長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）的 G5 平台量產，代表它正從以中國境內市場為主的 DRAM 供應商，走向能以產能參與主流行動與傳統 DRAM 市場競爭的業者。這會削弱三星、SK 海力士與美光長期主導的結構，但尚不足以顛覆三強，關鍵在於三大廠在 AI 系統所需的高頻寬記憶體（HBM）仍握有明顯優勢。65

G5 的意義在於成本與產能，而非單一製程數字

G5 採用四重圖案化（quadruple patterning），將記憶體陣列主動區半間距推進至 11.95 奈米。這種作法透過重複曝光與蝕刻形成更細的電路圖案，可在先進微影設備受限的情況下繼續縮小結構。123

更重要的是，長鑫存儲表示，G5 每片晶圓的裸晶（die）總產出較前一代平台至少增加 50%。對記憶體業而言，這直接關係到單位成本與可供應數量：若良率能隨量產爬升，技術進步就能從實驗室指標變成價格與供貨能力。123

不過，11.95 奈米是特定核心結構的量測指標，不能直接等同於不同廠商各自對「12 奈米級」DRAM 節點的命名；因此，這項成果更適合視為製程縮小與密度提升的訊號，而不是宣告已與領先者完全同級。4

24Gb LPDDR5X：往高密度行動記憶體推進

長鑫存儲同步讓兩款基於 G5 的 24Gb LPDDR5X 產品進入量產。LPDDR5X 是低功耗、高傳輸效能的 DRAM，主要用於智慧手機與其他可攜式消費電子產品；24Gb 容量也比該公司前代可比產品高出 50%。126

這一步讓 CXMT 的產品組合不再只聚焦於較傳統的 DRAM，而是可望切入更高密度、效能要求更高的行動記憶體區隔。中國龐大的手機與電子製造供應鏈，能提供初期導入市場與量產學習的機會，但實際競爭力仍取決於客戶認證、功耗表現、可靠性、良率與長期供貨能力。

市占上升，讓「三強壟斷」多了一個實質挑戰者

報導顯示，CXMT 在 2026 年第二季的全球 DRAM 營收市占率約達 10%，對一家中國 DRAM 業者而言是一個重要門檻。142

這意味著它已具有商業規模，並非僅是政策扶植下的小型替代供應商。然而，10% 市占不代表其在產品組合、獲利率、全球客戶驗證範圍或技術領先性上已與三星、SK 海力士、美光並駕齊驅。以 2025 年資料看，CXMT 市占約為 7.7%，已是全球第四大 DRAM 製造商，但仍落後於先進記憶體領域的領導者。18

國產設備合作提升韌性，但不等於全面自主

G5 使用多重圖案化路線，加上與中國半導體設備業者擴大合作，顯示中國即使無法取得最先進微影工具，仍可透過製程整合推進 DRAM 製造。這類量產需求會為國產設備商帶來訂單、製程經驗與改良動能，也提高供應鏈韌性。72

但「能夠推進」不等於「設備鏈已完全自主」。先進 DRAM 的量產仍高度依賴沉積、蝕刻、量測、材料、缺陷控制、良率管理及封裝等多項能力；每個環節都必須穩定協同，才能轉化為長期且具成本效益的出貨。

真正的考題仍是 HBM

一般 DRAM 與 LPDDR5X 的進展，不能直接推論為 HBM 競爭力。HBM 必須將多層 DRAM 透過矽穿孔（TSV）堆疊，並處理先進封裝、散熱與功耗控制、良率、與 GPU 或 AI 加速器的嚴格驗證，以及大規模穩定交貨等問題。

業界估計，中國在 HBM 領域與韓國約有 3 年差距，一般 DRAM 的差距則約為 2 年。5 若小量 HBM3E 產品已交付客戶進行資格驗證的報導屬實，確實代表進展；但這與建立可穩定競爭的量產供應仍是兩件事。4

三大廠的應對：守住高毛利與高門檻市場

三星、SK 海力士與美光並非退出傳統 DRAM，而是傾向將資本支出、製程藍圖和客戶關係更集中於高階 DDR5、LPDDR、HBM 與先進封裝等領域。這些市場通常有較高毛利，也有更長的技術與客戶認證門檻。26

因此，CXMT 最可能先在主流 DRAM、行動記憶體與面向中國市場的供應中，以新增產能和價格競爭施壓；三大廠則試圖守住 AI 記憶體的獲利核心。

結論：更像四強競爭，而非全面超車

中國的確取得了實質戰略進展：如今已有一家本土業者能擴大量產較先進的通用與行動 DRAM，降低對境外供應商的依賴，也使三大廠的長期主導地位不再那麼穩固。

但較準確的短期判斷是，全球 DRAM 正朝向由 CXMT 加入的「四家主要業者」市場演變。它會是一個強勁的價格與供應挑戰者，卻還不代表中國已實現全記憶體供應鏈技術自主，更不代表它已在 AI 導向的 HBM 市場取代三星、SK 海力士與美光。

