中國距離自主開發 EUV 微影設備，還有多遠？

中國要自主打造極紫外光（EUV）微影設備，還有多遠？目前兩項估算都指向漫長的追趕路程：蔡司半導體部門主管 Frank Rohmund 認為，約需 15 年是合理推測；瑞銀（UBS）則判斷，未來十年內中國不太可能研發出可行方案，取代 ASML 的 EUV 技術。這些都是預測，不是確定期限，而且兩者談的是相關、但不完全相同的目標。 13

為什麼 EUV 不容易追上？

微影設備是晶片製程中用來將電路圖案轉印到晶片上的工具。EUV 是這場技術追趕中最受關注的一環；UBS 評估的重點，是中國能否做出可取代 ASML 領先 EUV 技術的設備。Rohmund 也提醒，中國的研發進度難以量化，因此「15 年」不應被理解成精確倒數。 13

挑戰不只在於設計出一台機器。德國蔡司是 ASML EUV 系統關鍵光學元件的供應商，顯示這類設備背後還牽涉高度專業的供應鏈。 2

DUV 可能較快進展，但不等於 EUV

中國較可能先在浸潤式深紫外光（DUV）微影設備上取得進展。DUV 是較早一代的微影技術。據報導，UBS 分析師預期，中國可能在 兩至五年內實現浸潤式 DUV 設備的大量生產。這項預測指向本土設備產能的提升，不代表中國已突破 EUV，也不等於能取代 ASML 最先進的系統。 3

因此，DUV 量產時程與 EUV 技術差距應分開看；前者的進展不能直接當成中國已追上 EUV 的證據。 3

出口管制的兩面效應

相關報導指出，EUV 系統目前不得出口至中國，部分較先進的浸潤式 DUV 設備出口也須取得許可。這些限制使中國較難取得海外設備；但 Rohmund 警告，進一步擴大管制也可能促使中國加快自主創新。 2311

因此，管制的長期效果不容易簡化成單方面的利或弊：它會限制設備取得，也可能提高發展國產替代方案的誘因。現有報導並未指出，這種反應能以多快速度縮小技術差距。 2

AI 帶動需求，蔡司擴充產能

AI 相關需求也正影響半導體設備市場。據報導，面對半導體光學元件需求上升，蔡司已擴大其半導體製造總部，並在另一處廠址興建額外產能；公司表示，若有需要也能進一步擴產。

這反映的是因應市場需求的產能調整，並非已知專為中國 EUV 發展或出口管制而制定的計畫。看待產業前景時，既要留意先進微影技術的競逐，也要看到需求成長下，光學元件供應能力的重要性。

這些估算能說明什麼？

目前較清楚的訊息是：中國在 DUV 的進展可能早於 EUV；至於自製 EUV 設備或發展出可行替代方案，相關估算仍以十年或更長時間計。蔡司提出的 15 年，是重要設備供應商主管的判斷；UBS 的時程則是分析師預測，兩者都不是保證實現的時間表。 13

值得留意的還有三點：蔡司光學元件是 ASML EUV 供應鏈的重要一環；出口管制限制設備取得，卻也可能刺激本土研發；AI 相關需求則促使蔡司增加產能。這些因素將共同影響產業走向，但現有報導無法確定中國何時、或是否能追上現有 EUV 系統。 23