LPDDR(手機用DRAM)詳情: 關於2026年Q3,目前並無單獨報導的LPDDR特定漲幅數字。上述三星約20%的ASP目標以及Jefferies的更廣泛預測,已隱含包含了手機用DRAM。然而,先前季度的數據已清楚顯示了手機記憶體面臨的價格壓力。在2026年Q1,三星向蘋果iPhone供應的LPDDR價格,曾推動季增超過80%的漲幅,而SK海力士據傳更尋求接近100%的調升。
三星的Q3目標是在記憶體產業近期史上最激烈的漲價潮之後提出的。下表說明了常規DRAM合約價格驚人的軌跡:
| 期間 | 常規DRAM合約價格季增幅度 | 資料來源 |
|---|---|---|
| 2026年 Q1 | +93% 至 +98%(創紀錄暴漲) | TrendForce |
| 2026年 Q2 | +58% 至 +63%(預測已實現) | TrendForce |
| 2026年 Q3 | 三星目標:約20%;Jefferies預測:整體40-50% | TradingKey ;Jefferies |
| 2026年 Q4 | Jefferies預測:再漲30-40% | Jefferies |
從更宏觀的角度看,三星整體記憶體(DRAM加NAND)的ASP在2026年Q1相較2025年全年平均值已飆升約146%。累積效應十分劇烈:在2026年的加速漲勢開始之前,DRAM價格截至2025年Q3末已較去年同期上漲172%。未來資產證券也確認,DDR5價格預計將持續季增,直到2026年Q3,且近期預測已獲得上調。
這些漲價的根本原因是製造優先權的根本性轉移。AI加速器(如NVIDIA的GPU)的爆炸性需求,創造了對高頻寬記憶體(HBM)——一種高階、高效能的DRAM——幾乎永無止盡的需求。
業界已將這段持續時期稱為「RAMageddon」或「RAMpocalypse」。與2020-2023年由疫情需求高峰引發的晶片短缺不同,此次短缺由AI產能轉移驅動,屬於結構性問題。
多方消息來源確認,這並非暫時性波動,而是持續多年的結構性短缺。
價格上漲正直接轉化為終端用戶的更高成本。
記憶體熱潮對半導體類股是一大利多,但部分專家呼籲應保持謹慎。
儘管市場一片樂觀,但《財星》雜誌在2026年5月引述一位哈佛晶片專家的警告指出,AI記憶體熱潮可能是週期性的,「這一切終將過去」,並點出費城半導體指數已累積60%的漲幅。這提醒我們,即使是結構性短缺,也仍可能受到市場週期的影響。
三星2026年Q3的DRAM漲價是AI革命重塑半導體格局的直接後果。雖然這預示著記憶體製造商獲利能力將持續強勁,但其下游效應正從一台新PC的成本到AI資料中心的基礎設施費用,深刻地影響整個科技產業。
LPDDR(手機用DRAM)詳情: 關於2026年Q3,目前並無單獨報導的LPDDR特定漲幅數字。上述三星約20%的ASP目標以及Jefferies的更廣泛預測,已隱含包含了手機用DRAM。然而,先前季度的數據已清楚顯示了手機記憶體面臨的價格壓力。在2026年Q1,三星向蘋果iPhone供應的LPDDR價格,曾推動季增超過80%的漲幅,而SK海力士據傳更尋求接近100%的調升。
三星的Q3目標是在記憶體產業近期史上最激烈的漲價潮之後提出的。下表說明了常規DRAM合約價格驚人的軌跡:
| 期間 | 常規DRAM合約價格季增幅度 | 資料來源 |
|---|---|---|
| 2026年 Q1 | +93% 至 +98%(創紀錄暴漲) | TrendForce |
| 2026年 Q2 | +58% 至 +63%(預測已實現) | TrendForce |
| 2026年 Q3 | 三星目標:約20%;Jefferies預測:整體40-50% | TradingKey ;Jefferies |
| 2026年 Q4 | Jefferies預測:再漲30-40% | Jefferies |
從更宏觀的角度看,三星整體記憶體(DRAM加NAND)的ASP在2026年Q1相較2025年全年平均值已飆升約146%。累積效應十分劇烈:在2026年的加速漲勢開始之前,DRAM價格截至2025年Q3末已較去年同期上漲172%。未來資產證券也確認,DDR5價格預計將持續季增,直到2026年Q3,且近期預測已獲得上調。
這些漲價的根本原因是製造優先權的根本性轉移。AI加速器(如NVIDIA的GPU)的爆炸性需求,創造了對高頻寬記憶體(HBM)——一種高階、高效能的DRAM——幾乎永無止盡的需求。
業界已將這段持續時期稱為「RAMageddon」或「RAMpocalypse」。與2020-2023年由疫情需求高峰引發的晶片短缺不同,此次短缺由AI產能轉移驅動,屬於結構性問題。
多方消息來源確認,這並非暫時性波動,而是持續多年的結構性短缺。
價格上漲正直接轉化為終端用戶的更高成本。
記憶體熱潮對半導體類股是一大利多,但部分專家呼籲應保持謹慎。
儘管市場一片樂觀,但《財星》雜誌在2026年5月引述一位哈佛晶片專家的警告指出,AI記憶體熱潮可能是週期性的,「這一切終將過去」,並點出費城半導體指數已累積60%的漲幅。這提醒我們,即使是結構性短缺,也仍可能受到市場週期的影響。
三星2026年Q3的DRAM漲價是AI革命重塑半導體格局的直接後果。雖然這預示著記憶體製造商獲利能力將持續強勁,但其下游效應正從一台新PC的成本到AI資料中心的基礎設施費用,深刻地影響整個科技產業。