這項消息的核心，不是 SK 海力士已經決定「改用英特爾」，而是它據報正在評估一種台積電加英特爾的雙重供應模式：由英特爾晶圓代工製造下一代 HBM4E 堆疊所需的部分邏輯基底晶粒，同時延續與台積電的合作。SK 海力士、英特爾與台積電目前都沒有公開確認量產協議，因此現階段應視為評估中的方案，而非已定案的生產安排。234

這個策略的邏輯並不複雜。隨著 AI 晶片製造商積極確保高頻寬記憶體（HBM）供應，基底晶粒已從配角變成成本與供應鏈管理上的關鍵元件。若能認證第二家供應商，SK 海力士就有機會分散風險、管理成本與產能，並在與台積電協商價格和產能時取得更多籌碼，而不必放棄既有的台積電關係。

為何 SK 海力士要尋找第二家基底晶粒供應商？

HBM 是將多層 DRAM 垂直堆疊在一層邏輯晶片之上。這層邏輯晶片通常稱為 base die（基底晶粒），它不像上方的 DRAM 層主要負責儲存資料，而是協助管理記憶體介面、傳送訊號，並把 HBM 堆疊連接到周邊的 AI 加速器封裝。隨著 HBM 走向更寬的連接介面和更低的功耗，SK 海力士也指出，邏輯晶粒的重要性正持續提高。7

在 HBM4 上，SK 海力士採用台積電 12 奈米級邏輯製程來製造基底晶粒。相關產業報導指出，這類基底晶粒的製造成本可能約為核心 DRAM 晶粒的 3 至 4 倍。這樣的成本差距，讓記憶體製造商有動機尋找額外的生產路徑；對客製化程度較低的產品而言，最先進的製程也未必總是必要。2415

雙重供應還能降低對單一晶圓代工廠的依賴。前提是英特爾能在良率、功耗、可靠度及封裝相容性等方面達到要求，SK 海力士才可能把部分產量分配給英特爾、其餘交由台積電。至於兩家供應商的實際分工比例與量產時間表，目前仍沒有公開資訊。

HBM4E 需求升溫，讓供應鏈選擇更重要

SK 海力士已向主要客戶出貨 12 層 HBM4E 樣品。公司表示，這些樣品最高可達每針腳 16 Gbps，功耗效率則較前一代提升逾 20%。15

這些規格之所以受到關注，是因為 HBM 已成為現代 AI 系統效能的核心之一。更快的記憶體能更迅速地供應資料給 AI 加速器，而較佳的功耗效率則有助於降低大型 AI 部署的耗電與散熱負擔。但效能越高，也代表從 DRAM、基底晶粒到最終封裝，每個環節都必須具備穩定且可擴大的量產能力。

市場需求升溫的同時，供應環境也更加緊張。NVIDIA 的供應與產能承諾據報由 1,190 億美元增至 2,790 億美元，其中記憶體採購是重要推動因素。這個數字涵蓋更廣泛的供應鏈和基礎設施承諾，並不代表 NVIDIA 對 SK 海力士單一一家公司的 HBM 採購金額；但它反映出，AI 產業正努力確保每個關鍵生產環節的供應。

基底晶粒製造，和最終封裝不是同一件事

HBM 涉及多項彼此相連、但不能混為一談的技術。用晶圓製程製造邏輯基底晶粒，是其中一個環節；把 HBM 堆疊與 AI 加速器組合成最終產品封裝，則是另一個環節。

台積電 CoWoS 是一系列 2.5D 先進封裝技術，透過高密度互連結構，把 AI 加速器與多組 HBM 整合在同一封裝中。英特爾 EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多晶粒互連橋接）則是在封裝基板內嵌小型矽橋，建立高密度的晶粒對晶粒連接。

相關報導稱，SK 海力士已測試以英特爾 EMIB 為基礎的封裝方式整合 HBM，並評估相關材料與零組件。 因此，英特爾可能在供應鏈的兩個層面扮演角色：

• 晶圓代工： 製造部分 HBM4E 邏輯基底晶粒。
• 先進封裝： 提供或支援以 EMIB 為基礎的記憶體與邏輯晶片整合。

不過，這兩種可能性必須分開看。測試封裝技術，不能證明英特爾將負責製造基底晶粒；基底晶粒通過認證，也不代表英特爾已成為完整 AI 封裝的供應商。

對英特爾和台積電可能意味著什麼？

對英特爾而言，即使只取得 SK 海力士規模有限的訂單，也可能是英特爾晶圓代工業務爭取外部客戶的重要案例。這將展示英特爾能否把製造與先進封裝能力，應用於 HBM 這種要求高、成長快的 AI 關鍵元件。當然，真正的商業影響仍取決於英特爾能否從評估階段走到通過認證，並實現可重複的量產。

