三星電子大擴產：DRAM產能2026年前增15%，全球記憶體短缺與蘋果面臨的漲價風暴

DRAM 短缺與價格翻倍

• 價格已大幅翻漲： 2026年第一季，DRAM合約價格漲幅高達98%，市場研究機構TrendForce預測第二季將再上漲超過50%。基準規格DDR4 8Gb晶片在2026年5月達到每單位20美元的歷史新高，月增率高達25%。
• 蘋果承受重壓： 據報導，蘋果為iPhone 17生產所需的LPDDR5X記憶體，正在支付給三星將近兩倍的價格。三星與SK海力士（SK Hynix）在與蘋果的2026年第一季供貨談判中，談定的LPDDR價格漲幅高達80–100%。蘋果執行長提姆·庫克（Tim Cook）也承認，記憶體價格飆升將不可避免地導致蘋果全系列產品漲價。

蘋果遊說購買中國DRAM

• 供應危機的嚴重性進一步體現在蘋果正積極遊說川普政府，希望獲得批准向長鑫存儲（CXMT）——一家被美國國防部列入黑名單的中國公司——以及長江存儲（YMTC）採購DRAM。
• 據報導，蘋果已開始測試CXMT的DRAM晶片，用於在中國銷售的裝置。分析師郭明錤（Ming-Chi Kuo）將此舉形容為並非為了節省成本，而是為了「在日益惡化的AI驅動供應緊縮中生存」，並警告記憶體供需缺口在2027年之前將持續擴大。

三星更全面的半導體建廠布局

• 平澤P5巨型晶圓廠： 三星將位於韓國平澤的P5 Fab 2的動土時間從原定的2027年初提前至2026年7月，時程加快約六個月。P5是一座雙廠（Fab 1 + Fab 2），每條產線月產能約30萬片12吋晶圓，合計月產能達約60萬片——這幾乎相當於三星目前全部的DRAM產能。總投資額約120兆韓元（約827億美元）。P5 Fab 1預計於2027年中安裝設備，Fab 2則預計於2029年投產。
• 器興新DRAM工廠： 2026年7月，三星宣布計畫在其器興（Giheung）廠區建造一座新的DRAM工廠，以進一步應對AI驅動的需求。
• 德州晶圓廠： 三星持續發展其晶圓代工製造基地，包括位於德州泰勒市（Taylor）的先進邏輯晶圓廠（S5/S6生產線）。需留意的是，德州廠的主攻方向是邏輯晶片與晶圓代工，而非DRAM。

業界展望：短缺延續至2027–2030年

• IDC將此記憶體短缺形容為「前所未有」，並警告其連鎖效應對裝置製造商的影響可能持續至2027年。
• 一份2026年Kearney PERLab的分析預測，由於AI資料中心需求持續吸納HBM與DRAM產能，這波短缺可能至少持續到2030年。
• 即便擴張計畫如此積極，短期內的大量資金仍被導向改造現有產線與擴建無塵室基礎設施，而非立即增加晶圓產出，這意味著真正的供應緩解仍需數年時間。