三星電子這波調整的重點，不是退出 DDR5 市場，而是重新分配後段製程產能。據報，三星將新增的傳統 DDR5 記憶體模組產量，以及部分 SSD 相關作業，委由外部封裝與測試廠（OSAT，Outsourced Semiconductor Assembly and Test）處理；南韓自有廠房中有限的空間、設備與工程資源，則優先留給 AI 系統所需的高頻寬記憶體（HBM）及先進封裝。814

哪些工作將交給外部夥伴？

業界報導指出，三星要求 OSAT 合作夥伴擴增傳統記憶體模組產線，以承接新增需求，而不是在自家廠區同步擴建等量產能。範圍包括供桌機、筆電與伺服器使用的 DDR5 模組，以及部分 SSD 作業。89

目前被點名的合作夥伴及其布局包括：

• Dreamtech：擴充印度諾伊達廠的 DDR5 模組生產。8
• Hanyang Digitech：增加越南廠的設備與自動化投資。11
• SFA Semicon：據報把三星溫陽廠部分 DDR5 測試與模組設備移往菲律賓，以消化委外產量。11

換言之，三星仍可供應傳統記憶體產品，但把新增的組裝與測試需求交由已具資格的合作廠商吸收。

為何 DDR5 適合委外，HBM 卻要優先留在南韓？

DDR5 模組的組裝相對標準化：將已封裝的 DRAM 元件安裝到印刷電路板（PCB）上，再完成測試與驗證。報導認為，這類工作技術上適合移交給 OSAT 業者。5

HBM 則是另一個層級的封裝挑戰。它必須堆疊多層記憶體晶粒，並整合專門的互連、鍵結、散熱與測試技術。隨著 AI 加速器與資料中心需求上升，瓶頸不只是 DRAM 晶圓供給，也在於能把晶粒做成 HBM 成品的先進封裝能力。因此，既有的封裝廠房與設備，成為三星更想優先投入的稀缺資源。

天安、溫陽廠區轉向 HBM

三星據報正重新配置天安與溫陽廠區的空間及設備，服務 HBM 與先進封裝產線。《The Elec》報導，三星正在將封裝設施資源導向先進產線；同時，溫陽園區準備興建一座規模約 6 兆韓元的 HBM 專用設施，但完工仍需數年。8

天安則是短期轉換的重點之一。業界消息稱，三星將逐步縮減該地的 Exynos 行動應用處理器（AP）封裝作業，並把相關設備改作 HBM 封裝用途；轉換期間，既有 Exynos 產品仍可能持續在當地處理。1233

此外，三星也與一項總額 56 兆韓元的投資計畫有關，計畫在溫陽與天安建立下一代 HBM 生產基地。3744 因此，6 兆韓元的溫陽設施可視為更廣泛 HBM 擴產布局中的一個具體專案，而非整個區域投資的全貌。

越南新廠扮演什麼角色？

三星規劃中的越南半導體測試廠，是南韓 HBM 擴建的互補節點，而不是取代 HBM 生產。路透社檢視的一份公司提案顯示，三星擬在越南北部投資 15 億美元設立 DRAM 與 NAND 晶片測試設施，預計於 2027 年 11 月開始營運。17

另有報導指出，三星正考慮把部分通用型 DRAM 與 NAND 的封裝、測試作業，從天安和溫陽轉往越南。若計畫落實，較成熟的後段作業將移往海外，南韓廠區就能保留更多先進封裝產能給 HBM；不過，三星尚未公開確認這項詳細移轉方案。1821

這不代表三星放棄 DDR5

這項據報中的策略，針對的是新增產能，尤其是模組組裝與測試，而不是停止 DDR5 產品或 DRAM 晶圓製造。三星仍預期供應傳統記憶體市場；它選擇不把每一筆新增 DDR5 產量都占用南韓稀缺的先進封裝資源。89

更大的訊號是，AI 需求正在改變記憶體供應鏈中各環節的價值。HBM 封裝逐漸成為戰略性瓶頸，三星據報透過委外、設備轉換與新廠建設並行的方式，提高 HBM 的優先順位。至於合作夥伴的實際分配與時程，由於多數細節仍來自業界消息，而非三星完整公開的生產藍圖，後續仍可能調整。812

