計傳統 DRAM 將再漲 58% 至 63%,而 NAND Flash 在經歷第一季 55% 至 60% 的漲幅後,將加速到 70% 至 75% 的成長
。
到了 2026 年中,零售現貨市場因高價抑制需求而出現些許穩定跡象,但合約價格仍在歷史高位,未見反轉訊號 。一套 64GB DDR5 套件現在的平均價格大約在 900 美元,看來買家已不願再支付更高的價格,這為進一步的飆升設下了暫時的天花板——儘管多數預測機構並不認為價格會在短期內有意義地回落
。
多家業界巨頭現已正式發出公開警報。
Lexar: Lexar 的澳洲暨紐西蘭區域經理 Chris Xia 在 2026 年 6 月初向《Tom’s Hardware》表示,RAM 價格預計將在年底前翻倍,並警告 AI 基礎設施的建置,幾乎消耗了三星、SK 海力士和美光所有可用的記憶體晶片 。
三星: 在 4 月 30 日的 2026 年第一季財報電話會議上,三星記憶體事業負責人 Kim Jaejune 表示,記憶體產品的「嚴重短缺」將至少持續到 2027 年,需求滿足率正處於歷史低點。他指出,客戶已開始預訂未來幾年的產能 。
SK 海力士: 也發出了相當的警告。一份在 2025 年 12 月外流的 SK 海力士內部分析預測,標準 DRAM(不含 HBM 和特殊模組)的短缺將持續到 2028 年——這比當時的市場共識預測更為悲觀 。
2026 年 6 月 3 日,由九個美國行業協會組成的跨產業聯盟,聯名致函財政部長 Scott Bessent 和商務部長 Howard Lutnick,對「記憶體晶片市場迫切的供需失衡」發出警告。這些連署機構代表了寬頻供應商、醫療設備製造商、汽車製造商和全國性零售商 。
這些組織主張,AI 資料中心的擴張正在消耗「極大量的可用記憶體晶片產能」,導致晶片價格飆升,並減少了科技業以外製造商的供應。他們警告,若缺乏政府干預,這場短缺恐將推升消費者成本,並在美國經濟中引發連鎖性的供應鏈中斷 。
這封信之所以引人注目,是因為它將記憶體危機的影響範圍擴大到半導體產業之外。這不再只是 PC 組裝玩家的問題;汽車、醫療和電信產業現在也正式發出了警報。
短缺的影響已遠遠超出消費性電子產品:
雖然三大主導廠商正在投資額外產能,但用於傳統記憶體的新晶圓廠,最快要到 2027 年至 2028 年才能投入營運 。短期內,供應端不存在解決方案。三星和 SK 海力士持續將 HBM 和伺服器 DRAM 的分配置於最優先,使得標準 DRAM 的供應受到嚴重限制
。
此外,還有潛在的政治因素。2026 年 1 月,白宮宣布了一項兩階段的半導體關稅行動,而商務部長 Howard Lutnick 則另外警告未指名的記憶體晶片製造商,除非他們在美國建立生產線,否則可能面臨 100% 的關稅 。任何貿易措施的升級,都可能進一步使美國買家的市場更加緊繃。
與此同時,美國國會議員也另外呼籲將記憶體晶片納入出口管制清單,特別是針對用於 Nvidia Blackwell 和 H200 平台的高頻寬記憶體 。商業性短缺、政府貿易行動與技術出口管制的多重交織,使得供應前景異常複雜。
所有主要預測機構和製造商的共識是,短期內沒有解方。三星預期短缺至少會持續到 2027 年。SK 海力士的內部分析則延伸到 2028 年。Lexar 預計消費端價格將在 2026 年底前再次翻倍。TrendForce 的數據顯示,雖然季度漲幅相比第一季的極端高峰將略有放緩,但價格仍在快速攀升,而且是從一個已經很高的基期基礎上繼續上漲 。
對一般買家而言,算計已經改變。隨著需求遭到破壞,部分模組的現貨價格在 2026 年初曾短暫回穩,但決定 PC 製造商和企業採購成本的合約價格,仍在持續攀升 。能以正常價格買到 RAM 的窗口已在 2025 年底關閉,而且各方普遍認為,這個窗口至少在未來 18 到 24 個月內都不會重新開啟。
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