長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）的 G5 平台量產，代表它正從以中國境內市場為主的 DRAM 供應商，走向能以產能參與主流行動與傳統 DRAM 市場競爭的業者。這會削弱三星、SK 海力士與美光長期主導的結構，但尚不足以顛覆三強，關鍵在於三大廠在 AI 系統所需的高頻寬記憶體（HBM）仍握有明顯優勢。65

G5 的意義在於成本與產能，而非單一製程數字

G5 採用四重圖案化（quadruple patterning），將記憶體陣列主動區半間距推進至 11.95 奈米。這種作法透過重複曝光與蝕刻形成更細的電路圖案，可在先進微影設備受限的情況下繼續縮小結構。123

更重要的是，長鑫存儲表示，G5 每片晶圓的裸晶（die）總產出較前一代平台至少增加 50%。對記憶體業而言，這直接關係到單位成本與可供應數量：若良率能隨量產爬升，技術進步就能從實驗室指標變成價格與供貨能力。123

不過，11.95 奈米是特定核心結構的量測指標，不能直接等同於不同廠商各自對「12 奈米級」DRAM 節點的命名；因此，這項成果更適合視為製程縮小與密度提升的訊號，而不是宣告已與領先者完全同級。4

24Gb LPDDR5X：往高密度行動記憶體推進

長鑫存儲同步讓兩款基於 G5 的 24Gb LPDDR5X 產品進入量產。LPDDR5X 是低功耗、高傳輸效能的 DRAM，主要用於智慧手機與其他可攜式消費電子產品；24Gb 容量也比該公司前代可比產品高出 50%。126

這一步讓 CXMT 的產品組合不再只聚焦於較傳統的 DRAM，而是可望切入更高密度、效能要求更高的行動記憶體區隔。中國龐大的手機與電子製造供應鏈，能提供初期導入市場與量產學習的機會，但實際競爭力仍取決於客戶認證、功耗表現、可靠性、良率與長期供貨能力。

市占上升，讓「三強壟斷」多了一個實質挑戰者

報導顯示，CXMT 在 2026 年第二季的全球 DRAM 營收市占率約達 10%，對一家中國 DRAM 業者而言是一個重要門檻。142

這意味著它已具有商業規模，並非僅是政策扶植下的小型替代供應商。然而，10% 市占不代表其在產品組合、獲利率、全球客戶驗證範圍或技術領先性上已與三星、SK 海力士、美光並駕齊驅。以 2025 年資料看，CXMT 市占約為 7.7%，已是全球第四大 DRAM 製造商，但仍落後於先進記憶體領域的領導者。18

國產設備合作提升韌性，但不等於全面自主

G5 使用多重圖案化路線，加上與中國半導體設備業者擴大合作，顯示中國即使無法取得最先進微影工具，仍可透過製程整合推進 DRAM 製造。這類量產需求會為國產設備商帶來訂單、製程經驗與改良動能，也提高供應鏈韌性。72

但「能夠推進」不等於「設備鏈已完全自主」。先進 DRAM 的量產仍高度依賴沉積、蝕刻、量測、材料、缺陷控制、良率管理及封裝等多項能力；每個環節都必須穩定協同，才能轉化為長期且具成本效益的出貨。

真正的考題仍是 HBM

一般 DRAM 與 LPDDR5X 的進展，不能直接推論為 HBM 競爭力。HBM 必須將多層 DRAM 透過矽穿孔（TSV）堆疊，並處理先進封裝、散熱與功耗控制、良率、與 GPU 或 AI 加速器的嚴格驗證，以及大規模穩定交貨等問題。

業界估計，中國在 HBM 領域與韓國約有 3 年差距，一般 DRAM 的差距則約為 2 年。5 若小量 HBM3E 產品已交付客戶進行資格驗證的報導屬實，確實代表進展；但這與建立可穩定競爭的量產供應仍是兩件事。4

三大廠的應對：守住高毛利與高門檻市場

三星、SK 海力士與美光並非退出傳統 DRAM，而是傾向將資本支出、製程藍圖和客戶關係更集中於高階 DDR5、LPDDR、HBM 與先進封裝等領域。這些市場通常有較高毛利，也有更長的技術與客戶認證門檻。26

因此，CXMT 最可能先在主流 DRAM、行動記憶體與面向中國市場的供應中，以新增產能和價格競爭施壓；三大廠則試圖守住 AI 記憶體的獲利核心。

結論：更像四強競爭，而非全面超車

中國的確取得了實質戰略進展：如今已有一家本土業者能擴大量產較先進的通用與行動 DRAM，降低對境外供應商的依賴，也使三大廠的長期主導地位不再那麼穩固。

但較準確的短期判斷是，全球 DRAM 正朝向由 CXMT 加入的「四家主要業者」市場演變。它會是一個強勁的價格與供應挑戰者，卻還不代表中國已實現全記憶體供應鏈技術自主，更不代表它已在 AI 導向的 HBM 市場取代三星、SK 海力士與美光。