AI 基礎建設正讓記憶體市場從熟悉的景氣循環,轉變成「誰能拿到產能」的配置問題。超大規模雲端業者建置 AI 叢集時,不只需要搭配先進加速器的高頻寬記憶體(HBM),也需要高密度伺服器 DRAM 與大量儲存資料的 NAND。記憶體製造商因而優先投入附加價值較高的 AI 產品;但 PC、手機及其他電子產品的需求並未消失,使傳統記憶體市場可調度的餘裕變少。
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AI 為何同時推升 DRAM 與 NAND 壓力?
最顯眼的瓶頸是 HBM。它是貼近先進 AI 處理器使用的特殊 DRAM,生產不僅依賴稀缺的先進製程產能,也仰賴先進封裝能力。IDC 指出,眼前供需失衡的主要推手是 AI 基礎建設,尤其是 GPU 伺服器所用的 HBM 與高密度 DRAM;伺服器端需求成長速度快過供給擴張速度。
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壓力並不只在 HBM。AI 系統同樣需要容量龐大、速度快的儲存資源,帶動企業級 NAND 需求。當原廠把產能與投資轉往 AI 導向的高毛利產品,傳統 DRAM、NAND 買家就得在有限產能中競爭,或承擔更高價格。IDC 表示,這類往高毛利 AI 記憶體產品的重新配置,已是消費性電子產品面臨缺貨的原因之一。
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為何緊缺可能持續到 2027 年?
記憶體產能不是按下開關就能增加。新產能必須經歷廠房建置、設備裝機、客戶驗證與良率爬升;先進 HBM 還多了一層特殊封裝限制。Synopsys 執行長 Sassine Ghazi 表示,考量新產能上線所需時間,這波供應吃緊將延續整個 2026 與 2027 年。
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Micron 也表示,AI 對記憶體需求的重塑速度快過產業新增供給能力,市場緊張情勢預計會一路延伸至 2027 年後。
7 IDC 的供給預測則凸顯了這項限制:2026 年 DRAM 供給量預計年增 16%,NAND 年增 17%,兩者均低於歷史常態。
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這不代表所有記憶體品項都會以相同程度缺貨。HBM、伺服器 DRAM、用戶端 DRAM 與 NAND 的情況,仍會受到合約條件、產品世代、供應商配貨與終端市場需求影響。但共通點是:新增供給到位的速度,仍落後於 AI 帶動需求擴張的速度。
PC、手機為何可能變貴?
記憶體是裝置物料成本(BOM)的重要組成。IDC 指出,智慧型手機與 PC 正承受更高的零組件成本,並改變產品的成本結構。
8 品牌商可能選擇自行吸收成本、調漲售價、調整記憶體或儲存容量配置,或修改產品規劃。
在 IDC 對 2026 年的情境估算中,智慧型手機平均售價在中度情境下可能上升 3% 至 5%;悲觀情境則可能上升 6% 至 8%。這些是情境推估,並不表示每一款手機都必然按相同比例漲價。
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對下游零組件供應商而言,主要風險屬於間接影響:若 PC、手機或周邊產品因成本上升而改變出貨量、產品組合或庫存需求,供應鏈業者都可能受波及。現有資料並未提供 Sonix Technology 的特定財務衝擊、預測或公司指引,因此無法據此量化其個別影響。
群聯對 NAND 的警訊,該如何解讀?
群聯電子(Phison)執行長潘健成警告,NAND Flash 可能在 2027 年出現最嚴重的短缺。
17 另有報導指出,他獲悉新增 NAND 產能可能約需四年才能追上需求;若此判斷成真,供需追平時間可能落在 2030 年或更晚。
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不過,這應視為風險展望,而非已經確定的市場預測。較有多方資料支持的近期結論是:記憶體供應偏緊與價格偏高,可能至少持續至 2027 年。至於是否走向 2030 年,仍取決於新產能爬升速度、良率改善、多少產能持續配置給 AI 記憶體,以及 AI 基礎建設需求能否維持目前成長步調。
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新產能何時才會帶來實質幫助?
SK hynix 在美國印第安納州投資逾 40 億美元的計畫,說明了市場回應的規模,也反映擴產的長時間尺度。該公司預計在 2028 年 10 月前完成無塵室,並於 2029 年第 3 季開始量產 HBM4E。執行長郭魯正則預期,記憶體短缺會持續至 2030 年底。
這座廠從 2029 年底起將為美國增加重要的 HBM 封裝能力;但它不會立即解決所有記憶體品類的問題。面向下一代 HBM 的封裝廠,本身無法直接創造足夠的晶圓供給,也無法單獨排除傳統 DRAM 與 NAND 全供應鏈的瓶頸。
對市場與消費者的重點
這波記憶體緊缺已不只是半導體產業的週期故事,更是裝置廠的產品規劃問題,以及供應鏈企業的採購問題。AI 資料中心正消耗原本可供更廣泛電子產品使用的記憶體能力,而替代產能往往需要數年才會到位。
預期最明顯的壓力仍會集中於 AI 導向記憶體與伺服器,並至少透過價格外溢影響消費性 DRAM 與 NAND 至 2027 年。隨新產能逐步開出,市場或許會出現不均衡的改善;但若新增供給主要針對 HBM,而非整體記憶體供應鏈,對「某一年全面恢復正常」的說法仍應審慎看待。