AI對高頻寬記憶體(HBM)的強勁需求,迫使三星、SK海力士、美光等大廠將產能重心從傳統DRAM/NAND轉移,造成消費性電子市場記憶體供應結構性短缺。 DRAM合約價在2026年第一季單季飆漲90 95%,NAND Flash漲55 60%;第二季再度攀升,Gartner預估全年DRAM價格漲125%、NAND漲234%。

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2026年的記憶體晶片危機,並非典型的週期性短缺。這是一場由人工智慧基礎設施爆炸性成長所驅動的結構性供給赤字,根源在於製造優先順序前所未有的轉變。記憶體價格以歷史罕見的幅度飆升,PC與智慧型手機的出貨量預計將創下十多年來最嚴重的衰退,其影響正將電子產業分裂為兩個陣營:能夠適應的大型科技公司,以及為了生存而掙扎的中小型製造商。
根本原因在於AI驅動的「高頻寬記憶體」(HBM)需求衝擊,這股需求吸走了傳統DRAM與NAND晶片的晶圓代工產能。
關鍵驅動因素包括:
與2020-2023年由疫情相關供應鏈中斷驅動的全球晶片短缺不同,這次危機是製造產能的結構性重新分配 。
無論在速度或幅度上,價格漲幅皆創下歷史紀錄。
2026年季度價格軌跡(TrendForce數據):
2026全年預估:
2027年展望:
其他值得注意的數據:
IDC和Gartner都預測,隨著記憶體成本上升推高裝置價格並延長消費者換機週期,出貨量將急遽下滑。
大型與小型業者之間的差距極為懸殊。大型科技公司雖然面臨成本上升和利潤壓力,但中小型電子製造商則面臨生存威脅。
大型科技公司(蘋果、微軟):
中小型電子製造商:
正如一位業界分析師所言,蘋果是最強的參與者,擁有最強的產品組合和大量的訂單,而較小的業者可能得為記憶體支付更高的價格——前提是他們還拿得到貨 。
2026年的記憶體危機是一場由AI驅動的供應重分配事件,導致DRAM價格在單一季度內飆升超過90%。PC和智慧型手機出貨量預計將創下十年來最大跌幅。蘋果和微軟雖受衝擊,但能透過漲價和供應鏈優勢來適應;然而,許多沒有類似緩衝的中小型製造商正在為生存而戰。有意義的價格舒緩,預計最快要到2027年底才會到來。
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AI對高頻寬記憶體(HBM)的強勁需求,迫使三星、SK海力士、美光等大廠將產能重心從傳統DRAM/NAND轉移,造成消費性電子市場記憶體供應結構性短缺。
AI對高頻寬記憶體(HBM)的強勁需求,迫使三星、SK海力士、美光等大廠將產能重心從傳統DRAM/NAND轉移,造成消費性電子市場記憶體供應結構性短缺。 DRAM合約價在2026年第一季單季飆漲90 95%,NAND Flash漲55 60%;第二季再度攀升,Gartner預估全年DRAM價格漲125%、NAND漲234%。
IDC預測2026年智慧型手機出貨量將年減12.9%,創十年最大跌幅;PC出貨亦將下滑9 10.4%,主要因記憶體成本推高終端售價。