記憶體晶片短缺警鐘齊鳴：SK海力士、輝達、美光三大CEO示警，結構性供不應求恐持續至2030年後

黃仁勳與梅赫羅特拉的警告如何相互呼應

三位CEO一致認為，這次的記憶體短缺是結構性的，而非週期性的，並且將持續數年。

共同主題： 三者都表示短缺是供給側的結構性問題，源於新建晶圓廠需要多年前置時間以及難以滿足的AI需求，短期內無法解決。

支撐此展望的供需指標

• 晶圓供應缺口： 晶圓供應落後需求超過20%，且這個缺口預計至少會持續到2030年 。
• DRAM價格上漲： 由於供應緊張，記憶體定價已轉變為**「按小時計價」** 的模式 。SK集團會長崔泰源警告，價格的急遽上漲可能傷害長期的AI生態系統 。
• HBM佔DRAM產能比例： HBM（高頻寬記憶體）需求正在爆炸性成長——客戶已開始提前數年預留供應。三星通報，由於HBM消耗了更多DRAM晶圓產能，需求滿足率已降至歷史新低 。三星記憶體部門負責人金宰俊警告，所有記憶體產品的「嚴重短缺」將至少持續到2027年 。
• 創紀錄的供應緊縮： 三星和SK海力士在2026年4月都標誌出創紀錄的供應緊縮，客戶已經在預訂2027年的記憶體產能 。

美光的擴大投資計畫

2026年7月9日，美光宣布大幅加速其在美國的投資計畫 ：

• 2500億美元的美國目標： 受AI記憶體需求驅動，美光將其在美國的規劃投資目標提高至2035年前超過2500億美元，高於先前的目標 。
• 紐約州克萊（Clay）廠： 美光在紐約克萊的超大型晶圓廠現場澆築了第一方混凝土，並提前進入垂直建設階段 。該廠區計畫最多容納四座晶圓廠，預計將成為美國史上最大的半導體製造基地 。建設工程於2026年1月開工，製造目標是在2030年開始 。
• 30億美元供應鏈投資： 在另一項公告中，美光表示將增加對美國半導體供應鏈的投資，包括新一輪支出以強化國內晶片製造基礎設施 。

導致結構性短缺的因素（預計持續到2030年後）

多個相互交織的因素造成了這場多數高層認為將持續到2030年後的短缺：

• 多年的客戶價格壓力： 美光CEO梅赫羅特拉直接指出，客戶多年來的激烈議價導致價格「大幅下跌」，使得產業在AI需求爆發前長期投資不足 。他說：「某些客戶大幅壓低了我們產業的價格」。
• 全新產能的前置時間： 新的無塵室從動工到首次產出需要數年時間——梅赫羅特拉特別向財經節目主持人Jim Cramer說明，「產業需要全新的產能」，而這些專案耗時甚長 。
• 難以滿足的AI需求： AI對HBM及其他記憶體晶片的需求成長速度遠超產業增設生產線的能力 。
• 半導體生產的內生限制： SK會長崔泰源將此歸因於「半導體生產的內生限制」，認為供需吃緊的局面將再持續四到五年 。
• 創紀錄的低滿足率： 需求滿足率已降至歷史新低，客戶正預訂2027年的產能 。
• 多年供應鏈瓶頸： 黃仁勳指出，從晶圓到封裝到矽光子，所有環節同時受到限制 。