上海臨港對第四代半導體採取的，不是等待市場成熟後再大舉投入，而是先把基礎設施、驗證能力與產業網絡搭起來。上海在2024年3月將第四代半導體列為未來產業重點方向，臨港於2025年5月啟動相關未來產業集聚區，並在2026年7月發布首份專門的集聚區建設行動方案。到2028年，臨港計劃集聚不少於50家相關企業，產業規模力爭突破人民幣50億元。18

這是一場面向長期技術週期的提前布局，而不是對近期大規模量產的承諾。以氧化鎵為代表的相關器件，直到2012年才出現公開成果；上海方面援引第三代半導體的發展軌跡指出，其實際應用可能要到2040年以後。因此，臨港現階段更像是在建立一個投資、觀察與工程驗證平台，試圖在需求真正形成前，降低技術從實驗室走向市場的摩擦。7

三步落子：從政策方向到產業集聚

臨港的布局大致經歷了三個階段：

• 2024年3月：政策先行。 上海率先在中國大陸將第四代半導體納入未來產業培育重點，開始推進材料、器件、工藝與應用的全鏈條布局。28
• 2025年5月：建立集聚區。 臨港啟動全國首個第四代半導體未來產業集聚區，把政策方向轉化為具體的產業承載空間。811
• 2026年7月：發布行動方案。 《第四代半導體未來產業集聚區建設行動方案（2026—2028年）》提出企業數量與產業規模目標，並規劃從基礎研究、技術攻關、概念驗證，到場景示範與規模化應用的完整培育鏈條。116

行動方案將重點材料分為兩條路線：以氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石與氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶半導體，以及以銻化銦（InSb）與銻化鎵（GaSb）為代表的超窄禁帶半導體。相關方向對應的潛在應用包括高壓功率、射頻通信、深紫外光電、紅外探測、量子傳感與極端環境電子等。1

截至2026年，臨港已集聚十多家相關材料與器件企業，涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁與銻化物等方向；報道顯示，這些企業佔上海相關企業一半以上。26

為什麼要在市場成熟前投入？

臨港押注的是半導體產業的「時間窗口」。一種新材料要形成產業，不能只等待材料本身成熟，還需要同步發展器件設計、製造工藝、裝備、供應鏈與下游應用。若等到市場需求明確後才開始補齊這些環節，可能已經錯過建立競爭優勢的時機。2

因此，臨港並沒有把「第四代半導體」包裝成即將全面取代現有材料的成熟產品，而是提前建立技術篩選與工程驗證能力。到2028年，衡量成效的重點可能包括企業數量、材料與器件樣品、試驗線、應用示範，以及資本與客戶關係，而不只是氧化鎵是否已進入大規模市場。17

換句話說，臨港目前是在搭建一個「投資加觀察」階段：讓科研團隊、設備供應商、製造平台、下游客戶與資本先形成連接，等技術跨過性能、成本與可靠性門檻後，可以更快進入商業化競爭。

氧化鎵的機會：高壓應用與潛在成本優勢

氧化鎵是臨港重點關注的超寬禁帶材料之一。相關企業將其定位於中高壓、特高壓功率器件，認為在新能源汽車、超高壓電網等高電壓場景中，碳化矽等第三代半導體可能面臨耐壓應用限制，而氧化鎵有望覆蓋更高電壓方向。49

成本也是這條路線的重要吸引力。報道指出，氧化鎵可以採用液相或熔體相關方法製備；相較於碳化矽較為嚴苛的氣相製備路線，規模化後可能形成整倍數量級的降本空間。753不過，這裡的「降本」是對未來規模化生產的技術預期，並不是已經獲得市場價格驗證的結論。晶體品質、缺陷控制、外延、器件可靠性與產能良率，仍將決定其商業化速度。

除功率器件外，臨港也關注高頻通信濾波器等領域。相關報道認為，現有材料在未來高頻通信元件中可能逐步接近物理性能邊界，進而推動系統廠商尋找新的材料與器件架構。7

金剛石、氮化鋁與銻化物則分別對應高功率散熱、射頻、深紫外與紅外等潛在應用方向。但不同材料的技術成熟度與商業路徑並不相同，不能簡單視為同一條量產路線。

司南孵化器：縮短「論文到產品」的距離

臨港的關鍵基礎設施不是單一實驗室，而是一個把科研、驗證、製造與資本連接起來的產業化網絡。司南半導體超級孵化器聚焦車規級芯片與寬禁帶半導體，採用創新資源導入、專業服務、園區資源、孵化投資聯動與跟投激勵相結合的模式。3637

