產能重新分配造成嚴重的物理限制:生產1位元的HBM約需耗費3倍於同等級DDR5產線的晶圓產能,這意味著每一次HBM的增產,都直接排擠了消費級DRAM的產出 。Utmel 將此稱為「3:1的權衡取捨」
。
此結構性的供給緊縮預計將至少持續到2027年。ICallin報告指出,三大廠的HBM產能重分配「正從結構上使DDR4與DDR5的消費級DRAM缺乏製造資源,此現象至少會延續到2027年」 。IDC預估2026年DRAM位元供給成長率僅約16%,遠低於歷史平均水準
。
舊製程產能同樣受限。DDR3因有限的舊晶圓廠產能而使供給緊縮,業者難以做出長期供貨承諾 。DDR4與DDR5也持續處於配額管制與交期延長的狀態
。儘管三星和SK海力士已將DDR4的生產延長至2026年,但絕大多數產出已被企業與合約客戶鎖定,並未流入一般消費市場
。
零組件成本漲幅驚人。2026年初,一顆16Gb DDR5晶片的價格從2025年9月的6.84美元,在同年12月飆升至27.20美元 。僅一條16GB筆電記憶體模組的記憶體成本(未含組裝與利潤)就估計約217.60美元
。
2025年底至2026年初,主要筆電品牌廠尚能透過既有供貨合約吸收部分成本漲幅 。然而,隨著庫存緩衝逐漸耗盡,零售價格已開始調漲
。富比士(Forbes)報導指出,PC製造商因記憶體成本不確定性,甚至無法為新款機型給出明確定價
。
規格降級也正在發生。硬體業者正積極修改或重新設計產品,改用DDR2與DDR3來取代DDR4/DDR5,這意味著2026年上市的某些消費電子裝置,其內部將搭載較舊、較慢的記憶體標準 。三星已公開警告,記憶體短缺將在2026年推升整個電子產業的價格
。
短期內沒有緩解跡象。TrendForce預估DRAM價格漲勢至少會持續到2026年第三季,DDR2在Q3將再漲35–40% 。SK海力士據悉已提前售罄其2026年全年的產能
。多位分析師預期此結構性供給緊縮將延續至2027年,只要AI需求保持強勁,製造商便不願將HBM晶圓產能轉回利潤較低的消費級DRAM
。Utmel將當前環境形容為「2026年記憶體超級循環」,DRAM與NAND價格從谷底飆升超過500%
。
此高度集中的市場結構——三家企業控制全球約95%的DRAM供給——在價格創下歷史新高之際,持續面臨反壟斷審查的壓力。2026年1月,美國提出一項新的集體訴訟,指控三星、美光與SK海力士合謀操控DRAM價格 。雖然聯邦法官在2025年10月駁回了先前的反壟斷指控
,但上訴程序與新訴訟仍在進行中。
歷史上已有類似調查的先例。中國曾在2018年DRAM價格同樣飆漲時,對這三家業者發起價格操縱調查 。美國司法部亦曾在2007年就DRAM價格操縱案與三星達成9,000萬美元的和解;2000年代期間,多家公司認罪並支付超過7.29億美元的刑事罰款
。南韓政府已表態將針對DRAM價格飆漲採取行動,包括市場與定價監控
。