對台積電來說，如果只是失去潛在基底晶粒計畫的一部分，短期財務影響可能有限。更值得注意的是策略層面的訊號：一個可信的替代供應商，可能削弱台積電在 HBM 邏輯製造上的獨家優勢，並提高 SK 海力士在價格與產能談判上的議價能力。但由於目前尚未公布實際產量分配，這仍只是可能的結果，而非已經發生的變化。2

三星電子與美光也可能關注這項發展。報導指出，兩家公司曾評估英特爾封裝方案的相容性，但這不等於已公布採用計畫。若要形成更廣泛的供應鏈轉向，仍須先證明 EMIB 能符合客戶對效能、功耗、成本與量產可靠度的要求。

這項合作如何連結英特爾與 SK 海力士的既有關係？

潛在的 HBM 合作並非兩家公司第一次出現商業連結，但兩者不能直接畫上等號。2020 年，英特爾同意以 90 億美元出售 NAND 記憶體與儲存業務給 SK 海力士，交易內容包括 SSD 業務、NAND 資產及中國大連廠。交易首階段金額為 70 億美元，並於 2021 年 12 月完成。

此外，市場也曾報導 SK 海力士可能成為英特爾俄亥俄州晶圓廠的合作夥伴。SK 海力士否認收購計畫，而這項消息與 HBM4E 基底晶粒方案是兩回事。不過，兩者都顯示外界正在觀察記憶體大廠與英特爾晶圓代工、先進封裝業務擴大合作的可能性。

真正關鍵不是新聞標題，而是能否通過量產認證

目前最合理的解讀，是把英特爾方案視為 SK 海力士的供應鏈避險策略。基底晶粒成本據報偏高，AI 客戶正提前鎖定產能，而 HBM4E 對邏輯、功耗與封裝提出更高要求，這些因素都讓尋找第二個供應來源具有吸引力。

但第二個供應商只有在能交出量產規模的結果時才真正有用。英特爾必須證明其方案能達到所需的良率、功耗特性、可靠度、智慧財產整合能力，以及與 SK 海力士 HBM 生產流程的相容性。

在 SK 海力士、英特爾或台積電正式確認生產協議與產量分配之前，最準確的結論是：SK 海力士正在探索把英特爾納入台積電之外的潛在供應選項，而不是已經全面取代台積電。

這項消息的核心，不是 SK 海力士已經決定「改用英特爾」，而是它據報正在評估一種台積電加英特爾的雙重供應模式：由英特爾晶圓代工製造下一代 HBM4E 堆疊所需的部分邏輯基底晶粒，同時延續與台積電的合作。SK 海力士、英特爾與台積電目前都沒有公開確認量產協議，因此現階段應視為評估中的方案，而非已定案的生產安排。234

這個策略的邏輯並不複雜。隨著 AI 晶片製造商積極確保高頻寬記憶體（HBM）供應，基底晶粒已從配角變成成本與供應鏈管理上的關鍵元件。若能認證第二家供應商，SK 海力士就有機會分散風險、管理成本與產能，並在與台積電協商價格和產能時取得更多籌碼，而不必放棄既有的台積電關係。

為何 SK 海力士要尋找第二家基底晶粒供應商？

HBM 是將多層 DRAM 垂直堆疊在一層邏輯晶片之上。這層邏輯晶片通常稱為 base die（基底晶粒），它不像上方的 DRAM 層主要負責儲存資料，而是協助管理記憶體介面、傳送訊號，並把 HBM 堆疊連接到周邊的 AI 加速器封裝。隨著 HBM 走向更寬的連接介面和更低的功耗，SK 海力士也指出，邏輯晶粒的重要性正持續提高。7

在 HBM4 上，SK 海力士採用台積電 12 奈米級邏輯製程來製造基底晶粒。相關產業報導指出，這類基底晶粒的製造成本可能約為核心 DRAM 晶粒的 3 至 4 倍。這樣的成本差距，讓記憶體製造商有動機尋找額外的生產路徑；對客製化程度較低的產品而言，最先進的製程也未必總是必要。2415

雙重供應還能降低對單一晶圓代工廠的依賴。前提是英特爾能在良率、功耗、可靠度及封裝相容性等方面達到要求，SK 海力士才可能把部分產量分配給英特爾、其餘交由台積電。至於兩家供應商的實際分工比例與量產時間表，目前仍沒有公開資訊。

HBM4E 需求升溫，讓供應鏈選擇更重要

SK 海力士已向主要客戶出貨 12 層 HBM4E 樣品。公司表示，這些樣品最高可達每針腳 16 Gbps，功耗效率則較前一代提升逾 20%。15

這些規格之所以受到關注，是因為 HBM 已成為現代 AI 系統效能的核心之一。更快的記憶體能更迅速地供應資料給 AI 加速器，而較佳的功耗效率則有助於降低大型 AI 部署的耗電與散熱負擔。但效能越高，也代表從 DRAM、基底晶粒到最終封裝，每個環節都必須具備穩定且可擴大的量產能力。

