關鍵日期與申請細節

SK 海力士於 2026 年 6 月 30 日向 SEC 提交了修正後的 F-1 表格註冊聲明，完成了在那斯達克上市的申請程序。其 ADR 預計於 2026 年 7 月 10 日 在那斯達克全球精選市場（Nasdaq Global Select Market）開始交易，股票代碼為 「SKHY」。公司董事會已於 2026 年 6 月 24 日批准此次發行，當時全體六位外部董事均出席會議。

為何選擇在美國上市

SK 海力士此次募資約 45.45 兆韓元（約 294 億美元），與許多大型初次公開發行（IPO）不同的是，本次募資所得將全數用於半導體產能擴張，包括投資先進的 AI 記憶體晶圓廠與極紫外光（EUV）設備，以滿足人工智慧應用對高頻寬記憶體（HBM）晶片的爆炸性需求。此外，此舉也旨在縮小 SK 海力士在南韓交易所的估值與其預期在美國市場 ADR 所能達到的估值之間的差距。

發行結構

• 工具： 美國存託憑證（ADRs），透過第三方配售方式發行新股。
• 發行股數： 約 1,779 萬股 新股將以 ADR 形式發行。
• 預期價格： 約 每股 165.26 美元。
• 上市交易所： 那斯達克全球精選市場。
• 申購與繳款日： 2026 年 7 月 14 日。
• 新股在韓交所上市日： 2026 年 7 月 29 日。

承銷團陣容

本次發行由四家主要國際投資銀行擔任 主要承銷商：

• 美銀證券（Bank of America）
• 花旗集團（Citigroup）
• 高盛（Goldman Sachs）
• 摩根大通（JPMorgan Chase）

文件中揭露的反壟斷訴訟

SK 海力士在修正後的申請文件中，將一起 美國集體反壟斷訴訟 列為風險因素。該訴訟由 Bathaee Dunne LLP 與 Hagens Berman 律師事務所代表提起，於 2026 年 6 月 25 日 在 美國加州北區聯邦地方法院 提交。

訴訟相關方：

• 被告： 三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）以及美光科技（Micron Technology）——全球最大的三家記憶體晶片製造商。
• 原告： 17 位美國消費者及小型企業，尋求賠償其因購買 DRAM 產品而支付的不合理高價。

核心指控：

原告指控這三家公司共謀 人為限制 DRAM 供給，協調減產。據稱，它們同時將產能轉向利潤更高的 AI 用 HBM 晶片，從而推高了一般 DRAM 的價格。訴狀指出，這三家公司合計掌握了全球幾乎所有的 DRAM 市場。

對投資人的意義

透過將此訴訟納入修正後的 F-1 申請文件中，SK 海力士已將其正式作為一項風險因素向 7 月 10 日上市前的美國投資人進行了揭露。目前該案仍處於早期階段，尚未做出任何判決。值得注意的是，此前類似的針對這三家公司的訴訟，曾於 2022 年因缺乏足夠的事實證據而被美國第九巡迴上訴法院駁回。

關鍵日期與申請細節

SK 海力士於 2026 年 6 月 30 日向 SEC 提交了修正後的 F-1 表格註冊聲明，完成了在那斯達克上市的申請程序。其 ADR 預計於 2026 年 7 月 10 日 在那斯達克全球精選市場（Nasdaq Global Select Market）開始交易，股票代碼為 「SKHY」。公司董事會已於 2026 年 6 月 24 日批准此次發行，當時全體六位外部董事均出席會議。

為何選擇在美國上市

SK 海力士此次募資約 45.45 兆韓元（約 294 億美元），與許多大型初次公開發行（IPO）不同的是，本次募資所得將全數用於半導體產能擴張，包括投資先進的 AI 記憶體晶圓廠與極紫外光（EUV）設備，以滿足人工智慧應用對高頻寬記憶體（HBM）晶片的爆炸性需求。此外，此舉也旨在縮小 SK 海力士在南韓交易所的估值與其預期在美國市場 ADR 所能達到的估值之間的差距。

發行結構

• 工具： 美國存託憑證（ADRs），透過第三方配售方式發行新股。
• 發行股數： 約 1,779 萬股 新股將以 ADR 形式發行。
• 預期價格： 約 每股 165.26 美元。
• 上市交易所： 那斯達克全球精選市場。
• 申購與繳款日： 2026 年 7 月 14 日。
• 新股在韓交所上市日： 2026 年 7 月 29 日。

承銷團陣容

本次發行由四家主要國際投資銀行擔任 主要承銷商：

• 美銀證券（Bank of America）
• 花旗集團（Citigroup）
• 高盛（Goldman Sachs）
• 摩根大通（JPMorgan Chase）

文件中揭露的反壟斷訴訟

SK 海力士在修正後的申請文件中，將一起 美國集體反壟斷訴訟 列為風險因素。該訴訟由 Bathaee Dunne LLP 與 Hagens Berman 律師事務所代表提起，於 2026 年 6 月 25 日 在 美國加州北區聯邦地方法院 提交。

訴訟相關方：

• 被告： 三星電子（Samsung Electronics）、SK 海力士（SK Hynix）以及美光科技（Micron Technology）——全球最大的三家記憶體晶片製造商。
• 原告： 17 位美國消費者及小型企業，尋求賠償其因購買 DRAM 產品而支付的不合理高價。

核心指控：

原告指控這三家公司共謀 人為限制 DRAM 供給，協調減產。據稱，它們同時將產能轉向利潤更高的 AI 用 HBM 晶片，從而推高了一般 DRAM 的價格。訴狀指出，這三家公司合計掌握了全球幾乎所有的 DRAM 市場。

對投資人的意義

透過將此訴訟納入修正後的 F-1 申請文件中，SK 海力士已將其正式作為一項風險因素向 7 月 10 日上市前的美國投資人進行了揭露。目前該案仍處於早期階段，尚未做出任何判決。值得注意的是，此前類似的針對這三家公司的訴訟，曾於 2022 年因缺乏足夠的事實證據而被美國第九巡迴上訴法院駁回。