三星電子據報正採取雙軌記憶體策略：將新增的 DDR5 記憶體模組與 SSD 組裝、測試量交由封裝測試服務商（OSAT）等外部夥伴承接，同時把有限的自有後段產能優先留給 HBM4 與先進封裝。短期目標是在擴大 AI 記憶體產出的同時，避免 PC、筆電與伺服器客戶的傳統記憶體成品供應突然斷層。710

不過，這項安排有一個關鍵限制：外包後段作業不等於新增 DRAM 或 NAND 晶圓產能。它可紓解封裝與測試環節的瓶頸，卻無法完全抵銷整個產業把更多 DRAM 資源轉往高頻寬記憶體（HBM）的影響。946

三星實際外包的是什麼？

相關報導指向，三星把新增的 DDR5 模組及 SSD 組裝、測試工作交給外部夥伴，而非繼續擴增自家後段產線。具體而言，承包商會將既有的記憶體或儲存元件裝上電路板、完成測試，並將模組或硬碟整理成可出貨成品；這與 DRAM、NAND 晶片本身的晶圓製造完全不同。914

對採購端而言，差別很重要。外部夥伴若能擴產，三星便有機會在內部工廠調整重心時，維持 DIMM 記憶體模組與 SSD 成品的供應；但上游 DRAM 與 NAND die（裸晶）的供給，仍是另一道約束。

為何天安與溫陽成為 HBM4 布局要點？

推動這次調整的核心，是專用後段空間與設備不足。據報導，三星正重整位於韓國天安（Cheonan）的後段作業，逐步縮減部分 Exynos 行動應用處理器（AP）封裝工作，並把相關設備轉作 HBM 封裝用途。1019

另一方面，報導也將溫陽（Onyang）的擴建計畫與 HBM 導向封裝產能連結。兩地調整若按規劃推進，三星內部更多封裝能力將投入 AI 加速器所需的 HBM 堆疊、整合與測試。1820

這些仍應視為業界消息，不能當成三星已完整公開的官方路線圖。不過，各方報導的方向一致：較適合移交夥伴的是傳統模組與 SSD 組裝；高複雜度的 HBM 後段工作，則是三星內部擴產的重心。710

HBM4 良率升至約 80%，有利擴大量產

TrendForce 引述業界報導指出，三星 HBM4 良率已由量產初期不足 60%，提升至約 80%。良率提高代表通過測試的產品比例上升，也讓擴大出貨更具可行性。29

此外，根據三星財報說明會相關報導，三星預期第三季 HBM4 營收將較前一季增加逾 3 倍，且 HBM4 在 2026 年下半年將占其 HBM 營收超過 60%。2930

至於市占預測則須更審慎看待。KB 證券估計，三星 2026 年第四季 HBM 市占可接近 40%，高於第二季的 33%；這是分析師推估，並非公司財測或必然結果。26

外部夥伴擴產能解決什麼，不能解決什麼？

這項策略可帶來幾項作用：

• **維持成品產出：**外部組裝與測試產線可承接三星不再優先於內部處理的 DDR5 模組與 SSD。714
• **釋放稀缺產能：**三星能將有限的內部封裝資源轉投 HBM 與其他先進記憶體製程。10
• **降低轉型期間風險：**若沒有外部夥伴承接，後段廠區重新配置可能更快形成傳統記憶體成品的瓶頸。

但其限制同樣明確：OSAT 擴產不會多生出 DRAM 晶圓，也不會自行增加 NAND Flash 產量。能否奏效還取決於夥伴的投資、產品認證、零組件供應，以及穩定量產的能力。

真正較令人憂心的，仍是傳統 DRAM

記憶體市場的主要變數不只在三星的封裝決策，而是 AI 基礎建設帶來的整體需求。TrendForce 預期，HBM 產能配置、AI 伺服器需求，以及單台伺服器記憶體容量提升，將讓 DRAM 供應持續受限、價格維持上行趨勢至 2027 年。46

新產能從興建、設備進場、認證到量產爬坡都需要時間。TrendForce 指出，規劃於 2027 年增加的產能，不太可能在 2028 年以前帶來顯著產出貢獻。4647

因此，三星的外包安排或許能緩和成品模組的瓶頸，但無法扭轉上游 DRAM 資源因 HBM 擴產而變緊的結構性問題。對 PC 與伺服器買家來說，這意味著較高的 DRAM 成本、較嚴格的配貨，以及長期供應合約的重要性持續上升。

