美方指控ASML最先進EUV設備可能流入中國：ASML否認、證據與MATCH法案脈絡

美方官員引用的證據

美方指控所依據的具體證據至今未對外公開。率先報導此事的《彭博新聞》引述「知情人士」說法，但未說明是什麼情報、運送紀錄或其他證據促使盧特尼克介入 。目前公開報導中，沒有在中國境內確認看到EUV系統、沒有攔截到相關貨運、也沒有發現未經授權的安裝服務紀錄。

不過，以下背景可能助長了美方的懷疑。2025年12月，路透社報導中國研究人員已在深圳成功開發出一台原型EUV微影設備，被形容為挑戰西方的「曼哈頓計畫」 。此外，分析師指出，一些可用於支援中國自研EUV的雙用途或管制較鬆的零組件，追蹤難度較高 。然而，這些發展是否與當前指控直接相關，仍未獲證實。

出口管制與MATCH法案的廣泛背景

• 現行EUV禁令：美國主導的出口管制早已禁止ASML向中國出口EUV系統。若這項指控屬實，將代表此長期禁令遭到破壞 。
• DUV管制（現況）：較不先進的深紫外光（DUV）浸潤式微影設備（可用於生產7奈米節點晶片）目前仍持續流向中國，是下一波管制的主要目標 。
• MATCH法案：2026年4月初，美國跨黨派國會議員提出《硬體技術管制多邊協調法案》（Multilateral Alignment of Technology Controls on Hardware Act，簡稱MATCH法案，編號H.R. 8170） 。主要內容包括：
  • 禁止向中國等「關切國家」銷售「關鍵瓶頸」半導體製造設備，包括DUV浸潤式微影設備及低溫蝕刻工具 。
  • 要求荷蘭、日本等盟國在150天內調整出口管制，與美國標準一致，否則美國將單方面擴大《外國直接產品規則》（FDPR），對含有美國技術的所有設備取得管轄權 。
  • 禁止對中國境內已安裝的DUV機器進行維修服務 。
  • 該法案已於2026年4月底通過美國眾議院外交委員會審查，進入進一步立法程序 。
  • 在委員會投票前，部分條款被縮減（例如取消全面禁止低溫蝕刻工具），但針對DUV設備的限制仍維持原案 。

簡而言之，MATCH法案試圖將現行行政部門的出口管制納入法律，填補DUV漏洞，並施壓盟國跟進——而這項新的EUV指控更顯示，即使是最嚴格的現行禁令，在執行面上仍可能面臨挑戰。