英特爾CEO陳立武「最上心」的記憶體計畫：重啟CPU與記憶體堆疊策略

英特爾（Intel）執行長陳立武（Lip-Bu Tan）近期釋出重大戰略訊號，將新型記憶體架構形容為他的「最上心」（pet project）項目之一，公開暗示英特爾可能在退出記憶體業務約二十年後重返該領域。他在談及美國晶片產業復興時表示，記憶體過去被視為大宗商品業務，但現在已變得「具有戰略吸引力」，市場「充滿創新空間」，他正積極探索將記憶體與CPU晶片堆疊在一起的方式，以解決效能瓶頸。

CPU-記憶體堆疊願景

陳立武在Podcast中明確指出：「CPU和記憶體之間，有很多方式可以進行堆疊，同時我們也試圖尋找一些新的記憶體架構。我認為在某種程度上，記憶體領域的創新還不夠。我以前不投資記憶體，因為它像是一種大宗商品業務，對吧？但現在情況已經不同了。有很多新技術正在出現。」 這指向一種3D堆疊方法：將記憶體晶粒直接整合在CPU晶片之上或旁邊，相較於傳統獨立記憶體模組，這種技術能大幅降低延遲與功耗。

關鍵人事布局：延攬李碩熙

2026年6月18日，英特爾任命前SK海力士及SK On執行長李碩熙（Seok-Hee Lee）為英特爾晶圓代工（Intel Foundry）執行副總裁，直接向陳立武報告。 李碩熙將主導所有先進封裝、系統整合、後段技術開發及後段製造業務。 這並非直接招聘記憶體製造人才，而是封裝領域的關鍵任命，但與陳立武的記憶體野心息息相關。分析師指出，李碩熙在記憶體整合與先進封裝方面的專業知識，使他成為執行CPU-記憶體堆疊策略的理想人選。 陳立武本人也在社群平台X上歡迎這位「密友」歸隊，稱他是「備受尊敬的半導體製程整合專家與成功的CEO」。

記憶體短缺背景與英特爾的動能

這波記憶體攻勢正值全球晶片短缺日益嚴峻之際，尤其是在AI領域至關重要的高頻寬記憶體（HBM）。全球記憶體吃緊，使得包括封裝內或堆疊式記憶體在內的替代架構，戰略吸引力大增。

英特爾的財務動能為這項賭注提供了充足火力：

• 2026年第二季營收達到161億美元，年增25%，創下2011年以來最快季度成長。
• 資料中心與AI營收飆升至63億美元，年增59%。
• 公司將2026年資本支出預測上調至超過200億美元。
• 2026年8月11日，英特爾將股票發行規模擴大至200億美元（以每股95美元發行2.105億股），用於資助AI與製造擴張。

重返記憶體的可能性

英特爾在1980年代中期因日本廠商將DRAM市場商品化而退出該領域，轉而專注於微處理器。陳立武的言論是英特爾現任執行長首次如此明確地談及重新投入記憶體技術。

不過，英特爾不太可能從頭建立大宗DRAM或NAND晶圓廠。更可行的路徑是，英特爾利用先進封裝技術開發專有的堆疊式記憶體架構——換句話說，設計自己的記憶體解決方案，並與自家的CPU和AI加速器緊密整合，透過其晶圓代工服務或與SK海力士等記憶體製造商合作生產（李碩熙在後者的深厚關係將極具價值）。

大規模現增、李碩熙的封裝專長、陳立武公開表態的「最上心」項目，以及強勁的營收基礎，這些因素結合起來，顯示英特爾正在為徹底改革記憶體與邏輯晶片的整合方式鋪路——這將是該公司數十年前放棄記憶體業務以來，最重大的戰略轉折。