SSD 與 NAND，不應套用同一套「缺貨」敘事

DDR5 和 SSD 同時出現在這波報導中，是因為兩者都涉及可移交外部夥伴的後段組裝與測試；但它們的上游市場並不相同。

TrendForce 的 2027 年展望認為，DRAM 供應將偏緊，NAND 市況則朝相對寬鬆發展。46 這不保證 SSD 會便宜或隨時現貨充足——控制器、組裝能力、產品組合與需求仍會左右價格和供應——但不能因 DRAM 吃緊，就直接推論所有 SSD 都將全面短缺。

PC 與手機業者該留意什麼？

對PC 品牌與系統廠而言，DRAM 是更直接的壓力來源。供應持續偏緊會拉高物料成本，也提高確保供貨合約的價值。規模較小的業者在供應商採取配貨時通常更為脆弱，因其採購議價能力和庫存彈性可能較低。4446

對智慧型手機品牌而言，壓力較廣泛但相對間接。行動 DRAM 與儲存記憶體不會直接變成 HBM，但在愈來愈以 AI 記憶體為中心的市場裡，仍會競逐供應商的資本支出與製造重心。較可能的應對是更精準管理庫存、分散認證供應來源，並審慎規劃記憶體容量配置，而非假定供應很快會恢復常態。TrendForce 也指出，產能轉往 HBM 已影響更廣泛的記憶體市場，包括行動 DRAM。41

2028 年可能舒緩，但尚無法保證

現有證據不足以斷言 2028 年會出現全面性的記憶體短缺。較合理的判斷是：若 AI 需求維持強勁、且新產能擴增速度不如預期，傳統 DRAM 可能一路緊張至 2028 年；與此同時，實質新增產能也可能在該期間逐漸改善供給。46

總結來說，三星據報推動的外包計畫，是針對營運瓶頸的精準調整：將傳統產品的組裝作業與 HBM4 封裝衝刺切開處理。它能降低成品端的轉換風險，卻無法單獨解決市場最根本的問題——整個產業正把更多稀缺的 DRAM 資源配置給 AI 導向記憶體。746

三星電子據報正採取雙軌記憶體策略：將新增的 DDR5 記憶體模組與 SSD 組裝、測試量交由封裝測試服務商（OSAT）等外部夥伴承接，同時把有限的自有後段產能優先留給 HBM4 與先進封裝。短期目標是在擴大 AI 記憶體產出的同時，避免 PC、筆電與伺服器客戶的傳統記憶體成品供應突然斷層。710

不過，這項安排有一個關鍵限制：外包後段作業不等於新增 DRAM 或 NAND 晶圓產能。它可紓解封裝與測試環節的瓶頸，卻無法完全抵銷整個產業把更多 DRAM 資源轉往高頻寬記憶體（HBM）的影響。946

三星實際外包的是什麼？

相關報導指向，三星把新增的 DDR5 模組及 SSD 組裝、測試工作交給外部夥伴，而非繼續擴增自家後段產線。具體而言，承包商會將既有的記憶體或儲存元件裝上電路板、完成測試，並將模組或硬碟整理成可出貨成品；這與 DRAM、NAND 晶片本身的晶圓製造完全不同。914

對採購端而言，差別很重要。外部夥伴若能擴產，三星便有機會在內部工廠調整重心時，維持 DIMM 記憶體模組與 SSD 成品的供應；但上游 DRAM 與 NAND die（裸晶）的供給，仍是另一道約束。

為何天安與溫陽成為 HBM4 布局要點？

推動這次調整的核心，是專用後段空間與設備不足。據報導，三星正重整位於韓國天安（Cheonan）的後段作業，逐步縮減部分 Exynos 行動應用處理器（AP）封裝工作，並把相關設備轉作 HBM 封裝用途。1019

另一方面，報導也將溫陽（Onyang）的擴建計畫與 HBM 導向封裝產能連結。兩地調整若按規劃推進，三星內部更多封裝能力將投入 AI 加速器所需的 HBM 堆疊、整合與測試。1820

這些仍應視為業界消息，不能當成三星已完整公開的官方路線圖。不過，各方報導的方向一致：較適合移交夥伴的是傳統模組與 SSD 組裝；高複雜度的 HBM 後段工作，則是三星內部擴產的重心。710

