力積電 Q2 財報揭示 AI 記憶體超級週期：營收飆升 53%，DRAM 漲價 45%，短缺恐成結構性常態

儘管營收強勁成長，淨收入卻呈現季減，主要反映 Q1 2026 包含了一次性收益。若從本業營運來看，Q2 的表現相當穩健：營收飆升、毛利率擴大，並且在年度基礎上恢復獲利能力。

漲價全貌：45% 的 DRAM 漲幅

2026 年 7 月，力積電將 DRAM 代工價格調漲 45%，並對電源管理 IC (PMIC) 和顯示驅動 IC (DDIC) 實施 10–15% 的漲幅 。此舉緊接在 2026 年稍早的幾波調漲之後：12 吋 DDIC 價格已調漲 30%，CMOS 影像感測器 (CIS) 價格則調漲 20% 。力積電總經理朱憲國表示，這些漲價將自 6 月起為營收帶來雙位數百分比的增長 。

此漲價幅度反映了更廣泛的市場定價環境。根據 TrendForce 數據，Q1 2026 DRAM 合約價格季增 90–95%（部分 PC DRAM 甚至翻倍），Q2 2026 則繼續上揚 58–63% 。基準規格的 DDR4 8Gb 晶片在 2026 年 5 月達到歷史新高的 每顆 20 美元 。

供應短缺警告：結構性而非週期性

力積電的核心警告在於，當前的記憶體供應短缺是 結構性 的——並非起因於暫時性中斷，而是製造產能的根本性重新分配——可能持續到 2027 年，且不排除進一步漲價 。此觀點在半導體業界獲得近乎一致的迴響。

SK 海力士——2026 年 7 月 11 日，CEO 郭魯正 (Kwak Noh-jung) 警告，全球記憶體產業將在 2027 年面臨「史上最嚴重的供應短缺」，客戶需求預計在 2030 年後仍將超過供給能力。他以 AI 驅動的 HBM 和伺服器 DRAM 需求為主要驅動力 。

三星——2026 年 4 月 30 日，記憶體事業部主管 Kim Jaejune 警告，各種記憶體產品的「顯著短缺」預計至少持續到 2027 年，需求滿足率處於歷史低點。部分客戶已確保 2027 年以前的供應配額 。

台積電——2026 年 6 月 4 日，董事長暨總裁魏哲家 (C.C. Wei) 警告，AI 晶片短缺將持續「數年」，且晶圓代工在未來數年內都難以滿足需求 。

Omdia——2026 年 5 月，將 2026 年半導體營收成長預測大幅上調至 62.7%，指出 DRAM 和 NAND 正經歷前所未有的擴張，係由持續的需求和供給短缺所驅動，且有意義的緩解在 2027 年之前不太可能出現 。

TrendForce——指出 DRAM 供應商持續將先進製程和新產能重新分配給 HBM 和伺服器產品，顯著限制了其他市場的供給 。

高盛 (Goldman Sachs)——將 2026 年 DRAM 價格預測上調為年增 250–280%，明確表示「記憶體短缺可能延續至 2027 年」 。

標普全球 (S&P Global)——報導指出，AI 驅動的記憶體短缺正對非 AI 產品造成獲利風險，因為產能已被重新分配給 HBM 和伺服器 DRAM 。

摩根大通 (J.P. Morgan)——預期結構性短缺至少會延續到 2027 年，甚至可能到 2028 年，因為需求持續成長 。

關於 Counterpoint Research 和 IDC： 現有資料庫中未發現這兩家機構針對 2026–2027 年間記憶體供給限制的直接公開聲明。然而，上述所有主要記憶體製造商及獨立分析機構的看法極其一致，均預期結構性記憶體供應緊縮將至少持續到 2027 年。

為什麼這次的短缺不同？

AI 驅動的記憶體超級週期與以往的景氣循環短缺有一個關鍵性的差異：這是生產產能的結構性重新分配，而非暫時的需求暴增。記憶體製造商——SK 海力士、三星和美光——已將大量晶圓產能轉向 AI 加速器所需的高頻寬記憶體 (HBM) 。瑞銀 (UBS) 估計，截至 2025 年底，約有 20% 的前端 DRAM 產能已轉移至 HBM 。HBM 使用先進封裝技術，每單位消耗的製造產能遠高於傳統 DRAM 。

此舉已使一般 DRAM 市場供給枯竭，推動價格創下歷史新高，並對更廣泛的半導體供應鏈產生連鎖效應。漲價浪潮正從記憶體向外擴散至功率半導體，英飛凌 (Infineon)、德州儀器 (Texas Instruments) 等均已宣布漲價 。

對採購者的意義

實際的結論很明確：如果你的產品依賴一般 DRAM、電源管理 IC 或顯示驅動 IC，那麼至少在 2027 年之前，請預期將持續面臨價格壓力與供貨分配的挑戰。正如 SK 海力士 CEO 所言：「我們預測，從供給角度來看，明年（2027）將是業界歷史上最慘澹的一年」 。