華為聯手深圳國資興建12吋DRAM晶圓廠，力抗史上最嚴重的記憶體缺貨風暴

華為傳出正與深圳關係企業「Swaysure」（深圳益維旭）及深圳市政府聯手，計畫興建一座12吋（300mm）DRAM晶圓廠，此舉被視為是在全球記憶體史上最嚴重缺貨危機中，為繞過美國出口管制、切斷對韓美DRAM供應商的依賴，並加速轉型為中國最垂直整合的裝置製造商的戰略性賭注。該計畫前景看好，但仍未獲證實，且面臨重大的技術限制，即便滿載生產，也僅能滿足華為整體DRAM需求的零頭。

關於華為-Swaysure DRAM晶圓廠已知訊息

華為據傳已與Swaysure（深圳益維旭）——一家與華為關係密切的企業——以及深圳市政府攜手，建造一座專注於DRAM生產的12吋（300mm）晶圓廠。計畫產能為每月14萬片晶圓，將從28奈米節點起步。這個規模雖有意義，足以抵消華為部分DRAM進口依賴，但對其龐大產品線的總體消耗量而言，仍僅占一小部分。

Swaysure已延攬經驗豐富的半導體人才，包括一位前台積電晶圓廠廠長來管理該廠。此計畫最初於2026年7月由業界爆料者披露，隨後被Wccftech和Huawei Central等科技媒體報導。關鍵的是，華為並未正式確認該計畫，目前也未宣布動工或量產時間表。

全球記憶體短缺：史上最嚴重

這項晶圓廠計畫推出的時機，正值記憶體產業面臨史上最嚴重的供應緊縮。其規模令人震驚：

DRAM價格飆漲

• 截至2025年第三季，DRAM合約價格年增率高達171.8%。
• 2026年第一季，價格再較前一季飆升90%至95%。
• DDR5伺服器記憶體價格在過去一年已翻漲三到四倍。
• TrendForce預估，僅2026年第二季，常規DRAM合約價格就將再上漲58%。
• 2025年DRAM營收達1657億美元，年增73%。

AI消耗了約70%的記憶體產能
分析師估計，AI資料中心將在2026年耗用高達70%的高階記憶體產能。三星、SK海力士和鎂光均已將生產線從消費性DRAM轉向AI GPU所需的高頻寬記憶體（HBM），導致常規DRAM供應出現真空。HBM現已占全球DRAM晶圓總產能的23%，相較於兩年前僅有個位數占比。

SK海力士警告2027年將是「史上最糟的一年」
2026年7月10日，SK海力士執行長郭魯正警告，記憶體產業正步入2027年**「史上最嚴重的供應短缺」，且即使進行大規模產能擴張，需求超越供給的情況將持續至2030年以後**。他表示：「我們預測明年將是產業史上供應最吃緊的一年」。三星記憶體業務主管金在俊也在2026年4月另行警告，記憶體產品的「嚴重短缺」至少會持續到2027年，訂單滿足率已降至歷史低點。

華為晶圓廠如何應對短缺

DRAM是華為的關鍵弱點。美國制裁禁止華為向SK海力士、三星和鎂光採購高階DRAM。全球性的短缺又使現貨市場價格高不可攀。因此，建立國產的DRAM供應鏈是唯一可行的長久解決方案。

時機至關重要：即使Swaysure晶圓廠需要2到3年才能達到量產，它投產的時間點正好落在SK海力士自己預測的2027年至2030年最嚴重短缺期。

從28奈米切入：28奈米是一個成熟且廣泛應用的節點，足以生產DDR3/DDR4級別的DRAM——雖非頂尖的HBM，但已足夠滿足華為的基地台設備、網路設備、舊款智慧型手機和物聯網產品需求。這能將更高階的全球DRAM供應保留給華為的旗艦產品使用。

華為的晶圓廠帝國與「中國三星」野望

DRAM晶圓廠僅是華為更大戰略拼圖中的一塊。根據南韓媒體報導，華為在中國直接或間接營運至少七家半導體製造公司，旗下至少有11座晶圓廠已投入運作。這些廠房涵蓋邏輯晶片、AI加速器，如今再加上記憶體。

深圳觀瀾地區的三座晶圓廠：一座用於生產7奈米智慧型手機/昇騰晶片（由華為自行營運），一座由SiCarrier（從華為實驗室分拆出來的國有設備製造商）營運，第三座就是Swaysure的DRAM廠。2025年初的衛星影像顯示，這些廠區的建設進展迅速。

LogicFolding技術突破：2026年5月，華為揭露了一種名為「LogicFolding」的新型晶片製造方法，旨在縮小與台積電的差距，目標是運用自有設備在2031年生產1.4奈米晶片。

AI晶片產能提升：華為正逐步提高昇騰AI晶片的產量——2025年約生產25萬顆昇騰910C，並預計在2026年達成總計160萬顆昇騰系列晶圓的產能目標。

垂直整合目標：華為希望掌握從設計、製造、封裝到記憶體的完整供應鏈，複製三星的整合元件製造商（IDM）模式。

中國推動記憶體自給自足的浪潮

Swaysure DRAM晶圓廠的計畫，是在中國更廣泛的**「三倍產出」AI戰略**——一項國家主導、目標在2026年底前將國內AI處理器產能提升三倍的政策——框架下運作的。關鍵背景如下：

• 中國的DRAM記憶體自給率仍低於5%。合肥的長鑫存儲（CXMT）是唯一具規模的國產DRAM製造商。
• 深圳市政府為Swaysure晶圓廠提供資金，顯示國家願意資助多個平行發展的記憶體項目，以降低對韓、美供應商的依賴。
• 美國的出口管制（針對ASML微影設備、KLA檢測工具和EDA軟體的禁令）使中國任何DRAM晶圓廠都難以跨過28奈米節點的門檻，但在價格已翻漲四倍的市場中，即使是28奈米DRAM也具備極高戰略價值。

關鍵注意事項與風險

• 華為-Swaysure晶圓廠的計畫來源於業界爆料者和科技媒體，並非華為的官方公告。應將其視為可信但未經證實的報導。
• 從28奈米節點起步，代表該晶圓廠無法生產推動AI GPU需求的先進HBM3/HBM4記憶體——它將瞄準的是常規DRAM的短缺，而非高階AI記憶體市場。
• 即使達到月產14萬片，該晶圓廠也只能滿足華為自身DRAM需求的一部分，更遑論整個中國的龐大需求。
• 建造DRAM晶圓廠技術複雜且資金密集。歷史先例（如福建晉華的失敗案例）顯示，中國的DRAM項目在設備制裁、良率提升和人才留任方面面臨持續挑戰。

總結：華為的DRAM晶圓廠計畫是一場防禦性的進攻——它精準打擊了史上最嚴重記憶體短缺、切斷華為全球DRAM供應來源的美國制裁，以及中國建立國記憶體產能的戰略需求這三者的交會點。若計畫成功，華為將從一個設計晶片但採購記憶體的公司，轉型為完全垂直整合的裝置製造商，同時在記憶體價格已翻漲四倍、供應將吃緊至2030年的背景下，為中國建立第二個國產DRAM生產基地。然而，這條道路充滿了技術、政治和執行上的風險，使得最終結果充滿不確定性。