長鑫存儲傳在北京布局 NAND 研發線：從 DRAM 跨入快閃記憶體，挑戰長江存儲與國際大廠

路透社9月18日引述知情人士報導，中國記憶體晶片業者長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）正準備在北京新廠建立 NAND 快閃記憶體研發與試產線，意味著公司可能從核心的 DRAM 業務延伸至儲存型記憶體市場。不過，這仍屬早期研發規畫，並不是已對外宣布的商用 NAND 晶圓廠，多項關鍵營運細節尚未公開。1

北京新廠傳出規畫什麼？

• CXMT 擬在北京設置 NAND 快閃記憶體的研發生產線；該公司也已在北京成立研究院，NAND 開發是其研究項目之一。1
• 據報，CXMT 已向潛在客戶討論 NAND 規畫，其中包括一家身分未公開的新創公司，尋求採購用於 AI 系統與超級電腦儲存產品的 NAND。1
• DRAM 與 NAND 的角色互補：DRAM 是處理器運算時使用的工作記憶體；NAND 則是手機、個人電腦與資料中心用來長期保存資料的非揮發性儲存媒體。1

為何此時跨入 NAND？

AI 伺服器建置需求帶動全球記憶體供應吃緊，業界高階主管預期緊張情勢至少可能持續至2027年。同時，因主要廠商將投資優先放在 DRAM 與高頻寬記憶體（HBM），NAND 新增產能受到限制。1

對 CXMT 而言，若 NAND 計畫推進，便可能不再主要只是 DRAM 供應商，而能向中國境內的 AI、伺服器、資料中心、儲存系統、PC 與終端裝置客戶，提供更完整的記憶體產品組合。與 AI 和超級電腦儲存產品客戶的接觸，是這項策略最明確的訊號。1

供應偏緊也提高了中國記憶體廠商在部分本土客戶面前的議價空間；不過，CXMT 和長江存儲目前相較於全球龍頭，仍較集中於價格較低的產品區段。1

對競爭格局有何影響？

過去，CXMT 與長江存儲（Yangtze Memory Technologies，YMTC）可說是中國記憶體產業的兩個主要代表，業務分工相對清楚：CXMT 專攻 DRAM，長江存儲主攻 NAND。但這條界線已開始模糊；路透社先前曾報導，長江存儲已向客戶送樣低功耗 DRAM。1

若 CXMT 的 NAND 研發線落地，將更直接進入長江存儲的主場，也可能成為三星電子、SK hynix 與 Micron 在 NAND 市場的另一個潛在競爭者。2026年第二季，三星以29.3%的 NAND 營收市占率居首，SK hynix 與 Micron 緊隨其後。1

但這不表示 CXMT 可立即在 NAND 的規模或技術上與既有大廠並列。現有報導所指的是研發與試產線，而國際領導廠商已是具備大規模量產能力的供應商。1

現階段還不知道什麼？

路透社的報導未能確認下列資訊：

• NAND 研發／試產線何時投入運作。1
• CXMT 是否會從試產進一步轉為大規模商業製造。1
• NAND 的製程節點、堆疊層數、架構、晶圓投片產能、良率、商業出貨日期，以及預期銷售量。1

因此，目前沒有足夠證據顯示 CXMT 自製 NAND 能在短期內緩解全球供應緊張，或很快成為 SSD、伺服器儲存產品的重要供貨來源。1

別和其他 CXMT 計畫混為一談

• 北京的 DRAM 擴產案另當別論： 8月有報導指出，CXMT 正考慮在北京亦莊興建第二座12吋記憶體晶圓廠；當地已有其 DRAM 廠。該案涉及產能擴張與融資洽談，並不等於新廠已確認為商用 NAND 廠。3
• HBM 進展不是 NAND： CXMT 傳出小量生產 HBM3E，是把多層 DRAM 堆疊、服務 AI 運算的高頻寬記憶體布局，與 NAND 快閃記憶體開發不同。2 另有報導稱，其 HBM3 試產良率約25%，明顯低於業界常提的大規模量產約80%門檻；這項數字不應被誤當成 NAND 良率。5
• 沒有證據可連結「XStacking」： 9月18日的路透社報導未提及 XStacking 或任何具名的 NAND 鍵合、堆疊製程。因此，現有資訊不足以將 XStacking 技術、製程節點或量產路線圖歸因於這條規畫中的產線。1
• 上市募資不等於 NAND 專案資金已定： CXMT 於7月首次公開募股（IPO）籌得579.2億元人民幣（約86億美元）；另一路透報導稱，其北京 DRAM 廠計畫正與地方政府支持的科技製造園區洽談早期融資。這些資訊反映公司擴張獲得資金支持，但不代表 NAND 研發線已取得專屬資本支出、資金規模或產出目標的確認。13