其超寬禁帶半導體概念驗證中心，涵蓋前沿材料製備、器件設計、工藝製造驗證、測試與市場論證，目標是同時判斷項目的技術可行性與商業潛力。37

這改變了傳統的單向轉化路徑：科研團隊不必等到成果完全成熟後才尋找客戶，而是可以在器件設計與工藝驗證階段引入產業需求，依次完成樣品驗證、試製路徑、應用測試與商業化評估。537

這種機制也延伸到早期資本。臨港探索的「撥改投」機制，試圖讓部分科技支持由無償資助轉為更接近股權投資的支持方式；2025年首批已有8個創新試點項目簽約。33

此外，臨港啟航基金被報道為人民幣5億元規模、面向種子期與初創企業的天使基金。不過，這是服務臨港早期科技企業的綜合性資金，並非已被證實只投向第四代半導體。33

司南孵化器的案例也展示了「孵化器加應用場景」的工作方式。由上海交通大學團隊創立的芯擎宇能進入孵化體系後，獲得資本對接、潔淨實驗室、中試線建設、設備供應商與工業場景方面的支持，並與寶鋼熱軋廠推進工業餘熱回收技術驗證。22

這一案例說明了臨港如何組織科技成果轉化，但它本身是熱電芯片項目，不能直接證明第四代半導體已經實現商業化。

2028年的真正考驗

臨港的目標不是在兩年內證明所有第四代半導體都能量產，而是建立一個足夠密集的材料、器件、工藝、裝備與應用生態。若到2028年能夠形成50家以上企業、公共研發與中試驗證能力、持續的應用示範，以及早期資本接力，臨港就可能在相關技術跨過性能與成本門檻時，更快進入商業化階段。15

這套策略的優勢，是把等待市場成熟的時間，轉化為累積工程能力與產業關係的時間；風險則在於，技術週期可能比政策週期更長，部分材料也可能長期停留在實驗室或小規模驗證階段。

對臨港而言，最重要的指標因此不是「提前宣布成功」，而是能否持續透過真實測試、試生產與客戶需求，篩掉不可行路線，再把最有潛力的項目推向可複製的產品。這正是它為第四代半導體提前鋪路的核心邏輯。

上海臨港對第四代半導體採取的，不是等待市場成熟後再大舉投入，而是先把基礎設施、驗證能力與產業網絡搭起來。上海在2024年3月將第四代半導體列為未來產業重點方向，臨港於2025年5月啟動相關未來產業集聚區，並在2026年7月發布首份專門的集聚區建設行動方案。到2028年，臨港計劃集聚不少於50家相關企業，產業規模力爭突破人民幣50億元。18

這是一場面向長期技術週期的提前布局，而不是對近期大規模量產的承諾。以氧化鎵為代表的相關器件，直到2012年才出現公開成果；上海方面援引第三代半導體的發展軌跡指出，其實際應用可能要到2040年以後。因此，臨港現階段更像是在建立一個投資、觀察與工程驗證平台，試圖在需求真正形成前，降低技術從實驗室走向市場的摩擦。7

三步落子：從政策方向到產業集聚

臨港的布局大致經歷了三個階段：

• 2024年3月：政策先行。 上海率先在中國大陸將第四代半導體納入未來產業培育重點，開始推進材料、器件、工藝與應用的全鏈條布局。28
• 2025年5月：建立集聚區。 臨港啟動全國首個第四代半導體未來產業集聚區，把政策方向轉化為具體的產業承載空間。811
• 2026年7月：發布行動方案。 《第四代半導體未來產業集聚區建設行動方案（2026—2028年）》提出企業數量與產業規模目標，並規劃從基礎研究、技術攻關、概念驗證，到場景示範與規模化應用的完整培育鏈條。116

行動方案將重點材料分為兩條路線：以氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石與氮化鋁（AlN）為代表的超寬禁帶半導體，以及以銻化銦（InSb）與銻化鎵（GaSb）為代表的超窄禁帶半導體。相關方向對應的潛在應用包括高壓功率、射頻通信、深紫外光電、紅外探測、量子傳感與極端環境電子等。1

截至2026年，臨港已集聚十多家相關材料與器件企業，涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁與銻化物等方向；報道顯示，這些企業佔上海相關企業一半以上。26

為什麼要在市場成熟前投入？

臨港押注的是半導體產業的「時間窗口」。一種新材料要形成產業，不能只等待材料本身成熟，還需要同步發展器件設計、製造工藝、裝備、供應鏈與下游應用。若等到市場需求明確後才開始補齊這些環節，可能已經錯過建立競爭優勢的時機。2

