瑞士新創 Minysa 獲 16.3 萬歐元資助，攻破氮化鎵電源最難的驅動晶片關卡

已發表的技術文獻一致記錄了這些優勢。一份業界比較報告指出，GaN 電晶體「比矽元件快 10 倍且小 10 倍」。另一份資料則指出，GaN FET 具有零反向恢復電荷，因此切換損耗比矽元件低 4 到 5 倍 。

Minysa 解決的三道障礙

儘管 GaN 優勢明顯，但其廣泛採用一直受到三道障礙的阻礙 ：

1. 設計複雜性——驅動 GaN 電晶體需要特殊的閘極驅動電路，無法直接取代矽元件。
2. 高昂的系統成本——缺乏整合且可立即應用的解決方案，使得系統級成本居高不下。
3. 缺乏即插即用模組——工程師需要經過預先驗證、易於使用的建構模組。

Minysa 的解決方案是提供整合式 GaN 閘極驅動器 ASIC 與即插即用電源模組（包含系統級封裝方案），將最棘手的驅動器整合與保護功能直接做到晶片上。正如 Venture Kick 官方資料所述，Minysa 的目標是讓 GaN「能被主流電源製造商廣泛使用」。

目標市場：從航太出發，瞄準總值超過 50 億美元的廣大市場

Minysa 的初期重點是歐洲航太電源領域，這個領域對抗輻射能力、效率與小型化有嚴苛要求 。該公司已正式加入 ESA Business Incubation Centre Switzerland，得以進入航太生態系統並接觸策略合作夥伴 。

更廣泛的目標市場總值超過 50 億美元，包括 ：

• 電動車
• 無人機
• 航太
• 工業物聯網
• 機器人
• 資料中心

客戶進展與 ESA 背景

公開資訊證實，Minysa 正在開發用於航太領域的抗輻射 GaN IC，並且已經與航太及工業客戶合作 。該公司在官方資料中表示，其目標是「從瑞士出發，為歐洲航太產業打造主權半導體技術」。

需要特別說明的是，部分報導中提到的四家具體航太客戶名稱以及兩個列名 ESA 資助的計劃，在目前可取得的公開報告（Tech.eu、Venture Kick、punkt4、Moneycab）中並未被明確列出 。更早的 ESA 開發工作——例如與 Thales Alenia Space 和 IMEC 等合作夥伴進行的 GANIC4S 計劃——存在於更廣泛的歐洲 GaN 生態系中，但這些計劃的時間點早於 Minysa 目前的商業進展，且與其自身的產品藍圖有所不同 。

結論

Minysa 正在攻克 GaN 電源領域最困難的工程問題：閘極驅動器。透過將保護、感測與監控功能整合於單一晶片，它移除了長期以來阻礙 GaN 進入主流的設計障礙。憑藉 16.3 萬歐元的新創資金，以及從航太到電動載具的清晰路徑，Minysa 正將自己定位為新一代電源系統的關鍵推手——更小、更涼爽、效率大幅提升。