美國銀行預期,AI 供應限制與電子產品旺季備貨疊加,將推動 DRAM 與 NAND 現貨價格在 2026 年 9 月再升 10% 至 20%。 AI 加速器所需的高頻寬記憶體(HBM)消耗不成比例的 DRAM 產能,使 DDR4、DDR5、伺服器記憶體與部分企業級 NAND 的供應彈性下降。
研究答案

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What is driving Bank of America’s forecast that DRAM and NAND spot prices will rise another 10%–20% in September 2026, how severe has the me. Article summary: Bank of America’s September spot-price call reflects a supply shock meeting seasonal demand: memory makers are allocating scarce wafer and packaging resources to higher-margin HBM for AI servers while electronics makers . Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
這一輪記憶體漲價,並不只是消費電子突然變熱,而是有限的製造資源正被重新分配給人工智慧(AI)產品:記憶體廠商優先供應高頻寬記憶體(HBM)及其他 AI 相關產品;另一方面,PC、手機、遊戲主機與伺服器製造商正為傳統年末旺季提前備貨。兩股需求同時出現,讓一般 DRAM 與 NAND 的供應更加緊張,也為價格再上行留下空間。17
美國銀行(Bank of America,簡稱美銀)預期,DRAM 與 NAND 現貨價格在 2026 年 9 月可能再上升 10% 至 20%。這項預測是在記憶體價格已經強勁上漲、設備製造商又為旺季生產重新採購之後提出。17
TrendForce 8 月 28 日的現貨市場資料,列出 16Gb DDR4-3200 的交易時段平均價為 91.293 美元,16Gb DDR5-4800/5600 則為 53.933 美元。 這些是晶片層級的現貨參考價,並不等同於消費者購買完整記憶體套裝時支付的零售價。
這個區分相當重要。現貨價、季度合約價、記憶體模組價格與零售價,分別位於供應鏈的不同環節;其中一項價格大幅變動,不代表其他環節會立即、等幅度跟漲。
目前最明顯的訊號,不是單一個驚人的漲幅,而是現貨價格高企、庫存稀少,以及客戶開始提前鎖定產能這幾項因素同時出現。
SK 海力士(SK Hynix)表示,公司 2026 年的 DRAM、HBM 與 NAND 產量已全部售罄,客戶甚至已把傳統記憶體的生產時段預訂到翌年。公司形容 DRAM 與 NAND 市場「極度緊張」。2
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零售市場也反映出供應壓力。Tom’s Hardware 的美國價格追蹤資料顯示,64GB DDR5-6000 記憶體套裝價格為 849 美元,歷史低點則是 159 美元;同一份資料中,96GB 套裝價格為 1,799 美元,128GB DDR5-6400 套裝則達 3,399 美元。
其他零售報告也曾記錄部分 64GB DDR5 套裝價格超過 1,200 美元,按特定追蹤組合計算,年增幅接近 500%。不過,這些數字只代表特定容量、速度或零售清單,不能直接套用到所有 DDR5 產品。
因此,消費者看到的高價更適合被理解為市場截面,而非所有記憶體產品的統一行情。
HBM 是這場供應緊張的核心。它並不是記憶體廠商可以在完全不影響其他產品的情況下,額外增加生產的產品。AI 加速器使用的 HBM 需要大量 DRAM 製造資源與先進封裝能力。
據 The Motley Fool 引述 TrendForce 的估算,2027 年 HBM 可能消耗三星、SK 海力士與美光這三大記憶體廠商約 30% 的 DRAM 生產產能,但只佔其產出位元數約 13%。4 換句話說,HBM 所占用的製造資源,遠高於它在位元產量上的比例。
當產能組合轉向 HBM,DDR5、舊一代 DDR4、行動 DRAM 與伺服器 DRAM 就必須在更有限的資源中競爭。AI 客戶又透過長期合約提前確保供應,令傳統記憶體對需求小幅增加都更加敏感。
