美光 CEO：AI 熱潮將讓全球記憶體晶片短缺持續到 2028 年左右

HBM 需求爆發，擠壓整個記憶體市場

這一波短缺的核心之一，是 AI 加速器使用的高頻寬記憶體（HBM, High‑Bandwidth Memory）。

HBM 與一般 DRAM 相比製程更複雜，需要：

• 更大的晶片面積（die size）
• 先進封裝技術
• 額外的晶圓產能

因此，每生產一批 HBM，往往會消耗比傳統 DRAM 更多的製造資源。當晶片廠優先把產能分配給 AI 相關的高價值產品時，用於 PC、智慧手機等裝置的記憶體供應自然變得更緊張。

市場資料也顯示，不少未來幾年的 HBM 產能其實已被大型 AI 客戶提前預訂。

為什麼新增產能要到 2028 年才會見效

即使半導體公司正在投入巨額資金擴產，新晶圓廠從建設到真正量產仍需要很長時間。

一座先進記憶體晶圓廠通常要經歷多個階段：

1. 建設晶圓廠設施
2. 安裝高端製造設備
3. 製程校準與良率提升
4. 客戶驗證與產品認證

因此，即使今天開始建廠，也通常需要數年才能產出足以影響全球供應的「實質產能」。根據與美光相關的產業報導，這種產能變化最早也要到 2027–2028 年才可能出現。

美光 2000 億美元美國擴產計畫

為了應對長期需求，美光已宣布在美國推動大規模擴產計畫，總投資約 2000 億美元，其中約 1500 億美元用於製造產能，500 億美元投入研發。

主要布局包括：

• 愛達荷州（Idaho）博伊西：建設新的先進記憶體晶圓廠
• 紐約州（New York）：打造最多四座晶圓廠的大型半導體園區
• 維吉尼亞州（Virginia）：升級並擴建既有 Manassas 廠

其中紐約項目未來可能成為美國最大的半導體製造基地之一。

但即使是這樣的大規模投資，也需要時間才能轉化為市場供應。例如，美光位於愛達荷州的新晶圓廠預計約在 2027 年開始運作，之後產能才會逐步增加。

整個記憶體產業都看到多年短缺

美光的看法並非個案。三星（Samsung）與 SK 海力士（SK Hynix）也多次警告，AI 對記憶體的需求增速正在超過產業新增產能，市場緊張狀況可能至少持續到 2027 年甚至更久。

部分產業高層甚至認為，隨著全球 AI 資料中心建設競賽加速，供應緊張可能延續更長時間。

消費電子產業開始受到衝擊

當晶片廠把產能優先分配給 AI 記憶體時，PC、智慧手機與其他消費電子產品就面臨更緊張的供應。

一些電子產品公司已警告，記憶體價格上升正在壓縮利潤空間，並可能推高終端產品價格。

記憶體產業結構正在改變

美光高層強調，這次的供應緊張可能不只是傳統半導體景氣循環的一部分。

AI 運算需要的記憶體容量遠高於過去的 IT 架構，加上晶圓廠建設週期長，使整個產業的供需結構發生改變。許多分析師因此認為，全球記憶體市場可能正進入一個由 AI 驅動、持續多年的「超級週期」。

如果這一趨勢持續，記憶體供應吃緊的局面很可能會一路延續到本十年後期。