因此，臨港並沒有把「第四代半導體」包裝成即將全面取代現有材料的成熟產品，而是提前建立技術篩選與工程驗證能力。到2028年，衡量成效的重點可能包括企業數量、材料與器件樣品、試驗線、應用示範，以及資本與客戶關係，而不只是氧化鎵是否已進入大規模市場。17

換句話說，臨港目前是在搭建一個「投資加觀察」階段：讓科研團隊、設備供應商、製造平台、下游客戶與資本先形成連接，等技術跨過性能、成本與可靠性門檻後，可以更快進入商業化競爭。

氧化鎵的機會：高壓應用與潛在成本優勢

氧化鎵是臨港重點關注的超寬禁帶材料之一。相關企業將其定位於中高壓、特高壓功率器件，認為在新能源汽車、超高壓電網等高電壓場景中，碳化矽等第三代半導體可能面臨耐壓應用限制，而氧化鎵有望覆蓋更高電壓方向。49

成本也是這條路線的重要吸引力。報道指出，氧化鎵可以採用液相或熔體相關方法製備；相較於碳化矽較為嚴苛的氣相製備路線，規模化後可能形成整倍數量級的降本空間。753不過，這裡的「降本」是對未來規模化生產的技術預期，並不是已經獲得市場價格驗證的結論。晶體品質、缺陷控制、外延、器件可靠性與產能良率，仍將決定其商業化速度。

除功率器件外，臨港也關注高頻通信濾波器等領域。相關報道認為，現有材料在未來高頻通信元件中可能逐步接近物理性能邊界，進而推動系統廠商尋找新的材料與器件架構。7

金剛石、氮化鋁與銻化物則分別對應高功率散熱、射頻、深紫外與紅外等潛在應用方向。但不同材料的技術成熟度與商業路徑並不相同，不能簡單視為同一條量產路線。

司南孵化器：縮短「論文到產品」的距離

臨港的關鍵基礎設施不是單一實驗室，而是一個把科研、驗證、製造與資本連接起來的產業化網絡。司南半導體超級孵化器聚焦車規級芯片與寬禁帶半導體，採用創新資源導入、專業服務、園區資源、孵化投資聯動與跟投激勵相結合的模式。3637

其超寬禁帶半導體概念驗證中心，涵蓋前沿材料製備、器件設計、工藝製造驗證、測試與市場論證，目標是同時判斷項目的技術可行性與商業潛力。37

這改變了傳統的單向轉化路徑：科研團隊不必等到成果完全成熟後才尋找客戶，而是可以在器件設計與工藝驗證階段引入產業需求，依次完成樣品驗證、試製路徑、應用測試與商業化評估。537

這種機制也延伸到早期資本。臨港探索的「撥改投」機制，試圖讓部分科技支持由無償資助轉為更接近股權投資的支持方式；2025年首批已有8個創新試點項目簽約。33

此外，臨港啟航基金被報道為人民幣5億元規模、面向種子期與初創企業的天使基金。不過，這是服務臨港早期科技企業的綜合性資金，並非已被證實只投向第四代半導體。33

司南孵化器的案例也展示了「孵化器加應用場景」的工作方式。由上海交通大學團隊創立的芯擎宇能進入孵化體系後，獲得資本對接、潔淨實驗室、中試線建設、設備供應商與工業場景方面的支持，並與寶鋼熱軋廠推進工業餘熱回收技術驗證。22

這一案例說明了臨港如何組織科技成果轉化，但它本身是熱電芯片項目，不能直接證明第四代半導體已經實現商業化。

2028年的真正考驗

臨港的目標不是在兩年內證明所有第四代半導體都能量產，而是建立一個足夠密集的材料、器件、工藝、裝備與應用生態。若到2028年能夠形成50家以上企業、公共研發與中試驗證能力、持續的應用示範，以及早期資本接力，臨港就可能在相關技術跨過性能與成本門檻時，更快進入商業化階段。15

這套策略的優勢，是把等待市場成熟的時間，轉化為累積工程能力與產業關係的時間；風險則在於，技術週期可能比政策週期更長，部分材料也可能長期停留在實驗室或小規模驗證階段。

對臨港而言，最重要的指標因此不是「提前宣布成功」，而是能否持續透過真實測試、試生產與客戶需求，篩掉不可行路線，再把最有潛力的項目推向可複製的產品。這正是它為第四代半導體提前鋪路的核心邏輯。