市場需求升溫的同時，供應環境也更加緊張。NVIDIA 的供應與產能承諾據報由 1,190 億美元增至 2,790 億美元，其中記憶體採購是重要推動因素。這個數字涵蓋更廣泛的供應鏈和基礎設施承諾，並不代表 NVIDIA 對 SK 海力士單一一家公司的 HBM 採購金額；但它反映出，AI 產業正努力確保每個關鍵生產環節的供應。

基底晶粒製造，和最終封裝不是同一件事

HBM 涉及多項彼此相連、但不能混為一談的技術。用晶圓製程製造邏輯基底晶粒，是其中一個環節；把 HBM 堆疊與 AI 加速器組合成最終產品封裝，則是另一個環節。

台積電 CoWoS 是一系列 2.5D 先進封裝技術，透過高密度互連結構，把 AI 加速器與多組 HBM 整合在同一封裝中。英特爾 EMIB（Embedded Multi-die Interconnect Bridge，嵌入式多晶粒互連橋接）則是在封裝基板內嵌小型矽橋，建立高密度的晶粒對晶粒連接。

相關報導稱，SK 海力士已測試以英特爾 EMIB 為基礎的封裝方式整合 HBM，並評估相關材料與零組件。 因此，英特爾可能在供應鏈的兩個層面扮演角色：

• 晶圓代工： 製造部分 HBM4E 邏輯基底晶粒。
• 先進封裝： 提供或支援以 EMIB 為基礎的記憶體與邏輯晶片整合。

不過，這兩種可能性必須分開看。測試封裝技術，不能證明英特爾將負責製造基底晶粒；基底晶粒通過認證，也不代表英特爾已成為完整 AI 封裝的供應商。

對英特爾和台積電可能意味著什麼？

對英特爾而言，即使只取得 SK 海力士規模有限的訂單，也可能是英特爾晶圓代工業務爭取外部客戶的重要案例。這將展示英特爾能否把製造與先進封裝能力，應用於 HBM 這種要求高、成長快的 AI 關鍵元件。當然，真正的商業影響仍取決於英特爾能否從評估階段走到通過認證，並實現可重複的量產。

對台積電來說，如果只是失去潛在基底晶粒計畫的一部分，短期財務影響可能有限。更值得注意的是策略層面的訊號：一個可信的替代供應商，可能削弱台積電在 HBM 邏輯製造上的獨家優勢，並提高 SK 海力士在價格與產能談判上的議價能力。但由於目前尚未公布實際產量分配，這仍只是可能的結果，而非已經發生的變化。2

三星電子與美光也可能關注這項發展。報導指出，兩家公司曾評估英特爾封裝方案的相容性，但這不等於已公布採用計畫。若要形成更廣泛的供應鏈轉向，仍須先證明 EMIB 能符合客戶對效能、功耗、成本與量產可靠度的要求。

這項合作如何連結英特爾與 SK 海力士的既有關係？

潛在的 HBM 合作並非兩家公司第一次出現商業連結，但兩者不能直接畫上等號。2020 年，英特爾同意以 90 億美元出售 NAND 記憶體與儲存業務給 SK 海力士，交易內容包括 SSD 業務、NAND 資產及中國大連廠。交易首階段金額為 70 億美元，並於 2021 年 12 月完成。

此外，市場也曾報導 SK 海力士可能成為英特爾俄亥俄州晶圓廠的合作夥伴。SK 海力士否認收購計畫，而這項消息與 HBM4E 基底晶粒方案是兩回事。不過，兩者都顯示外界正在觀察記憶體大廠與英特爾晶圓代工、先進封裝業務擴大合作的可能性。

真正關鍵不是新聞標題，而是能否通過量產認證

目前最合理的解讀，是把英特爾方案視為 SK 海力士的供應鏈避險策略。基底晶粒成本據報偏高，AI 客戶正提前鎖定產能，而 HBM4E 對邏輯、功耗與封裝提出更高要求，這些因素都讓尋找第二個供應來源具有吸引力。

但第二個供應商只有在能交出量產規模的結果時才真正有用。英特爾必須證明其方案能達到所需的良率、功耗特性、可靠度、智慧財產整合能力，以及與 SK 海力士 HBM 生產流程的相容性。

在 SK 海力士、英特爾或台積電正式確認生產協議與產量分配之前，最準確的結論是：SK 海力士正在探索把英特爾納入台積電之外的潛在供應選項，而不是已經全面取代台積電。