DDR4 的處境尤其特殊。雖然它是較舊的標準,許多現有 PC、伺服器、工業系統與其他設備仍然依賴 DDR4;但在 HBM 和新一代產品回報更高的情況下,廠商缺乏大幅擴充舊規格產能的誘因。結果是,越「老」的記憶體標準,反而可能在短缺期間變得越昂貴。
AI 資料中心需要的不只是加速器記憶體。資料集、模型檢查點與推論基礎設施,都需要高容量、高速度的儲存設備,這為企業級 SSD 帶來需求,也改善 NAND 的價格前景。5
傳統電子產品需求也在支撐 NAND。OEM 廠商正提前採購,為年末銷售季準備手機、PC、遊戲主機及其他產品。美銀對 9 月的看法,正是 AI 基礎設施需求與電子供應鏈短期備貨潮疊加的結果。17
不過,NAND 各產品類別的證據並不完全一致。美銀後續展望預期,第四季價格仍可能進一步上升,之後在 2027 年維持穩定或出現輕微修正,並可能於 2028 年下跌。 這表示 NAND 可能與 DRAM 一樣復甦,但不同產品的價格走勢可能更加不均勻。
記憶體成本上升,可能帶來幾種結果:
短期內,記憶體容量需求較高的產品,以及仍依賴 DDR4 的系統,可能承受最大壓力。對 PC 組裝與升級使用者而言,不同容量和速度之間的價差也可能明顯擴大,因為高容量套裝在零售追蹤中出現了最劇烈的部分漲幅。
但零售套裝價格不能直接視為 DRAM 晶片成本。完整套裝還包含模組製造、測試、物流、零售商利潤、庫存狀況,以及特定速度或容量的溢價。晶片現貨價與零售案例都顯示市場承受壓力,但兩者衡量的是供應鏈中的不同環節。
記憶體短缺與 Nvidia AI 加速器需求強勁的敘事基本一致:HBM 需求旺盛,說明資料中心業者仍在爭取 AI 基礎設施。SK 海力士作為 Nvidia 供應商,以及公司所稱的提前預訂情況,都顯示加速器需求與記憶體供應已高度連動。2
不過,同一場短缺也可能限制 Nvidia 的系統出貨量。如果 HBM、先進封裝或相關記憶體元件供應跟不上,市場對加速器的需求不會自動轉化為已完成並交付的系統。
目前證據支持把記憶體同時視為 AI 需求訊號與潛在供應瓶頸,但不足以據此推斷美銀目前對 Nvidia 的投資評級或目標價。換言之,記憶體市場看好 AI,並不等於可以直接推導出美銀對 Nvidia 的具體投資結論。
「超級週期」的論點並不只建立在 HBM 熱潮上。SK 海力士同時受惠於 HBM、傳統 DRAM 與 NAND 價格上升;公司表示,2026 年上述產品的產量已全部售罄,並計劃從第四季開始供應 HBM4。2
分析人士認為,這一輪行情之所以被視為特別全面,是因為 HBM 擴產限制了商品型記憶體供應,而 AI 儲存需求又支撐 NAND 的獲利能力。5
6 在這種環境下,高產能利用率、客戶提前承諾,以及平均售價上升,都可能令主要供應商取得異常強勁的盈利表現。
當然,這項論點仍然存在風險。記憶體本質上是週期性產業;新產能提前投產、AI 基礎設施支出轉弱,或電子產品需求放緩,都可能重新改變供需平衡。眼前的關鍵在於時間點:現有預測並未指向短期內恢復正常。
美銀引述的展望預期,第四季價格仍會進一步上升,2027 年則維持穩定或僅輕微修正;DRAM 與 NAND 可能要到 2028 年才出現下跌,而且被形容為較健康的市場修正,而非崩跌。
這個時間表也與 SK 海力士執行長郭魯正的警告一致:2027 年可能成為記憶體產業供應情況「有史以來最糟」的一年。1 其他產業報道同樣指出,隨著 AI 需求持續超過可用產能,短缺可能至少延續至 2027 年。
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因此,在目前供需假設不變的情況下,2027 年前出現全面性、廣泛的價格紓緩似乎不太可能。即使 2028 年價格下跌,也取決於新產能能否準時到位,以及 AI 基礎設施支出是否開始放慢。
對買家而言,這不只是消費級 RAM 短期暴漲,而是 AI 基礎設施與其他電子產品共同爭奪有限記憶體資源的結構性競賽。
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美國銀行預期,AI 供應限制與電子產品旺季備貨疊加,將推動 DRAM 與 NAND 現貨價格在 2026 年 9 月再升 10% 至 20%。
美國銀行預期,AI 供應限制與電子產品旺季備貨疊加,將推動 DRAM 與 NAND 現貨價格在 2026 年 9 月再升 10% 至 20%。 AI 加速器所需的高頻寬記憶體(HBM)消耗不成比例的 DRAM 產能,使 DDR4、DDR5、伺服器記憶體與部分企業級 NAND 的供應彈性下降。
目前可見的預測顯示,2027 年前出現全面性降價的機會不高;美銀引述的展望認為價格可能在 2027 年持平或小幅修正,較明顯的下跌或要等到 2028 年。