| 細節 | 龍仁「Y2」廠(DRAM/HBM) | 清州「M17」廠(NAND) |
|---|---|---|
| 投資金額 | 35.2兆韓元(約248億美元) | 19.1兆韓元(約131億美元) |
| 產品重點 | 包含HBM在內的新一代DRAM | 企業級NAND快閃記憶體 |
| 動工時間 | 2027年7月 | 2027年2月 |
| 首批無塵室啟用 | 2029年6月 | |
| 廠房規模 | 總樓地板面積約110萬平方公尺(34.1萬坪) | 總樓地板面積約68.1萬平方公尺(20.6萬坪) |
這兩座晶圓廠是SK海力士長期計畫的第一步,該計畫預計在2046年前投入高達4,300億美元,於龍仁集群興建四座新廠,以及在清州興建M15X/M17設施。
對記憶體股投資人而言,最重要的關鍵是這些新產能何時真正到位。Y2的無塵室要到2029年中才啟用,M17的首座無塵室則在2028年底跟進。這意味著,至少在未來兩到三年內,這些晶圓廠不會帶來任何有意義的新增供應,而在此期間,AI驅動的HBM和大容量NAND需求正持續飆升。
2027–2028年間的定價權保持完好。 投資人最初因擔心資本支出增加而拋售SK海力士,但漫長的建設期意味著記憶體市場的供需動能在數年內都不會明顯寬鬆。記憶體製造商可以繼續為HBM3E和下一代NAND產品維持高利潤的定價。
產能實際上已被預訂一空。 SK海力士是Nvidia最主要的HBM供應商,而龍仁Y2廠正是為生產HBM和先進DRAM而設。這些產品早已被AI資料中心的長期合約鎖定,意味著新產能在出貨之前就已經被市場吸收。
資本支出增加的擔憂被需求能見度所抵消。 雖然公布當日4.88%的跌幅反映了短期稀釋和資本支出增加的憂慮,但分析師普遍維持對SK海力士的「強力買入」評級,12個月目標價隱含超過**122%**的上漲空間。美光近乎持平的走勢(-0.44%)則表明,整體市場認為這項投資是為了滿足已確認的AI需求,而非投機性的過度擴張。
結論: 從兩檔股票的走勢可以得出一個訊息:新產能到位時間點(2028–2029年)過於遙遠,完全不足以撼動當下供應受限的多頭格局。記憶體股仍處於一個多年的上升週期中,需求成長持續超越產業開設新廠的能力。無論是擁有Nvidia預售合約的SK海力士,還是同樣受惠於供應緊張環境的美光,都處於有利位置,準備迎接這波浪潮。
| 2028年12月 |