美國收緊晶片製造設備出口規則，AI熱潮又讓記憶體需求居高不下，三星電子與 SK 海力士因此面臨兩股相反力量：一方面，赴美及其他地區投資的壓力增加；另一方面，已在中國運作的產線仍是供應的重要一環。現有報導呈現的方向，較像是「保留中國營運、分散未來投資」，而不是全面撤出中國。

這種做法也不等於兩家公司已宣布全面凍結中國產能。更準確地說，美國設備出口許可變得更受限制，新增設備與產線升級的空間受到牽制；公司則在評估其他地點，並爭取維持既有設施的運作。

年度許可讓中國產線多了一道不確定性

美國過去採用的豁免安排已轉為按年核發設備出口許可。三星與 SK 海力士取得 2026 年的年度許可，但未來能否取得下一年度許可，不能視為理所當然。 對在中國設有大型晶圓廠的企業來說，年度審批意味著設備供應與產線規劃都得持續面對政策變動。

韓國媒體報導，受美國限制投資與設備升級的影響，韓國晶片廠正尋找美國、越南與日本等替代投資地點。 不過，另設新廠和維持既有廠區並非可以立即互換的選項：已運作的設施有既有設備、人員和供應網絡；新建產能則要經過建廠與設備導入等階段。保留這些既有條件，是理解企業為何不輕易撤出的重要背景，但不能據此推斷公司已公開確認特定成本因素。

至於「中國勞工成本較低」是否是三星或 SK 海力士維持中國布局的明確考量，所提供的報導沒有足夠資料證實。把低廉人力直接說成兩家公司決策的原因，會超出目前可確認的證據。

大連 Mod B：爭議在於設備許可的範圍

這場拉鋸在 SK 海力士的大連廠格外具體。路透報導，SK 海力士旗下美國公司 Solidigm 希望在大連廠尚未使用的 Mod B 空間安裝設備，生產 NAND 快閃記憶體；報導也指出，這項設備出口許可與一座規劃中的美國 NAND 新廠有所連結。1

但 SK 海力士對 Mod B 的說法有所不同。公司表示，該區域於 2023 年完工，裝機作業是在與美國政府協商並取得授權的情況下進行，且並未尋求擴大產能。12 路透報導所述的「尋求更多設備許可」，與公司所說的「現有裝機已獲授權」，可能涉及不同批次或範圍的設備。現有資訊無法 conclusively 判定美方如何界定這些安排，也無法證明後續許可已經核發；報導指出，2027 年的相關設備許可當時尚未取得。1

因此，關鍵不只是廠房是否已經建好，而是美方會把哪些設備安裝視為維持既有營運，哪些又會被視為增加產能或升級技術。這條界線，正是企業規劃中國產線時最難掌握的部分。

新投資重要，但短期內難取代現有供應

SK 海力士在美國印第安納州西拉法葉的投資，能看出新產能需要時間。公司計畫在當地建置 AI 晶片封裝設施，並預計 2029 年第三季開始量產新一代 HBM4E。 這是重要的美國布局，但產品與產線功能不同，無法直接取代大連廠的 NAND 生產。

美國也在推動外國晶片廠商赴美設廠；與此同時，韓國政府和企業則推進本土投資。韓國媒體報導，三星與 SK 海力士已承諾投入 800 兆韓元，建設全羅南道—光州半導體產業聚落。16 對企業而言，投資地點不再只看單一市場，而是要在美國政策要求、韓國本土計畫與既有中國產能之間分配資源。

AI帶來的記憶體緊缺，讓既有產能更難放手

AI資料中心建設推升高頻寬記憶體（HBM）需求，也使記憶體供應更加吃緊。路透報導指出，三星與 SK 海力士合計掌握約三分之二的 DRAM 市場；供應受限的影響，可能沿著產業鏈傳到電腦與手機廠商。

三星在 2026 年初預期，AI需求將使當年晶片短缺加劇；SK 海力士執行長郭魯正則警告，產業可能在 2027 年面臨歷來最嚴重的供應短缺，需求超過供給的情況可能延續至 2030 年以後。 當市場缺貨時，能持續運作的既有產線自然更具戰略價值，也讓企業不容易只因政策壓力就迅速撤出中國。

這也說明兩種策略為何會並行：在許可範圍內維持中國產線，降低近期供應中斷的風險；同時把部分未來投資放到美國、越南、日本或韓國等地，分散長期政策與營運風險。

最後，這不是「中國或美國」的單選題。眼前的難題，是如何在設備許可仍須逐年審核的情況下，維持既有供應網絡，又為未來建立新產能。Mod B 爭議則凸顯了核心未解問題：美國會如何區分既有產線的設備安裝與被視為擴產的投資？目前公開資訊尚未給出明確答案。112

