美光(Micron)計劃投入約1.5兆日圓(約93–96億美元),在廣島既有廠區內興建全新的高頻寬記憶體(HBM)生產設施。 該廠將專注生產用於AI系統(包括Nvidia)的次世代HBM晶片,目標2028年中至8月開始出貨,2030年第一季至第二季達到滿載產能。

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美光科技(Micron Technology)正在進行其公司史上最大規模的單一投資——斥資約1.5兆日圓(約93至96億美元),在其日本廣島既有廠區內興建一座全新的高頻寬記憶體(HBM)生產設施。該廠專門為AI系統(包括Nvidia使用的晶片)生產次世代HBM晶片 。以下是根據多方來源整理的詳細解析,涵蓋投資時程、政府補助、競爭態勢與宏觀戰略背景。
2026年7月4日,美光在廣島廠區內舉辦了HBM新廠的動土典禮 。事實上,廠區的相關建設工程已於2026年5月啟動
。
總投資金額約為1.5兆日圓,彭博社報導為93億美元,而日經新聞與路透社則報導為96億美元 。這是美光在日本有史以來最大的單筆投資
。
次世代AI系統用的HBM晶片預計在2028年左右開始首批商業出貨,部分資料更明確指出出貨時間點落在2028年6月至8月之間 。全面量產的目標時程則訂在2030年3月至5月
。該廠全面運轉後,每月可生產4萬片高階DRAM晶圓,其中絕大部分將用於生產HBM
。
日本經濟產業省(METI)正為廣島擴廠計畫提供巨額財務支援,此舉是日本重建本土半導體製造能力的國家級戰略之一 。關鍵的補貼承諾包括:
在一個長期由SK海力士與三星主導的全球HBM市場中,美光迅速崛起成為一個不可忽視的第三勢力。根據Silicon Analysts的數據,市占率的演變如下 :
| 年份 | SK海力士 | 三星 | 美光 |
|---|---|---|---|
| 2023 | ~90% | ~8% | ~2% |
| 2024 | ~58% | ~25% | ~17% |
| 2025 | ~53% | ~28% | ~19% |
| 2026E | ~50% | ~30% | ~20% |
來自多家來源的關鍵數據點:
**總結來說:**不同估算之間存在差異,原因在於對市場區塊的定義不同(整體DRAM vs. 純HBM vs. HBM3E),但共識很清楚:美光在兩年內將其HBM市占率提高了大約三倍,但仍落後於領導者SK海力士和強勁的第二名三星。
**AI記憶體超級循環:**全球競相建設AI基礎設施,正帶動記憶體需求出現前所未有的榮景。野村證券(Nomura Securities)將此描述為一個「超級循環」,預計至少持續到2027年,其驅動力來自AI伺服器對HBM、通用型DRAM和NAND的爆炸性需求 。HBM市場在2024年估值為29.3億美元,預計到2033年將達到167.2億美元,年複合成長率約為21%
。由於供應短缺,記憶體價格持續飆漲
。
**日本的半導體復興:**日本正執行一項三管齊下的戰略,以重建其國內晶片製造業 :
日本的半導體市場在2025年約為512億美元,預計到2030年將成長至894億美元,年複合成長率為8.9% 。美光的廣島擴廠計畫正是此戰略的基石——將尖端的HBM生產錨定在日本本土,背後有數十億美元的國家補貼支持,並確保AI時代的供應鏈安全
。
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美光(Micron)計劃投入約1.5兆日圓(約93–96億美元),在廣島既有廠區內興建全新的高頻寬記憶體(HBM)生產設施。
美光(Micron)計劃投入約1.5兆日圓(約93–96億美元),在廣島既有廠區內興建全新的高頻寬記憶體(HBM)生產設施。 該廠將專注生產用於AI系統(包括Nvidia)的次世代HBM晶片,目標2028年中至8月開始出貨,2030年第一季至第二季達到滿載產能。
日本經濟產業省(METI)已於2025年9月承諾提供高達5,360億日圓(約36億美元)的補貼,用於資本支出與研發,涵蓋總投資約三分之一。