Besi 股價壓力解析：JEDEC 規格放寬、客戶延遲與混合鍵合技術的漫長等待

關鍵影響：如果 JEDEC 將上限提高至約 900 μm，記憶體製造商將能夠在至少一到兩個世代內繼續使用現有的 TC 鍵合機，之後混合鍵合才成為強制性需求，這將使 Besi 的營收機會延後數年 ^TT。

競爭替代方案：iHBM 與 HCB

兩大記憶體製造商都在開發能夠降低混合鍵合熱管理迫切性的封裝創新，儘管它們採用的方法有所不同。

• SK 海力士 於 2026 年 5 月推出 iHBM——一種將冷卻元件直接嵌入 HBM 封裝內部的散熱解決方案，架構在其成熟的 MR-MUF 技術之上。該公司宣稱其可將熱阻降低 30%，並計劃應用於包括 HBM5 在內的下一代產品 ^T。MR-MUF 本身比傳統方法具有更好的導熱性和更少的空隙 ^WN。
• 三星 則推廣 混合銅鍵合（HCB），宣稱其熱阻比 TCB 改善 >20%，並支援 16 層以上堆疊 ^ES。三星也在 ECTC 2026 上展示了比較數據 ^P。
• 關鍵在於，截至 2026 年 2 月，三星和 SK 海力士都已延後在 HBM4 量產中採用混合鍵合機，轉而選擇使用 TC 鍵合機 ^B。三星計劃在後續的 HBM 世代中部分使用混合鍵合機，而 SK 海力士則已建立試產線並正在評估 Besi 的設備 ^X。

Besi 2026 年第一季表現：基本面強勁

Besi 於 2026 年 4 月 23 日 公佈的 2026 年第一季業績全面強勁：

^RPQB

• 訂單金額 €2.697 億，超越市場共識預估約 €2.5–2.6 億約 4% ^M。
• Besi 預測 2026 年第二季營收將 成長 30–40% ^S。
• 營收成長主要來自高階手機、2.5D AI/光子學及資料中心需求 ^QB。

儘管數字亮眼，股價在不久後仍面臨下行壓力——2 月底第四季財報公布後下跌約 7% ^I，接著便是 3 月和 7 月的利空消息導致賣壓。

管理層展望：樂觀，但與市場訊號矛盾

• 在 2026 年 6 月 18 日的投資人日，Besi 調高了長期營收與營業利益率目標，理由是「2.5D AI 相關資料中心與光子學應用需求增加，以及混合鍵合在邏輯、記憶體和共封裝光學中的新應用場景」^RM。
• 管理層指出，整體市場狀況與訂單動能自「2025 年第二季以來已顯著改善」^M。
• 公司在第一季訂單評論中特別強調了「混合鍵合的強勁表現」^Q。
• 然而，7 月 6 日的客戶延遲報導直接與三週前投資人日傳遞的正面訊息相矛盾 ^W。

長期展望：採用，而非放棄

• 混合鍵合仍是預期用於 20 層以上 HBM 堆疊（HBM4E、HBM5）的技術——問題在於時間點，而非是否會發生 ^S。產業估計顯示，16 層 HBM 所需的晶圓厚度約為 30 μm，而目前 12 層設計約為 50 μm，在 775 μm 的上限下幾乎沒有餘裕 ^K。
• 三星的 HCB 相較 TCB 提供 33% 更高的堆疊能力，可支援 16 層以上 ^E。
• 如果 JEDEC 將標準放寬至約 900 μm，這將為記憶體製造商爭取 一到兩個世代 的時間，之後混合鍵合才成為強制性需求 ^TT。
• Besi 在邏輯、光子學和共封裝光學等非 HBM 領域持續看到強勁的混合鍵合需求，這提供了一個分散風險的緩衝 ^RM。
• 公司自身調高的長期目標反映了管理層的信心，即使 HBM 的時間表有所延誤，混合鍵合的採用仍將在多個終端市場發生 ^R。

結論

Besi 的基本面表現良好——訂單年增一倍、利潤率持續擴大、管理層調高長期目標。但股價正被一連串關於 HBM 領域混合鍵合採用速度放緩 的利空消息所壓制：首先來自 3 月 JEDEC 厚度標準放寬的討論，其次是 7 月客戶直接延遲的消息。長期的利多論述（混合鍵合將成為 20 層以上 HBM 堆疊的必要技術，並擴散至邏輯與光子學領域）依然成立，但近期的採用時間表正被推遲，從而引發了顯著的股價波動。投資人實際上是在權衡強勁的現在與被延後的未來。