美國收緊晶片製造設備出口規則，AI熱潮又讓記憶體需求居高不下，三星電子與 SK 海力士因此面臨兩股相反力量：一方面，赴美及其他地區投資的壓力增加；另一方面，已在中國運作的產線仍是供應的重要一環。現有報導呈現的方向，較像是「保留中國營運、分散未來投資」，而不是全面撤出中國。

這種做法也不等於兩家公司已宣布全面凍結中國產能。更準確地說，美國設備出口許可變得更受限制，新增設備與產線升級的空間受到牽制；公司則在評估其他地點，並爭取維持既有設施的運作。

年度許可讓中國產線多了一道不確定性

美國過去採用的豁免安排已轉為按年核發設備出口許可。三星與 SK 海力士取得 2026 年的年度許可，但未來能否取得下一年度許可，不能視為理所當然。 對在中國設有大型晶圓廠的企業來說，年度審批意味著設備供應與產線規劃都得持續面對政策變動。

韓國媒體報導，受美國限制投資與設備升級的影響，韓國晶片廠正尋找美國、越南與日本等替代投資地點。 不過，另設新廠和維持既有廠區並非可以立即互換的選項：已運作的設施有既有設備、人員和供應網絡；新建產能則要經過建廠與設備導入等階段。保留這些既有條件，是理解企業為何不輕易撤出的重要背景，但不能據此推斷公司已公開確認特定成本因素。

至於「中國勞工成本較低」是否是三星或 SK 海力士維持中國布局的明確考量，所提供的報導沒有足夠資料證實。把低廉人力直接說成兩家公司決策的原因，會超出目前可確認的證據。

大連 Mod B：爭議在於設備許可的範圍

這場拉鋸在 SK 海力士的大連廠格外具體。路透報導，SK 海力士旗下美國公司 Solidigm 希望在大連廠尚未使用的 Mod B 空間安裝設備，生產 NAND 快閃記憶體；報導也指出，這項設備出口許可與一座規劃中的美國 NAND 新廠有所連結。1

但 SK 海力士對 Mod B 的說法有所不同。公司表示，該區域於 2023 年完工，裝機作業是在與美國政府協商並取得授權的情況下進行，且並未尋求擴大產能。12 路透報導所述的「尋求更多設備許可」，與公司所說的「現有裝機已獲授權」，可能涉及不同批次或範圍的設備。現有資訊無法 conclusively 判定美方如何界定這些安排，也無法證明後續許可已經核發；報導指出，2027 年的相關設備許可當時尚未取得。1

因此，關鍵不只是廠房是否已經建好，而是美方會把哪些設備安裝視為維持既有營運，哪些又會被視為增加產能或升級技術。這條界線，正是企業規劃中國產線時最難掌握的部分。

新投資重要，但短期內難取代現有供應

SK 海力士在美國印第安納州西拉法葉的投資，能看出新產能需要時間。公司計畫在當地建置 AI 晶片封裝設施，並預計 2029 年第三季開始量產新一代 HBM4E。 這是重要的美國布局，但產品與產線功能不同，無法直接取代大連廠的 NAND 生產。

美國也在推動外國晶片廠商赴美設廠；與此同時，韓國政府和企業則推進本土投資。韓國媒體報導，三星與 SK 海力士已承諾投入 800 兆韓元，建設全羅南道—光州半導體產業聚落。16 對企業而言，投資地點不再只看單一市場，而是要在美國政策要求、韓國本土計畫與既有中國產能之間分配資源。

AI帶來的記憶體緊缺，讓既有產能更難放手

AI資料中心建設推升高頻寬記憶體（HBM）需求，也使記憶體供應更加吃緊。路透報導指出，三星與 SK 海力士合計掌握約三分之二的 DRAM 市場；供應受限的影響，可能沿著產業鏈傳到電腦與手機廠商。

三星在 2026 年初預期，AI需求將使當年晶片短缺加劇；SK 海力士執行長郭魯正則警告，產業可能在 2027 年面臨歷來最嚴重的供應短缺，需求超過供給的情況可能延續至 2030 年以後。 當市場缺貨時，能持續運作的既有產線自然更具戰略價值，也讓企業不容易只因政策壓力就迅速撤出中國。

這也說明兩種策略為何會並行：在許可範圍內維持中國產線，降低近期供應中斷的風險；同時把部分未來投資放到美國、越南、日本或韓國等地，分散長期政策與營運風險。

最後，這不是「中國或美國」的單選題。眼前的難題，是如何在設備許可仍須逐年審核的情況下，維持既有供應網絡，又為未來建立新產能。Mod B 爭議則凸顯了核心未解問題：美國會如何區分既有產線的設備安裝與被視為擴產的投資？目前公開資訊尚未給出明確答案。112