EUV差距仍以十年計，中國AI記憶體自製化卻加速推進

中國的半導體自主化，正沿著兩條速度完全不同的路徑前進。

一條是EUV（極紫外光）微影設備，這是先進邏輯晶片製造的核心工具，也是最難補上的缺口。蔡司半導體製造技術部門主管Frank Rohmund認為，中國開發出EUV微影機，15年是合理估計；瑞銀的分析則認為，中國距離具商業競爭力的整套EUV供應鏈至少仍有十年。這些都是預估而非倒數計時，但共同指向一件事：做出能展示的機器，與交付能在晶圓廠穩定量產、可和ASML競爭的平台，中間仍有很長距離。

另一條則是AI記憶體。長鑫存儲（CXMT）據報已開始小量生產HBM3E，並將產品提供給阿里巴巴旗下平頭哥及寒武紀等中國AI晶片開發商測試。這尚不是大規模量產的宣告，卻是中國建立本土AI記憶體供應選項的重要一步。810

EUV難的從來不只是一台掃描機

EUV不是單一設備的競賽，而是一個高度整合的製造系統。要具備競爭力，必須同時掌握穩定光源、超高精度光學元件、光罩與保護膜、污染控制、量測技術、軟體、現場維護，以及能支援高產能晶圓廠的供應鏈。

量產標準也遠比實驗室展示嚴苛。設備不僅要能讓晶圓曝光，還要在客戶產線上持續交出足夠的產能、疊對精度、稼動率與一致性。因此，即使未來出現中國自研EUV原型機，也不代表已經追平ASML的量產平台。

DUV已有進展，但不能直接視為EUV替代品

中國在浸潤式氟化氬深紫外光（DUV）微影已有進展，外界報導也將上海微電子裝備（SMEE）與瞄準約28奈米等級的設備研發連結在一起。浸潤式DUV是重要能力，因為它可透過多重圖案化支援較先進的製程。

不過，多重圖案化意味著更多次曝光、更多光罩與更多製程步驟。相較在相關層使用EUV，這通常會提高製程複雜度、成本與良率風險。DUV的里程碑也不應直接等同於已證明能以ASML既有系統的生產力與可靠度進行高量產。

這個差異很重要：中國可以逐步提高國產設備覆蓋率、降低對海外設備的依賴，卻不必然代表立即追上最先進邏輯晶片所用的EUV技術。

出口管制延緩前沿技術，也強化國產替代誘因

出口限制使ASML的EUV系統無法出售至中國，對最先進浸潤式DUV設備的取得也更加嚴格。這會限制中國短期內取得領先製程所需設備的能力。

Rohmund反對將限制擴大至較舊、較成熟的DUV設備，理由不只在戰略層面，也在商業現實。成熟製程設備服務廣泛的民用晶片需求；若限制再擴大，設備供應商將失去營收，同時也可能讓中國更有動機、更快投入國產替代。

換言之，管制可以延後取得技術前沿的時間，卻不會自動消除研發替代方案的誘因。真正的考驗仍是：本土供應商能否把投資與原型成果，轉化為可靠、可長期運轉且能高量生產的設備。

CXMT的HBM3E，走的是較快但尚未驗證的路

HBM是將多層DRAM堆疊、以高速互連整合的高頻寬記憶體，是AI加速器的重要零組件。CXMT傳出已小量生產HBM3E並供國內AI晶片業者測試，代表中國AI供應鏈開始出現本土記憶體選項；但其產量仍有限，量產能力尚未獲得驗證。810

三星、SK海力士與美光仍在先進HBM領域占據既有優勢。報導指出，CXMT目前處於小批量階段，後續目標是擴大產出；三星、SK海力士與美光則已量產更新一代的HBM4。68

對中國AI加速器業者而言，即使是早期的本土供應選項，也可能降低供應鏈依賴，並提供產品驗證與導入的路徑。對三星與SK海力士來說，近期競爭壓力較可能先集中於中國市場，而非立刻改寫全球高階HBM市場格局。

接下來該看什麼？

判斷中國半導體能力，不能只用一個「差幾年」的數字概括。EUV微影方面，通往具競爭力生態系的差距依然很大，依Rohmund與瑞銀的估計約為十年以上；AI記憶體方面，CXMT的HBM3E進展則顯示，中國可在供應鏈的特定環節以更快速度推進。

接下來最值得觀察的，不是一則原型機或試產新聞，而是能否持續證明良率、可靠度、客戶驗證與製造規模——無論是SMEE的DUV設備、未來的國產EUV平台，還是CXMT的HBM產出。