HBM4 良率升至約 80%，有利擴大量產

TrendForce 引述業界報導指出，三星 HBM4 良率已由量產初期不足 60%，提升至約 80%。良率提高代表通過測試的產品比例上升，也讓擴大出貨更具可行性。29

此外，根據三星財報說明會相關報導，三星預期第三季 HBM4 營收將較前一季增加逾 3 倍，且 HBM4 在 2026 年下半年將占其 HBM 營收超過 60%。2930

至於市占預測則須更審慎看待。KB 證券估計，三星 2026 年第四季 HBM 市占可接近 40%，高於第二季的 33%；這是分析師推估，並非公司財測或必然結果。26

外部夥伴擴產能解決什麼，不能解決什麼？

這項策略可帶來幾項作用：

• **維持成品產出：**外部組裝與測試產線可承接三星不再優先於內部處理的 DDR5 模組與 SSD。714
• **釋放稀缺產能：**三星能將有限的內部封裝資源轉投 HBM 與其他先進記憶體製程。10
• **降低轉型期間風險：**若沒有外部夥伴承接，後段廠區重新配置可能更快形成傳統記憶體成品的瓶頸。

但其限制同樣明確：OSAT 擴產不會多生出 DRAM 晶圓，也不會自行增加 NAND Flash 產量。能否奏效還取決於夥伴的投資、產品認證、零組件供應，以及穩定量產的能力。

真正較令人憂心的，仍是傳統 DRAM

記憶體市場的主要變數不只在三星的封裝決策，而是 AI 基礎建設帶來的整體需求。TrendForce 預期，HBM 產能配置、AI 伺服器需求，以及單台伺服器記憶體容量提升，將讓 DRAM 供應持續受限、價格維持上行趨勢至 2027 年。46

新產能從興建、設備進場、認證到量產爬坡都需要時間。TrendForce 指出，規劃於 2027 年增加的產能，不太可能在 2028 年以前帶來顯著產出貢獻。4647

因此，三星的外包安排或許能緩和成品模組的瓶頸，但無法扭轉上游 DRAM 資源因 HBM 擴產而變緊的結構性問題。對 PC 與伺服器買家來說，這意味著較高的 DRAM 成本、較嚴格的配貨，以及長期供應合約的重要性持續上升。

SSD 與 NAND，不應套用同一套「缺貨」敘事

DDR5 和 SSD 同時出現在這波報導中，是因為兩者都涉及可移交外部夥伴的後段組裝與測試；但它們的上游市場並不相同。

TrendForce 的 2027 年展望認為，DRAM 供應將偏緊，NAND 市況則朝相對寬鬆發展。46 這不保證 SSD 會便宜或隨時現貨充足——控制器、組裝能力、產品組合與需求仍會左右價格和供應——但不能因 DRAM 吃緊，就直接推論所有 SSD 都將全面短缺。

PC 與手機業者該留意什麼？

對PC 品牌與系統廠而言，DRAM 是更直接的壓力來源。供應持續偏緊會拉高物料成本，也提高確保供貨合約的價值。規模較小的業者在供應商採取配貨時通常更為脆弱，因其採購議價能力和庫存彈性可能較低。4446

對智慧型手機品牌而言，壓力較廣泛但相對間接。行動 DRAM 與儲存記憶體不會直接變成 HBM，但在愈來愈以 AI 記憶體為中心的市場裡，仍會競逐供應商的資本支出與製造重心。較可能的應對是更精準管理庫存、分散認證供應來源，並審慎規劃記憶體容量配置，而非假定供應很快會恢復常態。TrendForce 也指出，產能轉往 HBM 已影響更廣泛的記憶體市場，包括行動 DRAM。41

2028 年可能舒緩，但尚無法保證

現有證據不足以斷言 2028 年會出現全面性的記憶體短缺。較合理的判斷是：若 AI 需求維持強勁、且新產能擴增速度不如預期，傳統 DRAM 可能一路緊張至 2028 年；與此同時，實質新增產能也可能在該期間逐漸改善供給。46

總結來說，三星據報推動的外包計畫，是針對營運瓶頸的精準調整：將傳統產品的組裝作業與 HBM4 封裝衝刺切開處理。它能降低成品端的轉換風險，卻無法單獨解決市場最根本的問題——整個產業正把更多稀缺的 DRAM 資源配置給 AI 導向記憶體。746