三星電子這波調整的重點，不是退出 DDR5 市場，而是重新分配後段製程產能。據報，三星將新增的傳統 DDR5 記憶體模組產量，以及部分 SSD 相關作業，委由外部封裝與測試廠（OSAT，Outsourced Semiconductor Assembly and Test）處理；南韓自有廠房中有限的空間、設備與工程資源，則優先留給 AI 系統所需的高頻寬記憶體（HBM）及先進封裝。814

哪些工作將交給外部夥伴？

業界報導指出，三星要求 OSAT 合作夥伴擴增傳統記憶體模組產線，以承接新增需求，而不是在自家廠區同步擴建等量產能。範圍包括供桌機、筆電與伺服器使用的 DDR5 模組，以及部分 SSD 作業。89

目前被點名的合作夥伴及其布局包括：

• Dreamtech：擴充印度諾伊達廠的 DDR5 模組生產。8
• Hanyang Digitech：增加越南廠的設備與自動化投資。11
• SFA Semicon：據報把三星溫陽廠部分 DDR5 測試與模組設備移往菲律賓，以消化委外產量。11

換言之，三星仍可供應傳統記憶體產品，但把新增的組裝與測試需求交由已具資格的合作廠商吸收。

為何 DDR5 適合委外，HBM 卻要優先留在南韓？

DDR5 模組的組裝相對標準化：將已封裝的 DRAM 元件安裝到印刷電路板（PCB）上，再完成測試與驗證。報導認為，這類工作技術上適合移交給 OSAT 業者。5

HBM 則是另一個層級的封裝挑戰。它必須堆疊多層記憶體晶粒，並整合專門的互連、鍵結、散熱與測試技術。隨著 AI 加速器與資料中心需求上升，瓶頸不只是 DRAM 晶圓供給，也在於能把晶粒做成 HBM 成品的先進封裝能力。因此，既有的封裝廠房與設備，成為三星更想優先投入的稀缺資源。

天安、溫陽廠區轉向 HBM

三星據報正重新配置天安與溫陽廠區的空間及設備，服務 HBM 與先進封裝產線。《The Elec》報導，三星正在將封裝設施資源導向先進產線；同時，溫陽園區準備興建一座規模約 6 兆韓元的 HBM 專用設施，但完工仍需數年。8

天安則是短期轉換的重點之一。業界消息稱，三星將逐步縮減該地的 Exynos 行動應用處理器（AP）封裝作業，並把相關設備改作 HBM 封裝用途；轉換期間，既有 Exynos 產品仍可能持續在當地處理。1233

此外，三星也與一項總額 56 兆韓元的投資計畫有關，計畫在溫陽與天安建立下一代 HBM 生產基地。3744 因此，6 兆韓元的溫陽設施可視為更廣泛 HBM 擴產布局中的一個具體專案，而非整個區域投資的全貌。

越南新廠扮演什麼角色？

三星規劃中的越南半導體測試廠，是南韓 HBM 擴建的互補節點，而不是取代 HBM 生產。路透社檢視的一份公司提案顯示，三星擬在越南北部投資 15 億美元設立 DRAM 與 NAND 晶片測試設施，預計於 2027 年 11 月開始營運。17

另有報導指出，三星正考慮把部分通用型 DRAM 與 NAND 的封裝、測試作業，從天安和溫陽轉往越南。若計畫落實，較成熟的後段作業將移往海外，南韓廠區就能保留更多先進封裝產能給 HBM；不過，三星尚未公開確認這項詳細移轉方案。1821

這不代表三星放棄 DDR5

這項據報中的策略，針對的是新增產能，尤其是模組組裝與測試，而不是停止 DDR5 產品或 DRAM 晶圓製造。三星仍預期供應傳統記憶體市場；它選擇不把每一筆新增 DDR5 產量都占用南韓稀缺的先進封裝資源。89

更大的訊號是，AI 需求正在改變記憶體供應鏈中各環節的價值。HBM 封裝逐漸成為戰略性瓶頸，三星據報透過委外、設備轉換與新廠建設並行的方式，提高 HBM 的優先順位。至於合作夥伴的實際分配與時程，由於多數細節仍來自業界消息，而非三星完整公開的生產藍圖，後續仍可能調整。812